静电衬底清洁系统及方法技术方案

本发明专利技术公开一种衬底清洁系统，其包含腔室及定位于所述腔室内的衬底台

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电衬底清洁系统及方法
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请根据
35U.S.C.
§
119(e)
要求
2021
年5月7日申请的第
63/185,365
号美国临时专利申请的权利，所述美国临时专利申请的全文以引用方式并入本文中
。


[0003]本专利技术大体上涉及晶片清洁，且更特定来说，涉及一种用于静电清洁硅晶片的设备及方法
。

技术介绍

[0004]硅晶片通常通过化学溶剂或振动技术
(
例如超声波或兆声波清洁
)
来清洁
。
化学溶剂使用起来可能危险且损坏晶片，而振动技术通常需要大型昂贵工具
。
另外，两种方法通常导致低吞吐量
。
因而，提供一种系统及方法来弥补上文所识别的方法的缺点将为有利的
。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一或多个说明性实施例，公开一种衬底清洁系统
。
在一个说明性实施例中，所述衬底清洁系统包含腔室
。
在另一说明性实施例中，所述衬底清洁系统包含定位于所述腔室内且经配置以固定衬底用于清洁的衬底台
。
在另一说明性实施例中，所述衬底清洁系统包含机器人，其中所述机器人经配置以在存储容器与所述腔室内的所述衬底台之间转移所述衬底
。
在另一说明性实施例中，所述衬底清洁系统包含清洁头，其中所述清洁头包含装载于滚轮组合件上的抛弃式电极带
。
在另一说明性实施例中，所述抛弃式电极带包含正电极及负电极，其中所述抛弃式电极经配置以通过从所述衬底静电移除粒子来静电清洁所述衬底
。
在另一说明性实施例中，所述滚轮组合件经配置以在所述衬底清洁之后推进所述抛弃式电极带
。
[0006]根据本公开的一或多个说明性实施例，公开一种设备
。
在一个说明性实施例中，所述衬底清洁设备包含滚轮组合件
。
在另一说明性实施例中，所述衬底清洁设备包含装载于所述滚轮组合件上的抛弃式电极带
。
在另一说明性实施例中，所述抛弃式电极带包含正电极及负电极
。
在另一说明性实施例中，所述抛弃式电极带经配置以通过从衬底静电移除粒子来静电清洁所述衬底
。
在另一说明性实施例中，所述滚轮组合件经配置以在所述衬底清洁之后推进所述抛弃式电极带
。
[0007]根据本公开的一或多个说明性实施例，公开一种清洁衬底的方法
。
在一个说明性实施例中，所述方法可包含
(
但不限于
)
将衬底从衬底存储容器转移到真空室内的衬底台
。
在另一说明性实施例中，所述方法可包含
(
但不限于
)
用所述衬底台将所述衬底致动到清洁头下方的位置
。
在另一说明性实施例中，所述方法可包含
(
但不限于
)
用清洁升降组合件将所述衬底致动到所述衬底上方的选定清洁距离
。
在另一说明性实施例中，所述方法可包含
(
但不限于
)
启动抛弃式电极带以通过从所述衬底移除粒子来静电清洁所述衬底的表面，其中所述抛弃式电极带是通过在正电极与负电极之间施加偏压电压来启动
。
在另一说明性实
施例中，所述方法可包含
(
但不限于
)
推进滚轮以暴露所述抛弃式电极带的未使用部分
。
[0008]应理解，以上一般描述及以下详细描述两者仅具示范性及阐释性且未必限制所要求的专利技术
。
并入本说明书中且构成本说明书的部分的附图说明本专利技术的实施例且与一般描述一起用于阐释本专利技术的原理
。
附图说明
[0009]所属领域的技术人员可通过参考附图来更好地理解本公开的许多优点
。
[0010]图
1A
说明根据本公开的一或多个实施例的衬底清洁系统的简化示意端视图
。
[0011]图
1B
说明与衬底处置系统集成的衬底清洁系统的简化俯视图
。
[0012]图2说明根据本公开的一或多个实施例的抛弃式清洁带的示意图
。
[0013]图3说明根据本公开的一或多个实施例的并入衬底清洁系统的系统的概念框图
。
[0014]图4说明说明根据本公开的一或多个实施例的清洁衬底的方法的流程图
。
具体实施方式
[0015]已相对于某些实施例及其特定特征来特别展示及描述本公开
。
本文中所阐述的实施例应被视为具说明性而非限制性
。
所属领域的一般技术人员应容易明白，可在不背离本公开的精神及范围的情况下对形式及细节作出各种改变及修改
。
现详细参考附图中所说明的公开主题
。
[0016]本专利技术的实施例针对一种衬底清洁系统及工艺
。
例如，本公开的实施例针对一种用于清洁半导体制造系统
、
晶片检验系统或晶片计量系统内的经处理及
/
或毛坯硅晶片的衬底清洁系统及工艺
。
在此意义上，本公开的衬底清洁系统及工艺可与半导体制造系统
、
晶片检验系统或晶片计量系统集成
。
例如，本公开的清洁系统可在晶片制造设施中实施以清洁在线生产晶片或可在晶片制造厂中实施以清洁毛坯晶片
。
本公开的衬底清洁系统及工艺可利用抛弃式电极带清洁衬底以引发基于介电泳的清洁工艺，其引起给定衬底上的粒子在由抛弃式电极带形成的电场梯度的方向上移动远离衬底
。
[0017]图
1A
到
1B
说明根据本公开的一或多个实施例的衬底清洁系统
100
的简化示意图
。
图
1A
说明衬底清洁系统
100
的简化示意端视图
。
图
1B
说明与衬底处置系统
120
集成的衬底清洁系统
100
的简化俯视图
。
[0018]在实施例中，清洁系统
100
包含清洁站
101。
清洁站
101
包含清洁头
102。
清洁头可包含装载于滚轮组合件
105
上的抛弃式电极带
104。
滚轮组合件
105
可包含一或多个滚轮
106a、106b。
在实施例中，抛弃式电极带
104
包含正电极及负电极
。
抛弃式电极带可经配置以通过从衬底
110
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种衬底清洁系统，其包括：腔室；衬底台，其定位于所述腔室内且经配置以固定衬底用于清洁；及清洁头，其中所述清洁头包含装载于滚轮组合件上的抛弃式电极带，其中所述抛弃式电极带包含正电极及负电极，其中所述抛弃式电极带经配置以通过从所述衬底静电移除粒子来静电清洁所述衬底，其中所述滚轮组合件经配置以在所述衬底清洁之后推进所述抛弃式电极带
。2.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其进一步包括：衬底处置子系统，其中所述衬底处置子系统包含机器人，其中所述机器人经配置以在存储容器与所述腔室内的所述衬底台之间转移所述衬底
。3.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其中所述静电清洁所述衬底是经由介电泳执行，其中所述粒子在由所述抛弃式电极带形成的电场梯度的方向上移动远离所述衬底
。4.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其中安置于所述衬底上的粒子脱离所述衬底且由所述抛弃式电极带收集
。5.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其中所述存储容器包括前开式晶圆传送盒
(FOUP)。6.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其中所述衬底台经配置以将所述衬底致动到所述清洁头下方的位置
。7.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其进一步包括清洁头升降致动器及接近度传感器
。8.
根据权利要求7所述的衬底清洁系统，其中所述清洁头升降致动器经配置以将所述清洁头降低到所述衬底上方的选定清洁距离，其中所述接近度传感器经配置以识别何时达到所述清洁头与所述衬底的顶面之间的所述选定清洁距离
。9.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其进一步包括控制器，其中所述控制器包含一或多个处理器及存储器，其中一或多个程序指令保存于所述存储器中，其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器：指导所述机器人在存储容器与所述腔室内的所述衬底台之间转移所述衬底
。10.
根据权利要求1所述的衬底清洁系统，其中所述一或多个程序指令经配置以引起所述一或多个处理器：指导所述清洁头升降致动器将所述清洁头降低到所述衬底上方的选定清洁距离
。11.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：