一种显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置，包括：像素单元阵列，具有

【技术实现步骤摘要】
一种显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置
。

技术介绍

[0002]Micro LED/OLED
面板由高密度
LED
像素阵列组成
。
其中每一个
LED
像素的发光都需要单独驱动和点亮，因此需要从面板外部引入电源线来给每一颗
LED
像素的正负极供电，其流入单颗
LED
的电流大小决定了显示亮度
。
如图1所示，传统的电源供电方式中，多个
LED
通道连接至同一电源
AVDD
的输出，输入电流由同一个镜像电路输入，如图1所示的像素单元的电流为
IREF
的镜像电流
。
[0003]由于
Micro LED/OLED
在单芯片面板上集成了多个微小尺寸的
LED
像素阵列，电源线的连接方式垂直交错，当流过电源线上的电流较大时候，电源线上的电阻
R0
也比较很大，导致电阻
R0
上的压降
(IR DROP)
比较大，从而使得电源线上的不同节点的电压不一致，这就使得了流过每一颗像素的
LED
的电流发生了变化，导致亮度不均匀
。

技术实现思路

[0004]为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种显示装置，从而针对现有技术的不足，提供一种用于优化硅基
Micro
‑
LED/OLED
驱动面板亮度均匀性的方案，采用偏置电流源纵向逐行镜像产生参考电流源的方式
。
[0005]本专利技术的显示装置，包括：像素单元阵列，具有
Nx M
个像素单元，即
N
行，
M
列结构，
N,M
为自然数；
N
级电流产生单元，分别与
N
行像素单元一一对应相连；其中，第
i
级电流产生单元根据输入参考电流以电流镜像的方式输出与输入参考电流成比例的偏置电流，提供给第
i
行像素单元；同时，第
N
级电流产生单元也以镜像比例的方式生成第
i+1
级电流产生单元的输入参考电流源；第
N
行像素单元
、
第
n
级电流产生单元的工作电压的电位相同
。
[0006]可选的，所述电流产生单元为电流镜单元
。
[0007]可选的，所述电流镜单元包括一个
NMOS
输入参考电流镜和一个
PMOS
电流镜，所述
NMOS
输入参考电流镜的电流输入连接偏置电流源，电流输出连接
PMOS
电流镜的电流输入，
PMOS
电流镜向对应的像素单元和下一级电流镜单元进行电流输出
。
[0008]可选的，所述的
NMOS
输入参考电流镜包括：第一
NMOS
晶体管，其漏极和栅极相连，为电流输入端，连接偏置电流源，源极接低电平；第二
NMOS
晶体管，其栅极和第一
NMOS
的栅极相连，漏极为电流输出端，源极接低电平
。
[0009]可选的，所述的
PMOS
电流镜包括：第三
PMOS
晶体管，其漏极和栅极相连，为电流输入端，连接第二
NMOS
晶体管的漏极，源极接电压源；第四
PMOS
晶体管，其栅极和第三
PMOS
的栅极相连，漏极为电流输出端，源极接电压源
。
[0010]可选的，所述第一
NMOS
晶体管和第二
NMOS
晶体管的尺寸比例相同，所述第一
PMOS
晶体管和第二
PMOS
晶体管的尺寸比例相同
。
[0011]可选的，所述显示装置为硅基
Micro LED
或
Micro OLED
，所述像素单元包括
LED
发
光器件及其驱动电路
。
[0012]可选的，还包括硅衬底，所述电流镜位于硅衬底，硅衬底上形成有互连层，互连层上形成有所述像素单元层
。
[0013]可选的，所述电流镜位于硅衬底对应像素单元阵列一侧的外围区域
。
[0014]本专利技术的方案实现，与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
[0015]采用逐行镜像的方式，保证了单个
LED
像素电路内部
PMOS
管的
VGS
的大小一致，使得流过每一级的
LED
像素电路的电流密度一致，达到发光均匀的目的
。
附图说明
[0016]图1为传统的显示装置的电路示意图；
[0017]图2为本专利技术一实施例的显示装置结构示意图
。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定
。
显然，本专利技术所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0019]在本申请中，除非另外说明，否则使用“或”意味着“和
/
或”。
此外，术语“包含”以及“包括”和“包括”等其他形式的使用不具限制性
。
另外，除非另外具体地说明，否则例如“元件”或“组件”等术语涵盖包含一个单元的元件和组件以及包含一个以上单元的元件和组件两者
。
[0020]在
MicroLED
或者
MicroOLED
中，都是通过给
LED
像素单元供电，利用其电学辉光特性进行显示
。
由于
Micro LED/OLED
在单芯片面板上集成了多个微小尺寸的
LED
像素阵列，并且由于单芯片面积的限制以及半导体工艺的限制，对于芯片内的电路结构优化也提出了更高的需求，这都使得连接线的布线变得更加复杂，甚至为了电路共用以及性能匹配，电源线变得很长，当流过电源线上的电流较大时候，电源线上的内阻
R0
就会很大，导致内阻
R0
上的压降
(VDROP)
会使得电源线上的电流密度不一致，这就导致了流过每一颗
LED
像素的电流发生了变化，导致亮度不均匀
。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示装置，其特征在于，包括：像素单元阵列，具有
Nx M
个像素单元，即
N
行，
M
列结构，
N,M
为自然数；
N
级电流产生单元，分别与
N
行像素单元一一对应相连；其中，第
i
级电流产生单元根据输入参考电流以电流镜像的方式输出与输入参考电流成比例的偏置电流，提供给第
i
行像素单元；同时，第
N
级电流产生单元也以镜像比例的方式生成第
i+1
级电流产生单元的输入参考电流源；第
N
行像素单元
、
第
n
级电流产生单元的工作电压的电位相同
。2.
根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述电流产生单元为电流镜单元
。3.
根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述电流镜单元包括一个
NMOS
输入参考电流镜和一个
PMOS
电流镜，所述
NMOS
输入参考电流镜的电流输入连接偏置电流源，电流输出连接
PMOS
电流镜的电流输入，
PMOS
电流镜向对应的像素单元和下一级电流镜单元进行电流输出
。4.
根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述的
NMOS
输入参考电流镜包括：第一
NMOS
晶体管，其漏极和栅极相连，为电流输入端，连接偏置电流源，源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃正才，王许鹏，
申请(专利权)人：欣瑞华微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：