用于管理闪存存储器中敏感数据的区域的方法技术

公开了用于管理闪存存储器中敏感数据的区域的方法。在一个实施例中，一种方法包括修改或抑制非易失性存储器的一个或多个数据值，其中一个或多个数据值被存储在非易失性存储器的第一扇区中，其中第一扇区被存储在非易失性存储器中的一个或多个选择值指定为当前扇区，其中修改或抑制包括将一个或多个数据值写入非易失性存储器的第二扇区中，并且其中第二扇区被一个或多个选择值指定为替代扇区。扇区被一个或多个选择值指定为替代扇区。扇区被一个或多个选择值指定为替代扇区。

【技术实现步骤摘要】
用于管理闪存存储器中敏感数据的区域的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年5月25日提交的题为“M
é
thode pour la gestion d
’
une zone de donn
é
es sensible en m
é
moire FLASH”的法国专利申请号2205047的优先权，其全部内容通过引用结合于此。


[0003]本公开总体涉及闪存型存储器领域。

技术介绍

[0004]非易失性可编程存储器，例如电可擦除可编程存储器(EEPROM)，能够在电子设备中存储某些数据，例如密码秘钥或配置参数，即使当电子设备断开连接时也是如此。然而，考虑到用于实现EEPROM的技术，后者通常不能集成在芯片上。然后EEPROM的外部(片外)实现会导致表面积、功耗和成本的增加。
[0005]然而，闪存型存储器可以在芯片上实现。然而，闪存存储器有某些访问限制。例如，与EEPROM相反，不可能覆盖或单独修改闪存存储器的数据值。因此，存在与使用片上闪存存储器来实现类似于由EEPROM提供的存储器存储的技术问题。

技术实现思路

[0006]实施例提供对闪存存储器的敏感数据的访问和操纵。各种实施例克服了闪存存储器的全部或部分已知缺点。
[0007]一个实施例提供了一种方法，包括：
[0008]对非易失性存储器的一个或多个数据值的修改或抑制，一个或多个数据值被存储在存储器的第一扇区中，第一扇区被存储在非易失性存储器中的一个或多个选择值指定为当前扇区，修改或抑制包括：
[0009]‑
将一个或多个数据值写入非易失性存储器的第二扇区，第二扇区被一个或多个选择值指定为替代扇区。
[0010]根据一个实施例，修改或抑制包括修改与第一存储器扇区的第一地址相关联地存储在第一位置的第一数据值，并且将一个或多个数据值写入第二扇区包括：
[0011]‑
将第二数据值写入非易失性存储器的第二扇区的第一位置，第二扇区的第一位置至少部分地由第一地址指定。
[0012]根据一个实施例，一个或多个选择值包括存储在第一扇区中的第一选择值。
[0013]根据一个实施例，一个或多个选择值还包括存储在第二扇区中的第二选择值。
[0014]根据一个实施例，上述方法包括：在非易失性存储器上电之后：
[0015]‑
读取第一选择值和第二选择值；
[0016]‑
根据第一选择值和第二选择值确定被指定为备选的扇区；以及
[0017]‑
如果在被指定为替代扇区的扇区中包含至少一个数据值，则重新初始化替代扇
区。
[0018]根据一个实施例，修改或抑制包括对其他第一数据值的抑制，并且第一扇区包括第一地址范围和第二地址范围，第一地址范围包括与第一电平值相关联的所述其他第一数据值，第二地址范围包括与第二电平值相关联的第二数据值，第二电平值大于第一电平值，并且其中抑制包括：
[0019]‑
通过单调计数器生成第二级值；
[0020]‑
将与第一计数值相关联的第二数据值写入第二扇区；
[0021]‑
将第二选择值写入第二扇区，将第一扇区指定为替代扇区，并且将第二扇区指定为当前扇区；以及
[0022]‑
重新初始化第一个扇区。
[0023]根据一个实施例，上述方法还包括：
[0024]‑
将第二选择值写入第二扇区，将第一扇区指定为替代扇区，并且将第二扇区指定为当前扇区；以及
[0025]‑
重新初始化第一扇区。
[0026]根据一个实施例，上述方法还包括，在将第二选择值写入第二扇区之前：
[0027]‑
将存储在第一扇区中的一个或多个其他数据值写入第二扇区。
[0028]根据一个实施例，上述方法还包括，在将所述一个或多个其他数据值写入第二扇区之后，修改或抑制存储在第二扇区中的一个或多个值，并将不同于第一选择值和第二选择值的第三选择值写入第一扇区，将第一扇区指定为当前扇区，并且将第二扇区指定为替代扇区。
[0029]根据一个实施例，第一选择值、第二选择值和第三选择值中的每一个与其他选择值相差至少两个位(bit)的值。
[0030]根据一个实施例，上述方法还包括：
[0031]‑
读取存储在寄存器中的位的状态；以及
[0032]‑
当位处于第一状态时，将一个或多个数据值写入当前扇区，或者当位处于第二状态时，将一个或多个数据值写入替代扇区。
[0033]根据一个实施例，非易失性存储器是闪存型存储器。
[0034]一个实施例提供了一种设备，包括：
[0035]‑
非易失性存储器，包括存储在存储器的第一扇区中的一个或多个数据值，存储器还包括第二扇区以及将第一扇区指定为当前扇区并将第二扇区指定为替代扇区的一个或多个选择值；以及
[0036]‑
访问控制器，被配置为通过将一个或多个其他数据值写入非易失性存储器的第二扇区来修改或抑制一个或多个数据值。
[0037]根据一个实施例，访问控制器被配置为通过在非易失性存储器的第二扇区的第一位置处写入第二数据值，与第一地址相关联地修改存储在第一存储器扇区的第一位置处的第一数据值，第二扇区的第一位置至少部分地由第一地址指定。
[0038]根据一个实施例，上述设备还包括单调计数器，被配置为生成电平值，并且第一扇区包括第一地址范围以及第二地址范围，该第一地址范围包括与第一电平值相关联的其他第一数据值，该第二地址范围包括与第二电平值相关联的第二数据值，第二电平值大于第
一电平值，访问控制器被配置为抑制一个或多个其他第一数据值，该抑制包括：
[0039]‑
将与第一计数值相关联的第二数据值写入第二扇区；
[0040]‑
写入第二选择值，将第一扇区指定为替代扇区，并且将第二扇区指定为当前扇区；以及
[0041]‑
重新初始化第一扇区。
附图说明
[0042]上述特征和优点以及其他特征和优点将在参考附图以说明而非限制的方式给出的具体实施例的公开的其余部分中详细描述，其中：
[0043]图1以框的形式示意性地示出了根据本公开的实施例的电子设备；
[0044]图2以框的形式示意性地示出了根据本公开的实施例的图1的电子设备的闪存存储器的内容；
[0045]图3是示出根据本公开的实施例的示例的写入闪存存储器的方法的操作的流程图；
[0046]图4示意性地示出了在实现数据修改方法时闪存存储器的扇区的内容；
[0047]图5是示出根据本公开的实施例的示例的扇区交换方法的操作的流程图；
[0048]图6示意性地示出了在实现抑制一个或多个数据的方法时闪存存储器的扇区的内容；
[0049]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：修改或抑制非易失性存储器的一个或多个数据值，其中所述一个或多个数据值被存储在所述非易失性存储器的第一扇区中，其中所述第一扇区被存储在所述非易失性存储器中的一个或多个选择值指定为当前扇区，其中修改或抑制包括将一个或多个数据值写入所述非易失性存储器的第二扇区中，并且其中所述第二扇区被所述一个或多个选择值指定为替代扇区。2.根据权利要求1所述的方法，其中修改或抑制包括与第一地址相关联地修改存储在所述第一扇区的第一位置处的第一数据值。3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述一个或多个数据值写入所述第二扇区包括将第二数据值写入所述第二扇区的第一位置，所述第二扇区的所述第一位置至少部分地由所述第一地址指定。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个选择值包括存储在所述第一扇区中的第一选择值。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述一个或多个选择值还包括存储在所述第二扇区中的第二选择值。6.根据权利要求4所述的方法，还包括在对所述非易失性存储器加电之后：读取所述第一选择值和所述第二选择值；基于所述第一选择值和所述第二选择值，确定所述第一扇区和所述第二扇区中的哪个扇区被指定为所述替代扇区；以及当数据值被存储在所述替代扇区中时，重新初始化所述替代扇区。7.根据权利要求1所述的方法，其中修改或抑制包括修改其他第一数据值，其中所述第一扇区包括第一地址范围和第二地址范围，所述第一地址范围包括与第一级值相关联的所述其他第一数据值，所述第二地址范围包括与第二级值相关联的第二数据值，所述第二级值大于所述第一级值。8.根据权利要求7所述的方法，其中修改或抑制包括通过以下方式进行抑制：由单调计数器生成所述第二级值；将所述第二数据值与所述第一计数值相关联地写入所述第二扇区；将第二选择值写入所述第二扇区，将所述第一扇区指定为所述替代扇区，并且将所述第二扇区指定为所述当前扇区；以及重新初始化所述第一扇区。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：将第二选择值写入所述第二扇区，将所述第一扇区指定为所述替代扇区，并且将所述第二扇区指定为所述当前扇区；以及重新初始化所述第一扇区。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：意法半导体ALPS有限公司，
类型：发明
国别省市：