半导体模组及其制造方法技术

本发明专利技术提供半导体模组及其制造方法。半导体模组中，第1连接端子及第2连接端子为板状并且以离开规定间隔的状态层叠，在面方向中的一个方向上延伸设置并从树脂模塑部突出，第2连接端子从树脂模塑部的规定面突出，第1连接端子具有内部端子及外部端子，在树脂模塑部的与规定面不同的面形成有开口部而从而内部端子露出，外部端子在开口部与内部端子连接并从树脂模塑部突出，内部端子具有系杆残留部，该系杆残留部在与内部端子和第2连接端子的层叠方向及第1连接端子的延伸设置方向交叉的方向上延伸设置而从树脂模塑部突出并且与内部端子连接。由此，能够抑制第1连接端子与第2连接端子的间隔不均匀。子的间隔不均匀。子的间隔不均匀。

【技术实现步骤摘要】
半导体模组及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体模组及其制造方法。

技术介绍

[0002]以往，提出了半导体模组，其具备半导体元件、与半导体元件连接的第1、第2连接端子、以及以第1、第2连接端子的一部分露出的方式将半导体元件及第1、第2连接端子密封的树脂模塑部(例如参照专利文献1)。并且，该半导体模组的第1连接端子及第2连接端子被做成板状，并且被层叠配置以便能够减小布线电感。
[0003]这样的半导体模组如以下这样制造。即，首先，准备将半导体元件与第1、第2连接端子进行了连接的构成部件。此外，准备通过将第1模与第2模嵌合而在内部构成腔室的金属模。接着，在将构成部件配置到金属模的腔室中之后，使熔融树脂流入到腔室中并固化，由此构成将半导体元件及第1、第2连接端子一体地密封的树脂模塑部。由此，构成上述半导体模组。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019－186403号公报

技术实现思路

[0007]但是，在上述的半导体模组中，由于第1连接端子和第2连接端子被层叠，所以将第1连接端子及第2连接端子一起夹持在第1模与第2模之间变得困难。因此，在上述的半导体模组中，第1连接端子与第2连接端子的间隔容易变得不均匀。
[0008]本公开鉴于上述情况，目的在于提供能够抑制第1连接端子与第2连接端子的间隔的不均匀的半导体模组及其制造方法。
[0009]根据本公开的一技术方案，半导体模组，具备：半导体芯片；树脂模塑部，对半导体芯片进行树脂密封；第1连接端子及第2连接端子，与半导体芯片电连接，具有从树脂模塑部突出的部分；以及控制端子，与半导体芯片电连接；第1连接端子及第2连接端子为板状并且以离开规定间隔的状态层叠，在面方向中的一个方向上延伸设置并从树脂模塑部突出；第2连接端子从树脂模塑部的规定面突出；第1连接端子具有内部端子和外部端子，在树脂模塑部的与规定面不同的面形成有开口部从而内部端子露出，外部端子在开口部处与内部端子连接并从树脂模塑部突出；内部端子具有系杆残留部，该系杆残留部在与内部端子和第2连接端子的层叠方向及第1连接端子的延伸设置方向交叉的方向上延伸设置而从树脂模塑部突出并且与内部端子连接。
[0010]由此，具有与内部端子连接并从树脂模塑部突出的系杆残留部。因此，在形成树脂模塑部时，能够将第2连接端子夹持在第1模与第2模之间并将成为系杆残留部的系杆夹持在第1模与第2模之间。因而，能够抑制第1连接端子的内部端子与第2连接端子的间隔变化。
[0011]根据本公开的一技术方案，在半导体模组的制造方法中，具有以下步骤：准备经由
系杆将内部端子和控制端子一体化的端子构成部件；以内部端子与第2连接端子层叠的方式将第2连接端子与半导体芯片电连接，并且将端子构成部件中的内部端子及控制端子与半导体芯片电连接，从而构成构成部件；准备通过将第1模和第2模嵌合而在内部构成腔室的金属模，将构成部件配置到腔室中；通过使熔融树脂流入到金属模中并固化，形成树脂模塑部；将系杆切断，形成与内部端子连接并从树脂模塑部突出的系杆残留部；在将构成部件配置到腔室中的步骤中，以第2连接端子被第1模和第2模夹持并且系杆被第1模和第2模夹持的方式配置构成部件。
[0012]由此，在形成树脂模塑部时，能够将第2连接端子夹持在第1模与第2模之间并将系杆夹持在第1模与第2模之间。因而，能够制造抑制了第1连接端子的内部端子与第2连接端子的间隔变化的半导体模组。
附图说明
[0013]图1是利用第1实施方式的半导体模组构成的三相逆变器电路的电路图。
[0014]图2是表示半导体模组的内部构造的图。
[0015]图3是将半导体模组从树脂模塑部的一面侧观察的平面图。
[0016]图4是将接合外部端子之前的半导体模组从树脂模塑部的另一面侧观察的平面图。
[0017]图5是将接合外部端子之后的半导体模组从树脂模塑部的另一面侧观察的平面图。
[0018]图6是沿着图4中的VI－VI线的剖视图。
[0019]图7是沿着图5中的VII－VII线的剖视图。
[0020]图8是半导体模组的侧视图。
[0021]图9是沿着图3中的IX－IX线的剖视图。
[0022]图10是表示半导体模组的制造工序的平面图。
[0023]图11是将构成部件配置在金属模中时的剖视图。
[0024]图12是将构成部件配置在金属模中时的剖视图。
[0025]图13是表示形成树脂模塑部之后的制造工序的平面图。
[0026]图14是第2实施方式的半导体模组的剖视图。
[0027]图15是表示形成树脂模塑部时的树脂流动的图。
[0028]图16是表示间隔比与卷入气孔的关系的图。
[0029]图17是第3实施方式的半导体模组的平面图。
具体实施方式
[0030]以下，基于附图对本公开的实施方式进行说明。另外，在以下的各实施方式中，对于相互相同或等同的部分赋予相同的标号而进行说明。
[0031](第1实施方式)
[0032]参照附图对第1实施方式进行说明。在本实施方式中，对构成驱动三相交流马达的三相逆变器电路的半导体模组进行说明。
[0033]首先，参照图1对三相逆变器电路进行说明。三相逆变器电路1用于基于直流电源2
驱动作为三相交流马达的负载3。本实施方式的三相逆变器电路1并联连接着平滑电容器4，使得能够降低开关(switching)时的脉动(ripple)、抑制噪声的影响而形成一定的电源电压。
[0034]三相逆变器电路1成为将串联连接的上下臂51～56三相并联连接的结构。并且，三相逆变器电路1将上臂51、53、55与下臂52、54、56的各中间电位对于作为负载3的三相交流马达的U相、V相、W相的各相一边依次替换一边施加。
[0035]具体而言，上下臂51～56分别具备IGBT、MOSFET等半导体开关元件51a～56a、和FWD等以续流为目的的整流元件51b～56b。并且，三相逆变器电路1通过各相的上下臂51～56的半导体开关元件51a～56a的通断(ON/OFF)控制，对于负载3供给周期不同的三相的交流电流。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的简写。MOSFET是Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应晶体管)的简写。FWD是Free Wheeling Diode(续流二极管)的简写。
[0036]在本实施方式中，将形成有构成三相逆变器电路1的半导体开关元件51a～56a及整流元件51b～56b的半导体芯片进行模组化而一体化。即，利用将6个臂一体化了的6in1构造的半导体模组构成三相逆变器电路1。
[0037]以下，参照图2～图8对本实施方式的半导体模组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模组，其特征在于，具备：半导体芯片；树脂模塑部，对上述半导体芯片进行树脂密封；第1连接端子及第2连接端子，与上述半导体芯片电连接，具有从上述树脂模塑部突出的部分；以及控制端子，与上述半导体芯片电连接；上述第1连接端子及上述第2连接端子为板状并且以离开规定间隔的状态层叠，在面方向中的一个方向上延伸设置并从上述树脂模塑部突出；上述第2连接端子从上述树脂模塑部的规定面突出；上述第1连接端子具有内部端子和外部端子，在上述树脂模塑部的与上述规定面不同的面形成有开口部从而上述内部端子露出，上述外部端子在上述开口部处与上述内部端子连接并从上述树脂模塑部突出；上述内部端子具有系杆残留部，该系杆残留部在与上述内部端子和上述第2连接端子的层叠方向及上述第1连接端子的延伸设置方向交叉的方向上延伸设置而从上述树脂模塑部突出并且与上述内部端子连接。2.如权利要求1所述的半导体模组，其特征在于，上述内部端子及上述系杆残留部配置在与上述控制端子相同平面上。3.如权利要求1或2所述的半导体模组，其特征在于，间隔d1相对于间隔d2所表示的间隔比被设为1.0以上2.5以下，上述间隔d2是上述内部端子与上述第2连接端子之间的间隔，上述间隔d1是上述内部端子及上述第2连接端子与上述树脂模塑部中的沿着上述内部端子和上述第2连接端子的层叠方向的侧面之间的间隔。4.如权利要求1或2所述的半导体模组，其特征在于，间隔d3相对于间隔d2所表示的间隔比被设为1.0以上2.5以下，上述间隔d2是上述内部端子与上述第2连接端子之间的间隔，上述间隔d3是上述内部端子与上述树脂模塑部的上述规定面之间的间隔。5.如权利要求1或2所述的半导体模组，其特征在于，上述内部端子与上述第2连接端子的间隔被设为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：桑田和辉，石野宽，三瓶宏和，成川胜，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社，
类型：发明
国别省市：