一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺制造技术

本发明专利技术提供一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，采用倒装的LED芯片与IC芯片进行封装，摒弃了作为载体的支架及导线，最大程度上减小封装后的体积大小，使得封装出来的产品大小和原始大小相差不大，实现多颗LED芯片与IC芯片的高集成与小型化生产，这种便捷、节约的封装工艺将成为主流；同时，本发明专利技术的封装工艺摒弃了金属导线的焊接工艺，采用激光钻孔和电镀工艺来实现芯片之间的电性互联，连接更加紧密、稳定，并且更利于芯片的排布；且本工艺制备的LED集成灯珠的光源面不会被遮挡，发光效果更好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺


[0001]本专利技术涉及LED芯片封装
，特别是涉及一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺。

技术介绍

[0002]LED产品因其具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期长、且不含汞和环保等优点，被广泛用于照明和显示行业，成为近年来最受瞩目的产品之一。现有的集成控制芯片(IC芯片)和LED芯片封装的LED灯珠，可广泛应用在亮化，LED显示屏，柔性显示膜，LCD背光灯领域。
[0003]现有的大多数集成LED芯片和控制芯片(IC芯片)的封装工艺是基于支架(由金属和树脂材料制成)的方式实现，即先通过固晶工艺将LED芯片和IC芯片贴装在已经成型好的支架中，然后进行打线(金线或者合金线)，以此实现LED芯片与IC芯片的电性互联，接下来通过封胶固化、冲切等工艺实现LED芯片与IC芯片的集成封装。但是，这种封装工艺因为需要预制成型的支架和金线，因此封装成本较高，且工艺复杂，容易出故障。此外，由于芯片间的打线互联的要求，芯片与芯片之间需要留有一定的间距，因此限制了封装后产品尺寸，造成封装后的产品体积大、厚度高、质量重的缺陷，且布局和工艺难度大。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，用于解决现有技术中封装时需要支架和打线，造成封装后的产品体积大、厚度高、质量重，且增加制造成本的问题；除此之外，本专利技术还提供一种集成LED芯片和IC芯片的灯珠。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]在一方面，本专利技术提供一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，包括如下步骤：
[0007]S1、将LED芯片的光源面贴在薄膜上，LED芯片的背面设有第一焊盘，记录所有第一焊盘的点位信息；
[0008]S2、对贴有LED芯片的薄膜进行第一次塑封，在LED芯片周围形成第一包封体；
[0009]S3、采用激光钻孔的方法将第一焊盘处的第一包封体去除；
[0010]S4、采用电镀工艺将第一焊盘与互联层配合连接；
[0011]S5、IC芯片设有第二焊盘，采用电镀工艺将第二焊盘与互联层配合连接，实现LED芯片与IC芯片的电性互联；
[0012]S6、对薄膜进行第二次塑封，在IC芯片的周围形成第二包封体；
[0013]S7、互联层设有分立的P极和N极，采用激光钻孔的方法将P极和N极处的第二包封体去除；
[0014]S8、采用电镀工艺将互联层的P极和N极分别与外延焊盘配合连接；
[0015]S9、去除薄膜，并在LED芯片的光源面覆盖封装胶，得到最终的封装体；
[0016]S10、将封装体分割成单颗LED灯珠。
[0017]于本专利技术的一实施例中，所述LED芯片为具有倒装功能的LED芯片。
[0018]于本专利技术的一实施例中，多颗所述LED芯片在薄膜上呈阵列排列。
[0019]于本专利技术的一实施例中，所述互联层为金属互联层。
[0020]于本专利技术的一实施例中，在步骤S8中，将外延焊盘配合连接至互联层后，对外延焊盘进行镀锡。
[0021]于本专利技术的一实施例中，在步骤S9中，封装胶包括硅胶、环氧树脂或聚氨酯。
[0022]于本专利技术的一实施例中，在步骤S9中，所述封装胶内填充有荧光粉。
[0023]在另一方面，本专利技术提供一种集成LED芯片和IC芯片的灯珠，采用上述一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺制备而成。
[0024]于本专利技术的一实施例中，一种集成LED芯片和IC芯片的灯珠包括LED芯片和IC芯片，所述LED芯片的侧面和底面包覆有第一包封体，所述所述LED芯片通过第一焊盘与互联层电性连接，所述IC芯片通过第二焊盘与互联层电性连接，所述IC芯片和互联层的外周包覆有第二包封体，所述互联层的P、N极分别与外延焊盘连接，所述外延焊盘位于第二包封体外。
[0025]于本专利技术的一实施例中，所述LED芯片的光源面涂覆有封装胶。
[0026]如上所述，本专利技术的一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，具有以下有益效果：
[0027]1、本专利技术采用倒装的LED芯片与IC芯片进行封装，摒弃了作为载体的支架及导线，最大程度上减小封装后的体积大小，使得封装出来的产品大小和原始大小相差不大，实现多颗LED芯片与IC芯片的高集成与小型化生产，这种便捷、节约的封装工艺将成为主流。
[0028]2、摒弃了金属导线的焊接工艺，采用激光钻孔和电镀工艺来实现芯片之间的电性互联，连接更加紧密、稳定，并且更利于芯片的排布。
[0029]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1显示为本专利技术公开的一种集成LED芯片和IC芯片的灯珠的截面示意图。
[0032]元件标号说明：
[0033]1‑
LED芯片；11
‑
光源面；12
‑
第一焊盘；2
‑
IC芯片；21
‑
第二焊盘；3
‑
互联层；31
‑
P极；32
‑
N极；4
‑
第一包封体；5
‑
第二包封体；6
‑
外延焊盘。
具体实施方式
[0034]以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。
[0035]请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的
限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。
[0036]请参阅图1，在一方面，本专利技术提供一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，包括如下步骤：
[0037]S1、将LED芯片1的光源面11贴在薄膜上，LED芯片1的背面设有第一焊盘12，记录所有第一焊盘12的点位信息；
[0038]S2、对贴有LED芯片1的薄膜进行第一次塑封，在LED芯片1周围形成第一包封体4；
[0039]S3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将LED芯片的光源面贴在薄膜上，LED芯片的背面设有第一焊盘，记录所有第一焊盘的点位信息；S2、对贴有LED芯片的薄膜进行第一次塑封，在LED芯片周围形成第一包封体；S3、采用激光钻孔的方法将第一焊盘处的第一包封体去除；S4、采用电镀工艺将第一焊盘与互联层配合连接；S5、IC芯片设有第二焊盘，采用电镀工艺将第二焊盘与互联层配合连接，实现LED芯片与IC芯片的电性互联；S6、对薄膜进行第二次塑封，在IC芯片的周围形成第二包封体；S7、互联层设有分立的P极和N极，采用激光钻孔的方法将P极和N极处的第二包封体去除；S8、采用电镀工艺将互联层的P极和N极分别与外延焊盘配合连接；S9、去除薄膜，并在LED芯片的光源面覆盖封装胶，得到最终的封装体；S10、将封装体分割成单颗LED灯珠。2.根据权利要求1所述的一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，其特征在于，所述LED芯片为具有倒装功能的LED芯片。3.根据权利要求2所述的一种集成LED芯片和IC芯片的封装工艺，其特征在于，多颗所述LED芯片在薄膜上呈阵列排列。4.根据权利要求1所述的一种集成LED芯片和IC...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志明，
申请(专利权)人：昆山市翌兴通光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：