一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法及相关设备技术

本申请提供了一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法及相关设备，本申请首先向原基板施加高斯振动信号后，得到振动响应序列，通过对照激光束对原基板的非转移区域的响应层材料进行熔融分解后得到熔融振动响应序列，获取原基板的非的热成像图像集合进行热生长分析确定响应层光吸收功率和响应层热生长因子，再进行振动响应特征比对，确定响应层振动生长因子，进而控制巨量转移振动信号的振动幅值和巨量转移激光的激光功率，通过巨量转移激光对原基板的待转移区域进行熔融后，向原基板施加巨量转移振动信号使得原基板上的

【技术实现步骤摘要】
一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法及相关设备


[0001]本申请涉及二极管显示屏
，并且更具体地，涉及一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法及相关设备，如终端设备
、
芯片
、
计算机存储介质等
。

技术介绍

[0002]微发光二极管显示屏（
Micro Light Emitting Diode Display
， Micro LED
）是由数百万个三色
RGB
芯片组成的，通常来说，受限于外延生长技术，在原基板上同时生长高质量的三色
RGB
芯片极为困难，因此需要将生长在原基板上数百万甚至数千万颗微米级的三色
RGB
芯片通过巨量转移技术，分批次转移到包含驱动电路的显示基板上，实现
RGB
排布
。
[0003]现有的巨量转移技术中，通常采用激光照射原基板上的响应层，从而使得响应层温度上升导致其黏附能力降低，即通过激光照射克服甚至消除上述黏附力使得芯片足以克服表面力转移至显示基板，但这种方式为保证芯片准确到达显示基板上，往往需要原基板与显示基板之间的基板间距很低，但基板间距低时，由于原基板与显示基板之间的挤压模效应而产生板间应力，导致
RGB
芯片在巨量转移过程中损坏
。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法及相关设备，以解决原基板与显示基板之间的挤压模效应产生板间应力，导致
RGB
芯片在巨量转移过程中损坏的技术问题
。
[0005]本申请采用如下技术方案解决上述技术问题：第一方面，本申请提供一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法，该方法可以由网络设备执行，或者，也可以由配置于网络设备中的芯片执行，本申请对此不作限定
。
[0006]具体的，该方法包括：向原基板施加高斯振动信号后，对所述原基板进行振动目标监测，得到振动响应序列；通过对照激光束对所述原基板的非转移区域的响应层材料进行熔融分解，再次对所述原基板施加所述高斯振动信号，并监测得到熔融振动响应序列；获取所述原基板的非转移区域的热成像图像集合，对所述热成像图像集合进行热生长分析确定响应层光吸收功率和响应层热生长因子；根据所述响应层光吸收功率对所述振动响应序列与所述熔融振动响应序列进行振动响应特征比对，确定所述原基板的响应层振动生长因子；根据所述响应层振动生长因子控制巨量转移振动信号的振动幅值，根据所述响应层热生长因子控制巨量转移激光的激光功率；通过所述巨量转移激光对所述原基板的待转移区域进行熔融后，向所述原基板施加巨量转移振动信号使得原基板上的
RGB
芯片转移到显示基板上
。
[0007]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，对所述热成像图像集合进行热生
长分析确定响应层光吸收功率和响应层热生长因子具体包括：对所述热成像图像集合中的各个热成像图像进行灰度化预处理，得到熔融灰度图像集合；获取所述熔融灰度图像集合中各个熔融灰度图像分别对应的熔融质量特征值；对所述熔融灰度图像集合中各个熔融灰度图像分别对应的熔融质量特征值进行拟合，得到熔融质量曲线，进而获取熔融质量曲线的熔融质量临界时刻；将所述熔融质量临界时刻的前一熔融灰度图像作为特征灰度图像，根据所述特征灰度图像确定响应层热生长因子；根据所述熔融质量临界时刻和所述熔融质量曲线，确定所述响应层光吸收功率
。
[0008]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，根据所述特征灰度图像确定响应层热生长因子具体包括：获取所述特征灰度图像对应的熔融质量特征；获取所述特征灰度图像中各个像素点的灰度值；获取所述熔融质量临界时刻；根据所述特征灰度图像中各个像素点的灰度值
、
所述特征灰度图像对应的熔融质量特征和所述熔融质量临界时刻，确定所述响应层热生长因子，具体实现时，所述响应层热生长因子根据下式确定：其中，为所述响应层热生长因子，为所述特征灰度图像对应的熔融质量特征，为所述特征灰度图像中第行第列的像素点灰度值，为所述特征灰度图像中像素点的行数，为所述特征灰度图像中像素点的列数，为熔融质量临界时刻，为归一化系数
。
[0009]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，采用拉个朗日插值法对所述熔融灰度图像集合中各个熔融灰度图像分别对应的熔融质量特征值进行拟合，得到熔融质量曲线
。
[0010]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，根据所述响应层光吸收功率对所述振动响应序列与所述熔融振动响应序列进行振动响应特征比对，确定所述原基板的响应层振动生长因子具体包括：获取所述振动响应序列中的各个监测时刻的振动响应位移值；获取所述熔融振动响应序列中的各个监测时刻的熔融振动响应位移值；获取响应层光吸收功率；根据所述振动响应序列中的各个监测时刻的振动响应位移值
、
所述熔融振动响应序列中的各个监测时刻的熔融振动响应位移值
、
所述对照激光束的激光能量密度，确定所述原基板的响应层振动生长因子，其中，所述原基板的响应层振动生长因子根据下式确定：
其中，为所述响应层振动生长因子，为所述振动响应序列中的第监测时刻对应的振动响应位移值，为所述振动响应序列的序列均值，为所述熔融振动响应序列中的第监测时刻对应的熔融振动响应位移值，为所述熔融振动响应序列的序列均值，为所述熔融振动响应序列中熔融振动响应位移值的数量，为所述振动响应序列中振动响应位移值的数量，为响应层光吸收功率，为监测得到熔融振动响应序列时传感器的监测周期，为所述振动响应序列的方差值，为修正系数
。
[0011]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，对所述原基板进行振动目标监测得到振动响应序列是通过位于原基板表面的加速度计，等间隔对所述原基板表面的板材振荡幅值进行监测，进而得到所述振动响应序列
。
[0012]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，通过对照激光束对所述原基板的非转移区域的响应层材料进行熔融分解之前还包括：获取所述对照激光束的激光波长的临界波长区间，所述对照激光束的激光波长位于临界波长区间内
。
[0013]第二方面，本申请提供一种微发光二极管显示屏巨量转移控制系统，所述微发光二极管显示屏巨量转移控制系统包括：振动响应序列获取模块，用于向原基板施加高斯振动信号后，对所述原基板进行振动目标监测，得到振动响应序列；熔融振动响应序列获取模块，用于通过对照激光束对所述原基板的非转移区域的响应层材料进行熔融分解，再次对所述原基板施加所述高斯振动信号，并监测得到熔融振动响应序列；热生长分析模块，用于获取所述原基板的非转移区域的热成像图像集合，对所述热成像图像集合进行热生长分析确定响应层光吸收功率和响应层热生长因子；响应层振动生长因子确定模块，用于根据所述响应层光吸收功率对所述振动响应序列与所述熔融振动响应序列进行振动响应特征比对，确定所述原基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种微发光二极管显示屏巨量转移控制方法，其特征在于，包括：向原基板施加高斯振动信号后，对所述原基板进行振动目标监测，得到振动响应序列；通过对照激光束对所述原基板的非转移区域的响应层材料进行熔融分解，再次对所述原基板施加所述高斯振动信号，并监测得到熔融振动响应序列；获取所述原基板的非转移区域的热成像图像集合，对所述热成像图像集合进行热生长分析确定响应层光吸收功率和响应层热生长因子；根据所述响应层光吸收功率对所述振动响应序列与所述熔融振动响应序列进行振动响应特征比对，确定所述原基板的响应层振动生长因子；根据所述响应层振动生长因子控制巨量转移振动信号的振动幅值，根据所述响应层热生长因子控制巨量转移激光的激光功率；通过所述巨量转移激光对所述原基板的待转移区域进行熔融后，向所述原基板施加巨量转移振动信号使得原基板上的
RGB
芯片转移到显示基板上
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述热成像图像集合进行热生长分析确定响应层光吸收功率和响应层热生长因子具体包括：对所述热成像图像集合中的各个热成像图像进行灰度化预处理，得到熔融灰度图像集合；获取所述熔融灰度图像集合中各个熔融灰度图像分别对应的熔融质量特征值；对所述熔融灰度图像集合中各个熔融灰度图像分别对应的熔融质量特征值进行拟合，得到熔融质量曲线，进而获取熔融质量曲线的熔融质量临界时刻；将所述熔融质量临界时刻的前一熔融灰度图像作为特征灰度图像，根据所述特征灰度图像确定响应层热生长因子；根据所述熔融质量临界时刻和所述熔融质量曲线，确定所述响应层光吸收功率
。3.
如权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述特征灰度图像确定响应层热生长因子具体包括：获取所述特征灰度图像对应的熔融质量特征；获取所述特征灰度图像中各个像素点的灰度值；获取所述熔融质量临界时刻；根据所述特征灰度图像对应的熔融质量特征
、
所述特征灰度图像中各个像素点的灰度值和所述熔融质量临界时刻，确定所述响应层热生长因子，其中所述响应层热生长因子根据下式确定：其中，为所述响应层热生长因子，为所述特征灰度图像对应的熔融质量特征，为所述特征灰度图像中第行第列的像素点灰度值，为所述特征灰度图像中像素点的行数，为所述特征灰度图像中像素点的列数，为熔融质量临界时刻，为归一化系数
。
4.
如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用拉格朗日插值法对所述熔融灰度图像集合中各个熔融灰度图像分别对应的熔融质量特征值进行拟合，得到熔融质量曲线
。5.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述响应层光吸收功率对所述振动响应序列与所述熔融振动响应序列进行振动响应特征比对，确定所述原基板的响应层振动生长因子具体包括：获取所述振动响应序列中的各个监测时刻的振动响应位移值；获取所述熔融振动响应序列中的各个监测时刻的熔融振动响应位移值；获取响应层光吸收功率；根据所述振动响应序列中的各个监测时刻的振动响应位移值

【专利技术属性】
技术研发人员：戴志明，曾银海，邱堂兵，王超，李勇，
申请(专利权)人：深圳蓝普视讯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：