【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于栅极控制的功率开关处的短路的快速短路检测的方法和设备
[0001]本专利技术涉及一种用于检测栅极控制的功率开关
(
特别是碳化硅或氮化镓
MOSFET)
处的短路的方法和设备
。
[0002]存在用于检测栅极控制的功率开关处的短路的不同种类的常规检测方法
。
[0003]利用传统的饱和检测方法,通过二极管感测
MOSFET
的漏极端子和源极端子之间的漏极源极电压
。
当在接通瞬态期间感测到的漏极电压没有下降到其饱和电压时,可以检测到故障
。
这种检测需要相对仔细的设计,并且高度依赖于温度
。
在
MOSFET
的情况下还需要饱和,而在
IGBT
的情况下还需要去饱和
。
[0004]在高电感短路的情况下,这种常规方法难以良好地工作
。
[0005]另一种常规检测方法包括通过将栅极处的栅极电荷与栅极控制的功率开关的栅极和源极端子之间的栅极源极电压进行比较来检测短路
。
例如,可以通过使用电流镜结构感测栅极电流或测量栅极电阻两端的电压降来获取栅极电荷
。
此外,这种常规方法需要校准并且实施起来相当复杂
。
[0006]短路检测的另一种可能的方式是执行流动电流的直流测量,然而,这对功率回路具有影响并且实施起来也不容易
。
此外,短路检测的这种方式实施起来是庞大且昂贵的
。
[0007] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于栅极控制的功率开关
(4)
处的短路检测的短路检测设备
(1)
,所述设备
(1)
包括
‑
测量电路
(2)
,其用于响应于沿着所述栅极控制的功率开关
(4)
的杂散电感
L
S
的电压降
Δ
V
LS
而生成测量信号
V
LS,m
,以及
‑
短路检测信号生成电路
(3)
,其用于在所述测量信号
V
LS,m
超过基准电压
V
ref
并且所述栅极控制的功率开关
(4)
处于接通状态的情况下生成短路检测信号
V
SC
。2.
根据权利要求1所述的短路检测设备,其中,所述测量电路
(2)
连接到集成在封装中的所述栅极控制的功率开关
(4)
,所述栅极控制的功率开关
(4)
包括
Kelvin
源极引脚
(S')
,该
Kelvin
源极引脚
(S')
用于通过所述短路检测设备
(1)
的所述测量电路
(2)
分接沿着所述栅极控制的功率开关
(4)
的所述杂散电感
L
S
的所述电压降
。3.
根据权利要求1所述的短路检测设备,其中,所述测量电路
(2)
连接到所述栅极控制的功率开关
(4)
的所述
Kelvin
源极引脚
(S")
和源极引脚
(S)。4.
根据前述权利要求1至3中任一项所述的短路检测设备,其中,所述栅极控制的功率开关
(4)
包括
MOSFET
,特别是
SiC MOSFET
或
GaN MOSFET
或
HEMT。5.
根据前述权利要求1至4中任一项所述的短路检测设备,其中,所述短路检测信号生成电路
(3)
包括比较器电路
(3A)
,所述比较器电路
(3A)
用于将由所述测量电路
(2)
生成的测量信号
V
LS,m
与所述基准电压
V
ref
进行比较,以生成比较器输出信号
V
LS,c
。6.
根据前述权利要求1至5中任一项所述的短路检测设备,其中,所述短路检测信号生成电路
(3)
包括使能短路
SC
检测电路
(3B)
,所述使能短路
SC
检测电路
(3B)
具有:分压器电路
(31)
,其用于测量由栅极驱动器电路
(5)
输出并供应给所述栅极控制的功率开关
(4)
的栅极端子
(G)
的栅极控制信号
V
G
的输出电压,以提供测量的栅极电压
V
G,m
,信号延迟电路
(32)
,其用于以延迟时间
t
del
延迟所述测量的栅极电压
V
G,m
,以提供短路检测使能信号
V
SC,en
,并且具有逻辑门
(33)
,其中,在所述逻辑门
(33)
被从所述信号延迟电路
(32)
接收的所述短路检测使能信号
V
SC,en
使能的情况下,由所述比较器电路
(3A)
输出的所述比较器输出信号
V
LS,c
经由所述逻辑门
(33)
作为所述短路检测信号
V
SC
被供应给所述栅极驱动器电路
(5)
的输入端
(SC)。7.
根据权利要求6所述的短路检测设备,其中,所生成的短路检测信号
V
SC
被供应给所述栅极驱动器电路
(5)
的输入端
(SC)
,以在关断时段内触发所述栅极驱动器电路
(5)
对所述栅极控制的功率开关
(4)
的自动关断
。8.
根据权利要求7所述的短路检测电路,其中,由所述栅极驱动器电路
(5)
输出并经由栅极电阻器施加到所述栅极控制的功率开关
(4)
的栅极端子
(G)
的栅极控制信号
V
G
的输出电压,借助于形成所述短路检测信号生成电路
(3)
的一部分的所述使能短路
SC
检测电路
(3B)
的所述分压器电路...
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