发热体制造技术

本申请公开了一种发热体

【技术实现步骤摘要】
发热体、雾化组件及电子雾化装置


[0001]本申请涉及雾化
，尤其涉及一种发热体
、
雾化组件及电子雾化装置
。

技术介绍

[0002]典型的电子雾化装置由发热体
、
电池和控制电路等部分组成，发热体作为电子雾化装置的核心元件，其特性决定了电子雾化装置的雾化效果和使用体验
。
[0003]现有的发热体在强腐蚀性的气溶胶生成基质中存在腐蚀风险，使用寿命较低
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种发热体
、
雾化组件及电子雾化装置，以解决现有技术中发热体寿命较低的技术问题
。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种发热体，应用于电子雾化装置，用于雾化气溶胶生成基质，包括：导液基体
、
发热材料层
、
第一保护膜和第二保护膜；所述导液基体包括发热区域和电极区域；所述发热材料层设于所述导液基体的第一表面；所述发热材料层为电阻发热材料，包括位于所述发热区域的发热部和位于所述电极区域的连接部；所述第一保护膜至少部分设于所述发热部远离所述导液基体的表面；所述第一保护膜的材料为耐所述气溶胶生成基质腐蚀的非导电材料；所述第二保护膜至少部分设于所述连接部远离所述导液基体的表面；所述第二保护膜的材料为耐所述气溶胶生成基质腐蚀的导电材料
。
[0006]在一实施方式中，所述第一保护膜的材料为陶瓷或玻璃
。
[0007]在一实施方式中，所述第一保护膜的材料为陶瓷；所述陶瓷的材料为氮化铝
、
氮化硅
、
氧化铝
、
氧化硅
、
碳化硅
、
氧化锆中的一种或多种
。
[0008]在一实施方式中，所述第一保护膜的厚度为
10nm
‑
1000nm。
[0009]在一实施方式中，所述第二保护膜的材料为导电陶瓷或金属
。
[0010]在一实施方式中，所述第二保护膜的材料为导电陶瓷，所述导电陶瓷的材料为氮化钛
、
二硼化钛中的一种或多种
。
[0011]在一实施方式中，所述第二保护膜的厚度为
10nm
‑
2000nm。
[0012]在一实施方式中，所述导液基体为致密导液基体；所述导液基体还包括与所述第一表面相对设置的第二表面，所述导液基体具有多个第一微孔，所述第一微孔为贯穿所述第一表面和所述第二表面的有序通孔
。
[0013]在一实施方式中，所述导液基体的材料为石英或玻璃或致密陶瓷，所述第一微孔为直通孔
。
[0014]在一实施方式中，所述导液基体的材料为多孔陶瓷，所述导液基体具有多个无序的通孔；
[0015]或，所述导液基体包括层叠设置的多孔陶瓷层和致密陶瓷层，所述致密陶瓷层具有多个与所述导液基体的厚度方向垂直的有序的直通孔；所述发热材料层设于所述致密陶
瓷层远离所述多孔陶瓷层的表面
。
[0016]在一实施方式中，所述发热材料层为发热膜，所述发热膜的厚度为
200nm
‑5μ
m。
[0017]在一实施方式中，所述发热材料层的电阻率小于
0.06*10
‑6Ω
·
m。
[0018]在一实施方式中，所述发热材料层的材料为铝
、
铜
、
银
、
金
、
镍
、
铬
、
铂
、
钛
、
锆
、
钯
、
铁或其合金
。
[0019]在一实施方式中，所述发热材料层的厚度为5μ
m
‑
100
μ
m
，所述发热材料层为印刷的金属浆料层
。
[0020]在一实施方式中，所述导液基体为平板状
、
弧形状或筒状
。
[0021]在一实施方式中，所述第一保护膜覆盖整个所述发热部，所述第二保护膜覆盖整个所述连接部
。
[0022]在一实施方式中，所述导液基体为圆筒状，所述导液基体包括内表面和外表面，所述发热材料层设置在所述内表面或所述外表面
。
[0023]在一实施方式中，所述发热材料层
、
所述第一保护膜和所述第二保护膜通过物理气相沉积或化学气相沉积的方式形成于所述导液基体的所述第一表面
。
[0024]在一实施方式中，所述发热材料层的所述连接部与所述第二保护膜构成电极
。
[0025]在一实施方式中，所述第一微孔为直通孔，所述发热材料层
、
所述第一保护膜延伸进所述第一微孔的壁面
。
[0026]为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种雾化组件，包括：储液腔和发热体；所述储液腔用于存储液态气溶胶生成基质；所述发热体为上述任意一项所述的发热体；所述发热体与所述储液腔流体连通
。
[0027]为了解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种电子雾化装置，包括雾化组件和电源组件，所述雾化组件为上述所述的雾化组件，所述电源组件与所述发热体电连接
。
[0028]本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请公开了一种发热体
、
雾化组件及电子雾化装置，发热体包括导液基体
、
发热材料层
、
第一保护膜和第二保护膜；导液基体包括发热区域和电极区域；发热材料层设于所述导液基体的第一表面，且包括位于发热区域的发热部和位于电极区域的连接部；第一保护膜设于发热部远离导液基体的表面；第一保护膜的材料为耐气溶胶生成基质腐蚀的非导电材料；第二保护膜，设于连接部远离导液基体的表面；第二保护膜的材料为耐气溶胶生成基质腐蚀的导电材料
。
通过对发热材料层的发热区域和电极区域采用不同的保护膜进行保护，防止发热材料层被气溶胶生成基质腐蚀，利于提升发热材料层的使用寿命
。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图
。
[0030]图1是本申请实施例提供的电子雾化装置的结构示意图；
[0031]图2是本申请实施例提供的电子雾化装置的雾化组件的结构示意图；
[0032]图
3a
是本申请提供的发热体的第一实施方式结构示意图；
[0033]图
3b
是图
3a本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种发热体，应用于电子雾化装置，用于雾化气溶胶生成基质，其特征在于，包括：导液基体，包括发热区域和电极区域；发热材料层，设于所述导液基体的第一表面；所述发热材料层为电阻发热材料，包括位于所述发热区域的发热部和位于所述电极区域的连接部；第一保护膜，至少部分设于所述发热部远离所述导液基体的表面；所述第一保护膜的材料为耐所述气溶胶生成基质腐蚀的非导电材料；第二保护膜，至少部分设于所述连接部远离所述导液基体的表面；所述第二保护膜的材料为耐所述气溶胶生成基质腐蚀的导电材料
。2.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第一保护膜的材料为陶瓷或玻璃
。3.
根据权利要求2所述的发热体，其特征在于，所述第一保护膜的材料为陶瓷；所述陶瓷的材料为氮化铝
、
氮化硅
、
氧化铝
、
氧化硅
、
碳化硅
、
氧化锆中的一种或多种
。4.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第一保护膜的厚度为
10nm
‑
1000nm。5.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第二保护膜的材料为导电陶瓷或金属
。6.
根据权利要求5所述的发热体，其特征在于，所述第二保护膜的材料为导电陶瓷，所述导电陶瓷的材料为氮化钛
、
二硼化钛中的一种或多种
。7.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第二保护膜的厚度为
10nm
‑
2000nm。8.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述导液基体为致密导液基体；所述导液基体还包括与所述第一表面相对设置的第二表面，所述导液基体具有多个第一微孔，所述第一微孔为贯穿所述第一表面和所述第二表面的有序通孔
。9.
根据权利要求8所述的发热体，其特征在于，所述导液基体的材料为石英或玻璃或致密陶瓷，所述第一微孔为直通孔
。10.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述导液基体的材料为多孔陶瓷，所述导液基体具有多个无序的通孔；或，所述导液基体包括层叠设置的多孔陶瓷层和致密陶瓷层，所述致密陶瓷层具有多个与所述导液基体的厚度方向垂直的有序的直通孔；所述发热材料层设于所述致密陶瓷层远离所述多孔陶瓷层的表面
。11.
根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述发热材料层为发热膜，所述发热膜的厚度为
200nm

【专利技术属性】
技术研发人员：吕铭，汪唯，朱明达，黄容基，冯建明，
申请(专利权)人：深圳麦克韦尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：