【技术实现步骤摘要】
半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法
。
本专利技术的一个实施方式涉及一种显示装置及显示装置的制造方法
。
[0002]注意,本专利技术的一个实施方式不局限于上述
。
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个实施方式的
的例子,可以举出半导体装置
、
显示装置
、
发光装置
、
蓄电装置
、
存储装置
、
电子设备
、
照明装置
、
输入装置
、
输入
/
输出装置
、
其驱动方法或者其制造方法
。
[0003]注意,在本说明书等中,半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置
。
晶体管
、
半导体电路
、
运算装置及存储装置等都是半导体装置的一个方式
。
另外,摄像装置
、
电光装置
、
发电装置
(
包括薄膜太阳能电池
、
有机薄膜太阳能电池等
)
以及电子设备各自有时包括半导体装置
。
技术介绍
[0004]作为可用于晶体管的半导体材料,包含金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目
。
例如,专利文献1公开了如下一种实现高场效应 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种半导体装置,包括:第一绝缘层;在所述第一绝缘层上并与所述第一绝缘层接触的第一半导体层;在所述第一绝缘层上并与所述第一绝缘层接触的第一金属氧化物层;在所述第一半导体层和所述第一金属氧化物层上的第二金属氧化物层;在所述第二金属氧化物层上的第二绝缘层;在所述第二绝缘层上并通过所述第二金属氧化物层和所述第二绝缘层中的第一开口电连接到所述第一半导体层的第一导电层;在所述第二绝缘层上并通过所述第二金属氧化物层和所述第二绝缘层中的第二开口电连接到所述第一半导体层的第二导电层;与所述第一半导体层的第一区域重叠的第三导电层;以及电连接到所述第二导电层的显示元件的电极,其中,所述第二导电层与所述第一金属氧化物层重叠
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一金属氧化物层用作电容器的一个电极,并且,所述第二导电层用作所述电容器的另一电极
。3.
根据权利要求1所述的半导体装置,还包括第三绝缘层,其中,所述第三绝缘层位于所述第一半导体层和所述第二金属氧化物层之间,所述第三绝缘层位于所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间,并且,所述第三绝缘层包括氮化铝钛膜
、
氮化钛膜
、
氮化铝膜和氧化铝钛膜中的至少一个
。4.
根据权利要求1所述的半导体装置,还包括第三绝缘层,其中,所述第三绝缘层位于所述第一半导体层和所述第二金属氧化物层之间,所述第三绝缘层位于所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间,并且,所述第三绝缘层与所述第一半导体层的侧面及顶面和所述第一金属氧化物层的侧面及顶面接触
。5.
根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一半导体层还包括不与所述第三导电层重叠的第二区域,并且,所述第二区域具有比所述第一区域低的电阻
。6.
根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第二金属氧化物层与所述第一半导体层的侧面及顶面和所述第一金属氧化物层的侧面及顶面接触
。7.
一种半导体装置,包...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,肥塚纯一,神长正美,中泽安孝,生内俊光,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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