一种光电器件及其制备方法技术

本申请公开了一种光电器件及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种光电器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种光电器件及其制备方法
、
显示装置
。

技术介绍

[0002]光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源
、
传感
、
通信
、
显示
、
照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池
、
光电探测器
、
有机电致发光器件
(OLED)
或量子点电致发光器件
(QLED)。
传统的光电器件的结构主要包括阳极
、
空穴注入层
、
空穴传输层
、
发光层
、
电子传输层
、
电子注入层及阴极
。
在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光
。
[0003]光电器件的性能，例如外量子效率
(EQE)、
寿命等，制约着光电器件的应用
。
光电器件的性能与多种因素有关，比如载流子的平衡性等
。
如何提高光电器件的性能，是亟待解决的技术问题
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法
、
显示装置，旨在提高光电器件的性能
。
[0005]本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极
、
发光层
、
电子功能层和阴极，在所述电子功能层与所述阴极之间设置有氧化功能层，其中，氧化功能层的材料包括骨架材料和氧化剂
。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化功能层由骨架材料及氧化剂组成
。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述骨架材料为纳米金属氧化物材料
。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述骨架材料包括纳米氧化锌
、
纳米二氧化钛
、
纳米二氧化锡
、
纳米氧化铝
、
纳米二氧化硅
、
纳米氧化锆中的至少一种；和
/
或所述纳米金属氧化物的平均粒径为
5nm
‑
15nm
；和
/
或所述氧化剂包括过氧化氢
、
高锰酸钾
、
亚氯酸钠，硝酸钾
、
高氯酸钠
、
连二硫酸钠中的至少一种
。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化功能层中所述氧化剂的质量分数为
20
％
‑
50
％；和
/
或所述氧化功能层的厚度为
10nm
‑
20nm。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电器件包括吸水层，所述吸水层设置在所述电子功能层与所述氧化功能层之间
。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述吸水层包括主体材料，所述主体材料为聚甲基丙烯酸甲酯或聚砜，所述主体材料中掺杂吸湿剂
。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述吸湿剂包括氯化钴
、
乙醇胺或氯化锂中的至少一种
。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述吸水层的厚度范围为
15nm
‑
30nm
；和
/
或所述吸水层中所述吸湿剂的质量分数可以为8％
‑
25
％
。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极选自金属电极
、
碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自
Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Ni、Ti
以及
Mg
中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨
、
碳纳米管
、
石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自
ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO
以及
AMO
中的至少一种；所述复合电极的材料选自
AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及
TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和
/
或选自有机发光材料
、
量子点发光材料或钙钛矿型半导体材料；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物
、
二苯乙烯芳香族衍生物
、
芘衍生物或芴衍生物
、
发蓝色光的
TBPe
荧光材料
、
发绿色光的
TTPA
荧光材料
、
发橙色光的
TBRb
荧光材料及发红色光的
DBP
荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自
II
‑
VI
族化合物
、IV
‑
VI
族化合物
、III
‑
V
族化合物和
I
‑
III
‑
VI
族化合物中的至少一种，所述
II
‑
VI
族化合物选自
CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe
及
ZnSeSTe
中的至少一种，所述
IV
‑
VI
族化合物选自
PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe
中的至少一种，所述
III
‑
V
族化合物选自
InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、GaAsP、InGaP、InGaAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP
及
InAlNP
中的至少一种，所述
I
‑
III
‑
VI
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光电器件，包括层叠设置的阳极
、
发光层
、
电子功能层和阴极，其特征在于，所述光电器件还包括位于所述电子功能层与所述阴极之间的氧化功能层，其中，所述氧化功能层的材料包括骨架材料和氧化剂
。2.
如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述氧化功能层由骨架材料及氧化剂组成
。3.
如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述骨架材料为纳米金属氧化物材料
。4.
如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述纳米金属氧化物材料包括纳米氧化锌
、
纳米二氧化钛
、
纳米二氧化锡
、
纳米氧化铝
、
纳米二氧化硅
、
纳米氧化锆中的至少一种；和
/
或所述纳米金属氧化物的平均粒径为
5nm
‑
15nm
；和
/
或所述氧化剂包括过氧化氢
、
高锰酸钾
、
亚氯酸钠，硝酸钾
、
高氯酸钠
、
连二硫酸钠中的至少一种
。5.
如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述氧化功能层中所述氧化剂的质量分数为
20
％
‑
50
％
。6.
如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述氧化功能层的厚度为
10nm
‑
20nm。7.
如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括吸水层，所述吸水层设置在所述电子功能层与所述氧化功能层之间
。8.
如权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述吸水层包括主体材料及吸湿剂
。9.
如权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述主体材料为聚甲基丙烯酸甲酯或聚砜；或者，所述吸湿剂包括氯化钴
、
乙醇胺或氯化锂中的至少一种
。10.
如权利要求8所述的光电器件，其特征在于，所述吸水层中所述吸湿剂的质量分数为8％
‑
25
％
。11.
如权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述吸水层的厚度范围为
15nm
‑
30nm。12.
如权利要求1‑
11
任一项所述的光电器件，其特征在于，所述阳极选自金属电极
、
碳电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自
Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Ni、Ti
以及
Mg
中的至少一种；所述碳电极的材料选自石墨
、
碳纳米管
、
石墨烯以及碳纤维中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自
ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO
以及
AMO
中的至少一种；所述复合电极的材料选自
AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及
TiO2/Al/TiO2中的至少一种；和
/
或所述发光层的材料选自有机发光材料
、
量子点发光材料或钙钛矿型半导体材料；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物
、
二苯乙烯芳香族衍生物
、
芘衍生物或芴衍生物
、
发蓝色光的
TBPe
荧光材料
、
发绿色光的
TTPA
荧光材料
、
发橙色光的
TBRb
荧光材料及发红色光的
DBP
荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自
II
‑
VI
族化合物
、IV
‑
VI
族化合物
、III
‑
V
族化合物
和
I
‑
III
‑
VI
族化合物中的至少一种，所述
II
‑
VI
族化合物选自
CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe
及
ZnSeSTe
中的至少一种，所述
IV
‑
VI
族化合物选自
PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe
中的至少一种，所述
III
‑
V
族化合物选自
InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、GaAsP、InGaP、InGaAs、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP
及
InAlNP
中的至少一种，所述
I
‑
III
‑
VI
族化合物选自
CuInS2、CuInSe2及
AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自
CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS
和
ZnS
中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料选自掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华民，
申请(专利权)人：TCL，
类型：发明
国别省市：