一种使用气体进行处理的设备及气体匀流结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种使用气体进行处理的设备及气体匀流结构，使用气体进行处理的设备包括管件

【技术实现步骤摘要】
一种使用气体进行处理的设备及气体匀流结构


[0001]本技术涉及气体处理装置
，具体涉及一种使用气体进行处理的设备及气体匀流结构
。

技术介绍

[0002]在工业应用中，使用气体进行处理是常见的一种处理过程，在该过程中需要提供气体，例如使用气体的掺杂
、
气相沉积，在实际应用中，产量因素是重要的考虑因素，待处理物需要进行批量化准备，而批量化的情况下需要考虑待处理物之间处理的均匀性，在气体参与的处理过程中就需要考虑如何在不同位置提供相同状态的气体，例如提供相同浓度
、
相同流动状态的气体
。
[0003]使用气体进行处理的设备例如
CVD(
化学气相沉积
)、
该过程中将多个基片放置在载具上，基片之间提供气体流动路径，例如在太阳能电池片制备过程中使用的各个步骤，例如扩散
、
沉积，太阳能电池片制作工艺中，
TOPCON(
隧穿氧化钝化电池
)
是目前大规模量产效率及经济性最高的工艺路线，其中扩散
、LPCVD(
低压化学气相沉积
)
或
PECVD(
等离子体增强化学气相沉积
)
是
TOPCON
的核心镀膜设备，用于在硅片表面扩散形成
PN
结或沉积
SiO2和
Poly
‑
Si
薄膜层，上述过程中需要向不同硅片提供性质相同
、/>流态相同的气体，来保证扩散
、
沉积过程在不同的硅片上具有相同的气体状态，从而确保不同硅片间的处理状态相同，从而保证
。
[0004]在
LPCVD
工艺中，对电池效率影响最大的是工艺气体的流场，如果气体流场分布不均，导致硅片扩散
、
镀膜均匀性出现较大偏差，如何提供分布均匀的气体流场一直是本领域技术人员所研究的课题
。

技术实现思路

[0005]因此，本技术所要解决的技术问题在于现有技术中批量
、
气流参与的处理过程中气体流场分布不均，例如在通过气体进行扩散或镀膜时，导致硅片扩散或镀膜均匀性出现较大偏差的问题
。
[0006]为此，本技术提供一种使用气体进行处理的设备，包括管件
、
承载件以及匀流结构，所述匀流结构
、
承载件设于所述管件内，所述承载件设于所述匀流结构出气端一侧；
[0007]所述匀流结构包括：
[0008]第一匀流组件，包括匀流板和导流筒，所述导流筒内部设有通气流道，所述匀流板设于所述通气流道内部，且沿所述通气流道进气方向，所述通气流道横截面积逐渐减小
。
[0009]可选地，所述匀流板设于所述导流筒横截面积最大端
。
[0010]可选地，所述导流筒为锥形结构
。
[0011]可选地，所述管件两端设有密封件，其一所述密封件与所述第一匀流组件中匀流板之间形成有匀流腔室，且此密封件与外界气源连通
。
[0012]可选地，所述导流筒内部通气流道靠近所述承载件一端横截面积与所述承载件横
截面积相匹配
。
[0013]可选地，所述导流筒内部通气流道靠近所述承载件一端横截面积与所述承载件横截面积相等
。
[0014]可选地，所述第一匀流组件侧的所述密封件内部设有气道，所述气道连通所述管件内部与外界气源，所述气道靠近管件内部一侧设有若干出气孔，且靠近外界气源进气口处若干所述气道出气口间间距大于远离外界气源进气口处若干所述气道出气口间间距
。
[0015]可选地，使用气体进行处理的设备还包括第二匀流件，设于所述承载件靠近所述第一匀流组件一端，所述第二匀流件上设有若干通气流道
。
[0016]可选地，所述通气流道与所述承载件内待处理件之间间隙相对应
。
[0017]可选地，所述承载件上设有卡接部，以固定所述第二匀流件
。
[0018]一种气体匀流结构，用于上述所述的使用气体进行处理的设备，包括：
[0019]第一匀流组件，包括匀流板和导流筒，所述导流筒内部设有通气流道，所述匀流板设于所述通气流道内部，且沿所述通气流道进气方向，所述通气流道横截面积逐渐减小
。
[0020]可选地，所述匀流板设于所述导流筒横截面积最大端
。
[0021]可选地，所述导流筒为锥形结构
。
[0022]本技术提供的一种使用气体进行处理的设备及气体匀流结构，具有如下优点：
[0023]1.
本技术提供一种使用气体进行处理的设备，管件左端的密封件内部设置有气道，气道靠近管件内部一侧设有若干出气孔，气道另一侧设有进气口，进气口与外部气源连接，靠近外界气源进气口处若干气道出气口间间距大于远离外界气源进气口处若干气道出气口间间距，由于靠近出气口处的气流量大，而气体在气道内流通由于会从出气口处流出，故而远离进气口处的气道内部气体数量会较少，故而在远离进气口处的出气口开设的较为密集，以尽可能地使出气能够均匀
。
[0024]2.
本技术提供一种使用气体进行处理的设备，导流筒内部设有通气流道，沿管件进气方向，通气流道横截面积逐渐减小，其中筒内部通气流道靠近承载件一端横截面积与承载件横截面积呈正相关，在本实施例中，导流筒内部通气流道靠近承载件一端横截面积与承载件横截面积相等，进而使得气体能够集中到承载件的前方，可以理解，导流筒内部通气流道靠近承载件一端横截面积与承载件横截面积相似便可以实现上述的效果
。
[0025]3.
本技术提供一种使用气体进行处理的设备，第二匀流件设于承载件靠近第一匀流组件一端，第二匀流件为板状结构，其上也设置有若干用于气体通过的通气流道，通气流道为通槽或通孔，经过第一匀流组件，气体集中于承载件前，为了使承载件内硅片间的气流更加均匀，将第二匀流件置于承载件进气端前，使片间气体均匀，提高镀膜效率
。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0027]图1为本技术的实施例中提供的使用气体进行处理的设备的结构示意视图；
左端密封件与承载件2之间，且两者之间形成有匀流腔室，使得气体经过管件1左端的密封件进入管件1内部后，会经过第一匀流组件3的处理，使得气体能够更加均匀的向承载件2方向流动
。
[0043]具体的，导流筒
32
内部设有通气流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种使用气体进行处理的设备，包括管件
(1)、
承载件
(2)
以及匀流结构，所述匀流结构
、
承载件
(2)
设于所述管件
(1)
内，所述承载件
(2)
设于所述匀流结构出气端一侧；其特征在于，所述匀流结构包括：第一匀流组件
(3)
，包括匀流板
(31)
和导流筒
(32)
，所述导流筒
(32)
内部设有通气流道，所述匀流板
(31)
设于所述通气流道内部，且沿所述通气流道进气方向，所述通气流道横截面积逐渐减小
。2.
根据权利要求1所述的使用气体进行处理的设备，其特征在于，所述匀流板
(31)
设于所述导流筒
(32)
横截面积最大端
。3.
根据权利要求2所述的使用气体进行处理的设备，其特征在于，所述导流筒
(32)
为锥形结构
。4.
根据权利要求1‑3中任一项所述的使用气体进行处理的设备，其特征在于，所述管件
(1)
两端设有密封件，其一所述密封件与所述第一匀流组件
(3)
中匀流板
(31)
之间形成有匀流腔室，且此密封件与外界气源连通
。5.
根据权利要求4所述的使用气体进行处理的设备，其特征在于，所述导流筒
(32)
内部通气流道靠近所述承载件
(2)
一端横截面积与所述承载件
(2)
横截面积相匹配
。6.
根据权利要求5所述的使用气体进行处理的设备，其特征在于，所述导流筒
(32)
内部通气流道靠近所述承载件
(2)
一端横截面积与所述承载件
(2)
横截面积相等
。7.
根据权利要求6所述的使用气...

【专利技术属性】
技术研发人员：康旭，朱双双，黎微明，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：