基板处理装置制造方法及图纸

本公开提供一种基板处理装置

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法以及存储介质


[0001]本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]在专利文献1中公开了一种去除基板的背面的去除对象物的基板处理方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
21026号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种能够从基板的形成有膜的背面适当地去除异物的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本公开的一个方面所涉及的基板处理装置具备：膜处理部，其执行规定的处理，该规定的处理包括基板的表面的抗蚀膜的形成；以及搬入搬出部，其相对于膜处理部进行基板的搬入和搬出。膜处理部具有：膜形成部，其对基板的表面供给第一处理液来在基板的表面形成抗蚀膜；膜去除处理部，其对形成于基板的与表面相反一侧的背面的背面膜供给用于去除背面膜的第二处理液；以及异物去除处理部，其在使刷子接触了通过膜去除处理部被进行处理后的基板的背面的状态下，使刷子沿基板的背面移动。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据本公开，提供一种能够从基板的形成有膜的背面适当地去除异物的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
附图说明
[0012]图1是示意性地示出基板处理系统的一例的立体图。
[0013]图2是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
[0014]图3是示意性地示出液处理单元的一例的侧视图。
[0015]图4是示出背面形成有膜的工件的截面的一例的示意图。
[0016]图5是示意性地示出第一背面处理单元的一例的侧视图。
[0017]图6是示意性地示出第二背面处理单元的一例的俯视图。
[0018]图7是示意性地示出第二背面处理单元的一例的侧视图。
[0019]图8是示出基板处理方法的一例的流程图。
[0020]图9是示出异物去除处理的一例的流程图。
[0021]图10的(a)及图10的(b)是例示异物去除处理的情形的示意图。
[0022]图11的(a)及图11的(b)是例示异物去除处理的情形的示意图。
[0023]图12的(a)及图12的(b)是例示异物去除处理的情形的示意图。
[0024]图13是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
[0025]图14是示出基板处理方法的一例的流程图。
[0026]图15是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
[0027]图16是示意性地示出研磨单元的一例和清洗单元的一例的侧视图。
[0028]图17是示意性地示出涂布显影装置的一例的侧视图。
[0029]图18是示意性地示出减少膜形成单元的一例的侧视图。
[0030]图19是示出基板处理方法的一例的流程图。
[0031]图20的(a)、图20的(b)以及图20的(c)是例示减少膜形成的情形的示意图。
[0032]图21是示出基板处理方法的一例的流程图。
具体实施方式
[0033]下面，参照附图对一个实施方式进行说明。在说明中，对同一要素或具有同一功能的要素标注相同的标记，并且省略重复的说明。在一部分附图中，示出由X轴、Y轴以及Z轴规定的正交坐标系。在以下的实施方式中，Z轴与铅垂方向对应，X轴及Y轴与水平方向对应。Z轴正方向与铅垂向上对应，Z轴负方向与铅垂向下对应。
[0034][第一实施方式][0035]首先，参照图1～图12来说明第一实施方式所涉及的基板处理系统。图1所示的基板处理系统1(基板处理装置)是对工件W实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光以及该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的工件W例如是基板、或者通过被实施规定的处理而形成有膜或电路等的状态的基板。作为一例，该基板为硅晶圆。工件W(基板)可以为圆形。工件W可以是玻璃基板、掩模基板或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。
[0036]在工件W的缘部存在斜面(倒角)的情况下，本公开中的工件W的“表面”还包括从工件W的表面侧观察时的斜面部分，工件W的“背面”还包括从工件W的背面侧观察时的斜面部分。工件W的表面(下面，记载为“表面Wa”。)是工件W的一对主面中的形成感光性覆膜的主面。工件W的背面(下面，记载为“背面Wb”。)是上述一对主面中的与表面Wa相反一侧的主面。感光性覆膜例如是抗蚀膜。
[0037]如图1和图2所示，基板处理系统1具备涂布显影装置2、曝光装置3以及控制装置100。曝光装置3是对形成于工件W(基板)的抗蚀膜(感光性覆膜)进行曝光的装置。具体地说，曝光装置3通过浸没曝光等方法对抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。能量射线例如可以是电离辐射或非电离辐射等。
[0038]涂布显影装置2(基板处理装置)在通过曝光装置3被进行曝光处理之前进行在工件W的表面Wa形成抗蚀膜的处理。涂布显影装置2例如向工件W的表面Wa涂布抗蚀剂来在工件W的表面Wa形成抗蚀膜。涂布显影装置2除了形成抗蚀膜的处理以外，还可以在曝光处理之后进行抗蚀膜的显影处理。通过曝光装置3选择性地对显影处理前的抗蚀膜的曝光对象部分照射能量射线。涂布显影装置2例如具备承载件块4、处理块5以及接口块6。
[0039]承载件块4进行工件W向涂布显影装置2内的导入以及工件W从涂布显影装置2内的导出。承载件块4例如能够支承工件W用的多个承载件C，并且内置有包括交接臂的搬送装置A1。承载件C例如收容多张圆形的工件W。搬送装置A1将工件W从承载件C取出并传递到处理
块5，并从处理块5接受工件W将其送回到承载件C内。像这样，包括搬送装置A1的承载件块4向处理块5搬入工件W，从处理块5搬出工件W。处理块5具有处理模块11、12、13、14。
[0040]处理模块11内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块11利用液处理单元U1和热处理单元U2在工件W的表面Wa上形成下层膜。液处理单元U1向工件W的表面Wa供给用于形成下层膜的处理液，并将该处理液涂布于工件W的表面Wa上。热处理单元U2进行伴随下层膜的形成所要进行的各种热处理。
[0041]处理模块12内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块12利用液处理单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀膜。液处理单元U1向工件W的表面Wa供给用于形成抗蚀膜的处理液，并将该处理液涂布于下层膜上。热处理单元U2进行伴随抗蚀膜的形成所要进行的各种热处理。处理模块12中的液处理单元U1和热处理单元U2作为用于在工件W的表面Wa形成抗蚀膜的抗蚀膜形成部发挥功能。
[0042]处理模块13内置有液处理单元U1、热处理单元U2以及向这些单元搬送工件W的搬送装置A3。处理模块13利用液处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，具备：膜处理部，其执行规定的处理，该规定的处理包括基板的表面的抗蚀膜的形成；以及搬入搬出部，其相对于所述膜处理部进行所述基板的搬入和搬出，其中，所述膜处理部具有：抗蚀膜形成部，其在所述基板的表面形成所述抗蚀膜；膜去除处理部，其对形成于所述基板的与表面相反一侧的背面的背面膜供给用于去除所述背面膜的处理液；以及异物去除处理部，其在使刷子接触了通过所述膜去除处理部被进行处理后的所述基板的背面的状态下，使所述刷子沿所述基板的背面移动。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述刷子是清洗用的刷子，所述异物去除处理部在使与所述清洗用的刷子相分别的研磨用的刷子接触了所述基板的背面的状态下，使所述研磨用的刷子沿所述基板的背面移动，由此对所述基板的背面进行研磨，所述异物去除处理部在对所述基板的背面进行研磨之后，在使所述清洗用的刷子接触了所述基板的背面的状态下，使所述清洗用的刷子沿所述基板的背面移动，由此对所述基板的背面进行清洗。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述膜去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，对所述基板的背面供给所述处理液。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述异物去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，执行将所述基板的背面的异物去除的处理。5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，还具备翻转处理部，所述翻转处理部使所述基板的背面上下翻转，所述异物去除处理部对通过所述翻转处理部进行翻转后的所述基板执行处理，所述异物去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝上的方式保持的状态下，执行将所述基板的背面的异物去除的处理。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述膜去除处理部在将所述基板以所述基板的背面朝下的方式保持的状态下，对所述基板的背面供给所述处理液，所述翻转处理部使通过所述膜去除处理部被进行处理后的所述基板的背面上下翻转。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，还具备第二翻转处理部，所述第二翻转处理部使通过所述异物去除处理部被进行处理后的所述基板的背面上下翻转。8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，在由所述抗蚀膜形成部在所述基板的表面形成所述抗蚀膜之后且对所述基板实施曝光处理之前，所述膜去除处理部和所述异物去除处理部对所述基板的背面执行处理。9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述基板被搬入到所述膜处理部之后且由所述抗蚀膜形成部在所述基板的表面形成所述抗蚀膜之前，所述膜去除处理部和所述异物去除处理部对所述基板的背面执行处理。10.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述抗蚀膜形成部对所述基板的表面供给用于形成所述抗蚀膜的其它处理液，来在所述基板的表面形成所述抗蚀膜，所述基板处理装置还具备：第一排液线路，其从所述抗蚀膜形成部中的用于利用所述其它处理液来进行处理的第一处理空间向所述基板处理装置的外部排出所述其它处理液；第一排气线路，其将所述第一处理空间内的气体排出到所述基板处理装置的外部；第二排液线路，其与所述第一排液线路相互独立，从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤好友，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：