均因增粘剂层而具有提高的可靠性的电子器件模块和器件模块制造技术

本公开涉及均因增粘剂层而具有提高的可靠性的电子器件模块和器件模块。一种电子器件模块(10)，包括：包括开口(1A)的核心层(1)；设置在该开口(1A)中的电子器件(2)，核心层(1)和电子器件(2)中的一者或两者至少部分地被增粘剂层(3)覆盖；以及至少部分地内嵌核心层(1)和电子器件(2)的包封剂层(4)。电子器件(2)的包封剂层(4)。电子器件(2)的包封剂层(4)。

【技术实现步骤摘要】
均因增粘剂层而具有提高的可靠性的电子器件模块和器件模块


[0001]本公开涉及电子器件模块、用于制作电子器件模块的方法、器件模块和用于制作器件模块的方法。

技术介绍

[0002]在刚刚过去的十几年里，人们开展了很多关于将无源部件和有源半导体管芯嵌入到PCB或封装载体系统当中的活动。一些低压使用情况已经找到了生产途径，因为嵌入与模块或分立封装解决方案相比提供了额外的价值，诸如紧凑性(功率密度)、短引线长度(使得寄生电感显著降低)、良好的热管理和显著提高的功率循环能力。还可以看出，这些益处对于具有高达1200V的高电压的功率应用，尤其是对于快速切换应用(>20kHz)而言同样具有吸引力。然而，在当今来看如何完成芯片嵌入时，一些现有的阻碍点必须首先得以解决，因为将来要考虑1700V、2000V乃至更高的峰值电压。
[0003]当前的芯片嵌入工艺不符合高压应用要求。对于650V(乃至更低)器件而言，用于芯片嵌入的当前PCB材料的击穿电压、离子杂质水平(钠、氯等)和总可靠性是有限的。其他问题中的一个还在于聚合物层(比如预浸料层)与PCB核心层的有限的粘合性以及这些层相互之间的可能的局部分层，并且在存在器件(比如半导体器件)的情况下还有预浸料层与半导体器件的分层。
[0004]出于这些和其他原因，存在对本公开的需求。

技术实现思路

[0005]本公开的第一方面涉及一种电子器件模块，其包括：包括开口的核心层；设置在该开口中的电子器件，核心层和电子器件之一或两者至少部分地被增粘剂层(adhesion promoter layer)覆盖；以及至少部分地内嵌核心层和电子器件的包封剂层。
[0006]本公开的第二方面涉及一种用于制作电子器件模块的方法，该方法包括：提供包括开口的核心层；提供电子器件；至少部分地在核心层和电子器件之一或两者上沉积增粘剂层；将该电子器件置于该开口中；以及至少部分地由包封剂层内嵌该电子器件和该核心层。
[0007]本公开的第三方面涉及一种模块，其包括：核心层，该核心层至少部分地被增粘剂层覆盖；以及至少部分地内嵌该核心层的包封剂层。
[0008]本公开的第四方面涉及一种用于制作模块的方法，该方法包括：提供核心层；至少部分地在该核心层上沉积增粘剂层；至少部分地用包封剂层内嵌该核心层。
附图说明
[0009]包含附图是为了提供对实施例的进一步理解，并且附图被并入本说明书并构成其部分。附图对实施例进行例示，并且连同文字描述一起起着解释实施例的原理的作用。其他
实施例以及实施例的预期优势中的很多优势都将被容易地认识到，因为通过参考下文的详细描述它们将得到更好的理解。
[0010]附图中的元件未必是相对于彼此按比例绘制的。类似的附图标记表示对应的类似部分。
[0011]图1示出了根据第一方面的电子器件模块的示例。
[0012]图2包括图2A和图2B并且示出了包括单Al2O3层的增粘剂层的第一示例(A)和包括由Al2O3层和AlOOH层构成的层堆叠体的增粘剂层的第二示例(B)的截面图。
[0013]图3示出了用于制作根据第一方面的电子器件模块的根据第二方面的方法的流程图。
[0014]图4包括图4A到图4F并且示出了说明用于制作根据第一方面的电子器件模块的根据第二方面的方法的示例的透视图和截面侧视图。
具体实施方式
[0015]在下文的具体实施方式部分中将参考构成了其部分的附图，在附图中以举例方式示出了可以实践本公开的具体实施例。就此而言，将参照正在描述的(多个)附图的取向使用诸如“顶部”、“底部”、“正面”、“背面”、“前导”、“拖尾”等方向性术语。由于实施例的部件可能是按照很多不同的取向放置的，因而所述方向性术语仅用于举例说明目的，而不以任何方式构成限制。应当理解，可以采用其他实施例，并且可以做出结构和逻辑上的改变，而不脱离本公开的范围。因此，不应从限定的意义上理解下文的详细描述，并且本公开的范围由所附权利要求限定。
[0016]应当理解，可以使本文描述的各种示例性实施例的特征相互结合，除非做出另外的具体说明。
[0017]如本说明书所用，术语“接合”、“附接”、“连接”、“耦接”和/或“电连接/电耦接”并非意在表示元件或层必须直接接触在一起；可以分别在“接合”、“附接”、“连接”、“耦接”和/或“电连接/电耦接”的元件之间提供居间元件或层。然而，根据本公开，上文提及的术语也可以任选具有元件或层直接一起接触的具体含义，即，并未分别在“键合”、“附接”、“连接”、“耦接”和/或“电连接/电耦接”的元件之间提供居间的元件或层。
[0018]此外，本文联系形成于或位于一个表面“之上”的部分、元件或材料层使用的词语“之上”可以用于表示该部件、元件或材料层被定位为(例如，被放置、形成、沉积为，等等)间接位于该暗示表面上，其中，所暗示表面与该部分、元件或材料层之间布置有一个或多个额外部分、元件或层。然而，联系形成于或位于表面“之上”的部分、元件或材料层使用的词语“之上”可以任选地还具有如下具体含义：该部分、元件或材料层被定位为(例如，被放置、形成、沉积为，等等)直接位于所暗示表面上，例如，与之直接接触。
[0019]详细描述
[0020]图1示出了根据第一方面的电子器件模块的示例。
[0021]更具体而言，图1示出了包括具有开口1A的核心层1和设置在该开口中的电子器件2的电子器件模块10。核心层1和电子器件2嵌入在包封剂层4中，使得核心层1和电子器件2设置在包封剂层4的下部水平层上，包封剂层4的上部水平层设置在核心层1和电子器件2的上表面上并且包封剂层4的垂直层填充在核心层1的侧壁与电子器件2的侧壁之间的、且在
核心层1的开口1A内的中间空间当中。
[0022]例如，核心层1可以包括FR1、FR2、FR3或者FR4材料、BT环氧树脂(其中，BT代表双马来酰亚胺三嗪)、聚酰亚胺或者氰酸酯。包封剂层4可以包括聚合物层，并且尤其包括预浸料层。第一Cu层6可以设置在包封剂层4的远离核心层1的后表面上。并且第二铜层7可以设置在包封剂层4的上层的上表面上，第二铜层7包括分开的电区域或迹线，与电过孔连接的所述电区域与电子器件2的接触焊盘连接。
[0023]电子器件2尤其可以包括管芯载体2.1以及附接至管芯载体2.1的半导体管芯2.2。管芯载体2.1可以是引线框架或者任何其他种类的衬底，比如DCB(直接铜键合)、AMB(活性金属钎焊)或IMS(绝缘金属衬底)。半导体器件2还可以包括两个或更多半导体管芯，这些管芯可以互连，以形成(例如)半桥，该半桥设置在该开口中。
[0024]半导体管芯2.2可以包括半导体晶体管管芯2.2，比如，IGBT、MOSFET管芯、CoolMOS或者宽带隙半导体晶体管(比如SiC
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MOS或GaN
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MOS)中的一者或多者。半导体晶体管管芯2.2可以包括位于其上表面上的接触焊盘，该接触焊盘可以是(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件模块(10)，包括：包括开口(1A)的核心层(1)；设置在所述开口(1A)中的电子器件(2)，所述核心层(1)和所述电子器件(2)中的一者或两者至少部分地被增粘剂层(3)覆盖；以及内嵌所述核心层(1)和所述电子器件(2)的包封剂层(4)。2.根据权利要求1所述的电子器件模块(10)，其中，所述增粘剂层(3)包括Al2O3层。3.根据权利要求1或2所述的电子器件模块(10)，其中，所述增粘剂层(3)包括由Al2O3构成的第一层以及设置在所述第一层上的由AlOOH构成的第二层。4.根据前述权利要求中的任何一项所述的电子器件模块(10)，其中，所述核心层(1)被另一增粘剂层覆盖。5.一种用于制作电子器件模块的方法(100)，所述方法包括：
‑
提供包括开口的核心层(110)；
‑
提供电子器件(120)；
‑
至少部分地在所述核心层和所述电子器件中的一者或两者上沉积增粘剂层(130)；
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将所述电子器件置于所述开口中(140)；以及
‑
至少部分地由包封剂层内嵌所述电子器件和所述核心层(150)。6.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述电子器件置于所述开口中，而后至少部分地在所述核心层和所述电子器件两者上沉积所述增粘剂层。7.根据权利要求5或6所述的方法，进一步包括：通过原子层沉积来沉积所述第一增粘剂层。8.根据权利要求5到7中的任何一项所述的方法，其中，所述增粘剂层(3)包括Al2O3层。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：