离子束萃取机构及离子注入设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种离子束萃取机构及离子注入设备，包括萃取本体与基座，所述萃取本体具有顶部开口的入射腔室，所述入射腔室的底壁的一部分为萃取面，所述萃取面相对于所述入射腔室的侧壁倾斜设置，且所述萃取面具有一贯穿的萃取孔，以供离子束穿过，所述萃取孔仅允许合适荷质比的离子穿过，可以对离子束起到纯化作用，且所述萃取本体与所述基座可拆卸连接，便于拆装

【技术实现步骤摘要】
离子束萃取机构及离子注入设备


[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种离子束萃取机构及离子注入设备
。

技术介绍

[0002]离子注入是在高真空
、
高压电
、
磁场的复杂系统中，产生电离态掺杂介质并形成具有一定能量的离子束，入射到硅片中进行掺杂的复杂工艺过程
。
磁场中的带电颗粒的回旋半径与磁场和荷质比相关，而只有具有合适荷质比的离子才能被入射到硅片上
。
因此，离子注入机上通常需要一个仅允许具有合适荷质比的离子穿过的离子束萃取机构，以对注入离子束起到纯化的作用
。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种离子束萃取机构及离子注入设备，以便于允许具有合适荷质比的离子穿过
。
[0004]为了达到上述目的，本技术提供了一种离子束萃取机构，包括：
[0005]基座；以及，
[0006]萃取本体，与所述基座可拆卸连接，所述萃取本体具有顶部开口的入射腔室，所述入射腔室的底壁的一部分为萃取面，所述萃取面相对于所述入射腔室的侧壁倾斜设置，且所述萃取面具有一贯穿的萃取孔，以供离子束穿过
。
[0007]可选的，所述基座的安装面上设置有若干第一安装孔，所述萃取本体的一侧壁上设置有若干第二安装孔，所述第一安装孔与所述第二安装孔一一对应，紧固件穿过相对应的所述第一安装孔和所述第二安装孔，以将所述萃取本体与所述基座可拆卸连接
。
[0008]可选的，所述基座的安装面上还设置有若干定位孔，所述萃取本体的外侧壁上设置有若干定位凸起，所述定位孔与所述定位凸起一一对应，所述萃取本体与所述基座连接时，所述定位凸起进入相应的所述定位孔内
。
[0009]可选的，所有所述定位孔均位于所述基座的安装面的一侧，所有所述定位凸起均位于所述萃取本体的外侧壁的一侧
。
[0010]可选的，所述入射腔室内设置有隔离结构，所述隔离结构可拆卸设置于所述入射腔室的内壁上，用于屏蔽多余的离子束
。
[0011]可选的，所述隔离结构包括设置于所述入射腔室的每个内表面上的隔离板，每个所述隔离板之间相互独立，所述萃取面上设置的所述隔离板上具有入射孔，所述入射孔与所述萃取孔对准，且所述入射孔与所述萃取孔的形状和尺寸均相同
。
[0012]可选的，每个所述隔离板均完全覆盖相应的所述内表面
。
[0013]可选的，所述萃取面上设置的所述隔离板的厚度大于其他所述内表面上设置的所述隔离板的厚度
。
[0014]可选的，所述隔离结构的材料为石墨
。
[0015]本技术还提供了一种离子注入设备，包括离子束发生机构及所述离子束萃取机构，所述离子束发生机构用于发出离子束，所述离子束入射至所述离子束萃取机构的入射腔室内，并从所述离子束萃取机构的萃取孔中穿过
。
[0016]在本技术提供的离子束萃取机构及离子注入设备中，包括萃取本体与基座，所述萃取本体具有顶部开口的入射腔室，所述入射腔室的底壁的一部分为萃取面，所述萃取面相对于所述入射腔室的侧壁倾斜设置，且所述萃取面具有一贯穿的萃取孔，以供离子束穿过，所述萃取孔仅允许合适荷质比的离子穿过，可以对离子束起到纯化作用，且所述萃取本体与所述基座可拆卸连接，便于拆装
、
清洗及更换所述萃取本体
。
附图说明
[0017]图1是本技术实施例提供的离子束萃取机构的结构示意图；
[0018]图2是本技术实施例提供的基座的结构示意图；
[0019]图3是本技术实施例提供的萃取本体的结构示意图；
[0020]其中，附图标记为：
[0021]100
‑
离子束萃取机构；
200
‑
基座；
201
‑
第一安装孔；
202
‑
定位孔；
300
‑
萃取本体；
310
‑
入射腔室；
311
‑
萃取孔；
312
‑
萃取面
。
具体实施方式
[0022]下面将结合附图和具体实施例对本技术提出的离子束萃取机构和萃取装置进行详细的描述
。
根据下列描述，本技术的优点和特征将更清楚
。
需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便
、
明晰地辅助说明本技术实施例的目的
。
[0023]图1为本实施例提供的离子束萃取机构
100
的结构图，图2为本实施例提供的基座
200
的结构示意图，图3为本实施例提供的萃取本体
300
的结构示意图
。
如图1～图3所示，所述离子束萃取机构
100
包括萃取本体
300
与基座
200。
所述萃取本体
300
具有顶部开口的入射腔室
310
，所述入射腔室
310
的底壁的一部分为萃取面
312
，所述萃取面
312
相对于所述入射腔室
310
的侧壁以及所述入射腔室
310
的底壁的其余部分倾斜设置，且所述入射腔室
310
的底壁具有一贯穿的萃取孔
311
，以供离子束穿过
。
通过设计所述萃取孔
311
的尺寸及几何形状可以萃取出荷质比可控且均匀的离子束离子，可以对离子束起到纯化作用，控制所述入射腔室
310
的底壁的倾斜角度可以影响所述离子束入射到硅片上的剂量
。
[0024]由于离子注入过程中，离子入射至所述入射腔室
310
内，会对所述入射腔室
310
的内壁造成损伤，影响安全，因此所述离子束萃取机构
100
需要定期更换
。
同时，离子束穿过所述萃取孔
311
时，离子束会撞击到所述萃取孔
311
的内壁，并逐渐留下一些沉积物，如不及时清洁，会对离子束造成污染，因此所述离子束萃取机构
100
需要定期清洗
。
[0025]基于此，本实施例中，所述萃取本体
300
与所述基座
200
可拆卸连接，当所述离子束萃取机构
100
需要更换及清洗时，可以直接将所述萃取本体
300
从所述基座
200
上拆卸下来进行清洗或更换，而无需清洗或更换整个所述离子束萃取机构
100。
[0026]具体而言，如图1及图2所示，所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种离子束萃取机构，其特征在于，包括：基座；以及，萃取本体，与所述基座可拆卸连接，所述萃取本体具有顶部开口的入射腔室，所述入射腔室的底壁的一部分为萃取面，所述萃取面相对于所述入射腔室的侧壁倾斜设置，且所述萃取面具有一贯穿的萃取孔，以供离子束穿过
。2.
如权利要求1所述的离子束萃取机构，其特征在于，所述基座的安装面上设置有若干第一安装孔，所述萃取本体的一侧壁上设置有若干第二安装孔，所述第一安装孔与所述第二安装孔一一对应，紧固件穿过相对应的所述第一安装孔和所述第二安装孔，以将所述萃取本体与所述基座可拆卸连接
。3.
如权利要求1所述的离子束萃取机构，其特征在于，所述基座的安装面上还设置有若干定位孔，所述萃取本体的外侧壁上设置有若干定位凸起，所述定位孔与所述定位凸起一一对应，所述萃取本体与所述基座连接时，所述定位凸起进入相应的所述定位孔内
。4.
如权利要求3所述的离子束萃取机构，其特征在于，所有所述定位孔均位于所述基座的安装面的一侧，所有所述定位凸起均位于所述萃取本体的外侧壁的一侧
。5.
如权利要求1所述的离子束萃取机构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄嘉明，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：