一种半导体生产设备用气体防污染装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种半导体生产设备用气体防污染装置，其特征在于，包括：与储气组件连通的气流管道，气流管道连接缓排组件，储气组件中的气体经过气流管道后经过缓排组件渗透至外部环境；缓排组件包括密封装置和渗透管模组，密封装置密封于气流管道远离储气组件处，渗透管模组一端位于气流管道内，另一端穿过密封装置并由密封装置内伸出，密封装置抵持渗透管模组位于密封装置内的侧壁

【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产设备用气体防污染装置


[0001]本技术涉及半导体生产领域，更具体涉及一种半导体生产设备用气体防污染装置
。

技术介绍

[0002]半导体制程中需要应用气体，以超纯水防静电装置为例，其原理为向高电阻率的超纯水中添加高纯度二氧化碳，在水中产生适量的离子增强超纯水的导电性，从而降低超纯水的电阻率，以防止在晶圆划片制程加工过程中产生静电积聚，有效消除硅屑
、
陶瓷屑的静电吸附，便于超声波清洗干净
。
烘干后二氧化碳挥发，被清洗的物体表面不残留任何杂质，具有不存在二次污染的优势，在半导体制程中多应用于芯片的切割
、
晶圆的划片和清洗，以及光掩模清洗等步骤
。
[0003]由于超纯水防静电装置中需要向超纯水中通入超纯二氧化碳气体，因此超纯水防静电装置对应需要配置储气组件，储气组件具体包括储气装置和供气管路
。
为保证二氧化碳的纯度，需要尽可能地保证上述储气组件的密封效果，但是，储气组件经过长时间的使用难以保证完全的密封状态，存在部分二氧化碳气体逸出并与外界气体发生交换的情况，当外界气体进入储气组件后会对二氧化碳的纯度造成影响，进而对上述划片以及清洗工作造成影响
。
[0004]有鉴于此，有必要对现有技术中的半导体生产设备用储气组件的结构予以改进，以解决上述问题
。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于公开一种半导体生产设备用气体防污染装置，用以解决现有技术中出气组件经过长时间使用存在二氧化碳气体逸出并与外界气体发生气体交换的情况，对二氧化碳的纯度造成影响，进而对半导体及其生产配件的划片及清洗工作造成影响的问题
。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了一种半导体生产设备用气体防污染装置，包括：与储气组件连通的气流管道，所述气流管道连接缓排组件，储气组件中的气体经过所述气流管道后经过所述缓排组件渗透至外部环境；
[0007]所述缓排组件包括密封装置和渗透管模组，所述密封装置密封于所述气流管道远离储气组件处，所述渗透管模组一端位于所述气流管道内，另一端穿过密封装置并由所述密封装置内伸出，所述密封装置抵持所述渗透管模组位于密封装置内的侧壁
。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述渗透管模组包括第一渗透管和第二渗透管，所述第一渗透管穿设于所述密封装置内，所述第二渗透管和第一渗透管的设置数量均为两组，两组所述第一渗透管平行穿设于所述密封装置内，一组所述第二渗透管于气流管道内并且两端与两组所述第一渗透管分别连通，另一组所述第二渗透管于气流管道外并且两端与两组所述第一渗透管远离气流管道一端分别连通，两组所述第二渗透管与两组所述第一
渗透管之间形成无开口的气流腔
。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述渗透管模组包括第一渗透管和第二渗透管，所述第一渗透管设置为两组且平行穿设于所述密封装置内，所述第二渗透管于气流管道外并且两端与两组所述第一渗透管分别连通
。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述第一渗透管为沿密封装置长度方向设置的一字型管，所述第二渗透管为与两个第一渗透管首尾相连的
U
型管
。
[0011]作为本技术的进一步改进，作为本技术的进一步改进，两个所述第一渗透管为相互平行设置的波浪形管，两个所述第一渗透管由所述密封装置两端穿出处之间的距离相等，所述第二渗透管为分别与两个第一渗透管首尾相连的
U
型管
。
[0012]作为本技术的进一步改进，所述密封装置设置为树脂件，所述密封装置沿长度方向均分为两段密封构件，两个所述第一渗透管夹持于两段所述密封构件之间
。
[0013]作为本技术的进一步改进，所述第一渗透管和第二渗透管均选配为具有孔隙的纤维管
。
[0014]作为本技术的进一步改进，所述气流管道远离储气组件一端以及与储气组件相连一端均连接一组缓排组件
。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：首先，通过与储气组件连通的气流管道，将气流管道的管径加工得尽量小，使得气体始终在气流管道中始终保持轻微流动状态，与外界保持连通，以避免储气组件发生漏气而导致与外界气体发生交换的情况发生
。
但是，若储气组件的供气气压发生变化，或机台停机时，外界气体可能由气流管道流入储气组件内而造成气体交换
。
因此，本技术中设计出渗透管模组，当供气气压保持在正常状态时，气体通过渗透管模组渗透至外界，相较于仅设置气流管道的方案有效减小气体浪费
。
若储气组件的供气气压发生变化，或机台停机时，渗透管模组可作为外界与储气组件之间的缓冲区域，令外界气体在气流管道中聚集，当机台气压再次恢复时聚集于渗透管模组的气体可由渗透管模组再次排出，从而有效避免气体交换而导致二氧化碳污染的情况发生
。
[0016]其次，通过由第一渗透管和第二渗透管构成的渗透管模组，第一渗透管安装于密封装置内因此不作为气体渗透的主要部件，气体通过连接于两个第一渗透管之间的第二渗透管渗透至外界，通过对第二渗透管的渗透率进行调整，即可对二氧化碳渗透至外界的速率进行调整，从而更好地实现避免与外界气体发生交换的同时，减少二氧化碳的浪费
。
[0017]最后，通过在气流管道两端分别设置一组缓排组件，在二氧化碳气体由储气组件进入气流管道之前先通过缓排组件降低一次气体流速，当气体由气流管道处流入外界时，再次用过一组缓排组件降低气体的流速，同时当机台内气压下降或停机时，也给反向流入气流管道的外界气体提供两次气体缓冲，进一步避免与外界发生气体交换而导致二氧化碳纯度下降的问题
。
附图说明
[0018]图1为本技术中体现气流管道与缓排组件之间装配关系的结构示意图；
[0019]图2为本技术中体现气流管道以及缓排组件的具体结构爆炸图；
[0020]图3为本技术中用于第一渗透管和第二渗透管的结构示意图；
[0021]图4为本技术一种变形实施方式中第一渗透管和第二渗透管的结构示意图；
[0022]图5为本技术又一种变形实施方式中第一渗透管和第二渗透管的结构示意图
。
具体实施方式
[0023]下面结合附图所示的各实施方式对本技术进行详细说明，但应当说明的是，这些实施方式并非对本技术的限制，本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能
、
方法
、
或者结构上的等效变换或替代，均属于本技术的保护范围之内
。
[0024]参图1至图3所示，为本技术提供的一种半导体生产设备用气体防污染装置，在现有技术中以超纯水防静电装置为例的半导体生产设备的储气组件
(
未示出
)
连接气流管道1，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体生产设备用气体防污染装置，其特征在于，包括：与储气组件连通的气流管道，所述气流管道连接缓排组件，储气组件中的气体经过所述气流管道后经过所述缓排组件渗透至外部环境；所述缓排组件包括密封装置和渗透管模组，所述密封装置密封于所述气流管道远离储气组件处，所述渗透管模组一端位于所述气流管道内，另一端穿过密封装置并由所述密封装置内伸出，所述密封装置抵持所述渗透管模组位于密封装置内的侧壁
。2.
根据权利要求1所述的半导体生产设备用气体防污染装置，其特征在于：所述渗透管模组包括第一渗透管和第二渗透管，所述第一渗透管穿设于所述密封装置内，所述第二渗透管和第一渗透管的设置数量均为两组，两组所述第一渗透管平行穿设于所述密封装置内，一组所述第二渗透管于气流管道内并且两端与两组所述第一渗透管分别连通，另一组所述第二渗透管于气流管道外并且两端与两组所述第一渗透管远离气流管道一端分别连通，两组所述第二渗透管与两组所述第一渗透管之间围成无开口的气流腔
。3.
根据权利要求1所述的半导体生产设备用气体防污染装置，其特征在于：所述渗透管模组包括第一渗透管和第二渗透管，所述第一渗透管设置为两组且平行穿设于所述密封装置内，所述第二渗透管于气流管道外并...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴文海，华斌，
申请(专利权)人：苏州智程半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：