气流形成装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及气流形成装置

【技术实现步骤摘要】
气流形成装置


[0001]本技术涉及一种气流形成装置。

技术介绍

[0002]已知有一种产生从液处理部的上方朝向该液处理部的处理空间的气流(下降流)的气流形成装置(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
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93794号公报

技术实现思路

[0006]技术要解决的问题
[0007]在此，根据装置环境状态的不同，上述的朝向处理空间的气流不稳定，由于该原因，有时液处理后的基板的膜厚产生偏差(膜厚在基板间有偏差)。例如，根据相邻的涂敷杯的排气状态、作为日间差因素而列举的装置正压值的不同，朝向处理空间的气流不稳定，有时基板的膜厚产生偏差。特别是，在气流敏感度较高的药液、工艺中，会显著地出现由气流不稳定引起的膜厚的偏差。
[0008]本技术是鉴于上述实际情况而完成的，提供一种能够通过抑制作为气流变化的参数而列举的处理空间内(日文：処理空間上)风速的变化来抑制液处理后的基板的膜厚的偏差的气流形成装置。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本技术的一技术方案的气流形成装置从液处理部的上方向去向该液处理部的处理空间的下方产生气流，其中，该气流形成装置包括：气体供给部，其将导入的气体从与处理空间相对的第1面向下方吹出；以及气流形成部，其在第1面的下方且是处理空间的上方以包围处理空间的正上方的开口部的方式配置，该气流形成部针对从第1面吹出到下方的气体在开口部的周边形成环状的强气流形成区域，在该强气流形成区域产生有比其外侧的区域强的气流。
[0011]也可以是，所述气流形成部具有以包围所述开口部的方式沿上下方向延伸的环状的壁部和与所述壁部的下端连续并且以与所述第1面相对的方式水平地延伸的底部，所述壁部以在其上端和所述第1面之间形成有狭缝的方式沿所述上下方向延伸。
[0012]也可以是，在所述底部形成有将气体向下方送出的多个孔部，所述底部具有作为与所述壁部的下端连续的区域的第1区域和作为比所述第1区域靠外侧的区域的第2区域，作为所述第1区域中的多个所述孔部所占的比例的第1开口率比作为所述第2区域中的多个所述孔部所占的比例的第2开口率低。
[0013]也可以是，该气流形成装置还包括上端连接于所述第1面并且下端连接于所述底部的多个间隔件，所述多个间隔件彼此的上下方向上的高度相同。
[0014]也可以是，所述间隔件沿着所述壁部设置。
[0015]也可以是，在俯视时，所述开口部的区域比配置于所述处理空间的基板的区域狭小。
[0016]技术的效果
[0017]根据本技术，能够提供一种能够通过抑制处理空间内风速的变化来抑制液处理后的基板的膜厚的偏差的气流形成装置。
附图说明
[0018]图1是表示包含本实施方式的气流形成单元的抗蚀剂涂敷装置的概略结构的垂直剖视图。
[0019]图2是气流控制板的仰视图。
[0020]图3(a)是气体供给部和气流控制板的垂直剖视图，图3(b)是气流控制板的俯视图。
[0021]图4是说明强气流形成区域的图。
[0022]图5是表示针对每个装置正压值的中心风速的图。
[0023]图6是表示针对每个装置正压值的基板膜厚的图。
具体实施方式
[0024]图1是表示本实施方式的抗蚀剂涂敷装置1的概略结构的垂直剖视图。抗蚀剂涂敷装置1是对基板实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的基板处理系统所包含的装置(基板处理装置)。作为处理对象的基板，可列举出半导体晶圆、玻璃基板、掩模基板或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。基板也包含在前级的处理中在半导体晶圆等之上形成了覆膜等的基板。抗蚀剂涂敷装置1在利用基板处理系统所包含的曝光装置(未图示)进行的曝光处理之前进行在基板的表面形成抗蚀剂膜的处理。更具体而言，抗蚀剂涂敷装置1向基板的表面供给抗蚀剂膜形成用的涂敷液，形成上述烘烤前抗蚀剂膜。此外，抗蚀剂涂敷装置1在基板的表面形成了烘烤前抗蚀剂膜之后向基板的周缘部供给去除液，从而去除烘烤前抗蚀剂膜的周缘部。
[0025]如图1所示，抗蚀剂涂敷装置1构成为包含涂敷处理部100(液处理部)和气流形成单元2(气流形成装置)。
[0026]涂敷处理部100具有两个处理部100a、100b。两个处理部100a、100b彼此相邻地排列配置，设为彼此相同的结构。两个处理部100a、100b各自构成为包含旋转保持盘(未图示)和杯101。
[0027]旋转保持盘(未图示)是吸附基板W的背面中央部而将其保持为水平并且使基板W旋转的旋转保持部。旋转保持盘借助旋转轴(未图示)而与旋转驱动机构(未图示)连接。旋转保持盘构成为借助旋转驱动机构在保持着基板W的状态下绕铅垂轴线旋转自如，设定为基板W的中心位于其旋转轴线上。旋转驱动机构接收来自控制部(未图示)的控制信号而控制旋转保持盘的旋转速度。
[0028]杯101以包围旋转保持盘上的基板W的方式在上方侧形成有开口。被杯101包围的区域设为对基板W进行的涂敷处理的处理空间PS。在杯101的下方设有排气管路(未图示)。
此外，在杯101内设有3根升降销(未图示)。升降销利用升降机构(未图示)升降，从而能够在向抗蚀剂涂敷装置1输送基板W的未图示的基板输送机构和旋转保持盘之间进行基板W的交接。并且，涂敷处理部100具有用于向基板W供给抗蚀液的未图示的各种部件。
[0029]气流形成单元2是从涂敷处理部100的上方向去向该涂敷处理部100的处理空间PS的下方产生气流的结构。气流形成单元2具有气体供给部10、气流控制板50(气流形成部)以及多个间隔件70(参照图3(a)和图3(b))。
[0030]气体供给部10是将导入的气体朝向处理空间PS吹出的结构。气体供给部10具有吹出单元11和ULPA(Ultra Low Penetration Air：超低穿透率空气)过滤器12。
[0031]吹出单元11是扁平的箱状的构件，其下表面开口而构成吹出面11a。在吹出单元11的侧部形成有用于导入气体的导入孔。在吹出单元11的下部安装有ULPA过滤器12。
[0032]ULPA过滤器12是去除气体中的微细的微粒的过滤器。ULPA过滤器12去除从吹出单元11的吹出面11a流出到下方的气体中的微粒，并从作为其下表面的吹出面12a(第1面)向下方吹出气体。在吹出面12a，设为进行了整流的气体原封不动地从打通的开口流出的构造。从吹出面12a吹出的气体的风量无论在哪个区域都大致恒定。即，在两个处理部100a、100b的杯101之间未产生来自ULPA过滤器12的气体的风量的差别。
[0033]气流控制板50配置于ULPA过滤器12的吹出面12a的下方且是处理部100a、100b的处理空间PS的上方。气流控制板50以包围处理空间PS的正上方的开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气流形成装置，其从液处理部的上方向去向该液处理部的处理空间的下方产生气流，其中，该气流形成装置包括：气体供给部，其将导入的气体从与所述处理空间相对的第1面向下方吹出；以及气流形成部，其在所述第1面的下方且是所述处理空间的上方以包围所述处理空间的正上方的开口部的方式配置，该气流形成部针对从所述第1面吹出到下方的气体在所述开口部的周边形成环状的强气流形成区域，在该强气流形成区域产生有比其外侧的区域强的气流。2.根据权利要求1所述的气流形成装置，其中，所述气流形成部具有以包围所述开口部的方式沿上下方向延伸的环状的壁部和与所述壁部的下端连续并且以与所述第1面相对的方式水平地延伸的底部，所述壁部以在其上端和所述第1面之间形成有狭缝的方式沿所述上下方向延...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木功志郎，川上浩平，矢田健二，安藤和哉，有马裕，宫窪祐允，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：新型
国别省市：