一种接收级均衡电路制造技术

本发明专利技术公开了一种接收级均衡电路，包括：

【技术实现步骤摘要】
一种接收级均衡电路


[0001]本专利技术属于高速接口电路
，尤其涉及一种接收级均衡电路
。

技术介绍

[0002]在高速接口电路中，由于信道非理想特性会引起码间干扰，从而影响传输信号的质量
。
在接收级中通常采用均衡电路来解决码间干扰带来的问题，但是随着传输速率的提升，码间干扰对信号质量的影响越来越大
。
因此，对于高速接口电路，提高接收器中均衡电路的性能是很有必要的
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的技术解决问题：克服现有技术的不足，提供一种接收级均衡电路，
CTLE
均衡电路和增益级电路中均采用交叉耦合负容结构，可对寄生电容和负载电容进行补偿，从而实现更宽的带宽和更高的高频增益
。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术公开了一种接收级均衡电路，包括：
CTLE
均衡电路和增益级电路；其中，
CTLE
均衡电路与增益级电路串联；
CTLE
均衡电路和增益级电路中均采用交叉耦合负容结构，用于对寄生电容和负载电容进行补偿
。
[0005]在上述接收级均衡电路中，
CTLE
均衡电路，包括：
NMOS
管
N0、N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8
，以及，电容
C0、
电容
C
L0
、
电容
C
L1
、r/>电阻
R
L0
、
电阻
R
L1
、
可变电阻
R
g0
和可变电容
C
g0
；
[0006]N0
的源极与可变电阻
R
g0
的一端
、
可变电容
C
g0
的一端
、
以及
N2
的漏极相连；
[0007]N1
的源极与可变电阻
R
g0
的另一端
、
可变电容
C
g0
的另一端
、
以及
N3
的漏极相连；
[0008]N4
的栅极与
N5
的漏极
、N1
的漏极
、
电阻
R
L1
的一端以及输出信号
OUTN1
相连；
N4
的源极与电容
C0的一端以及
N7
的漏极相连；
[0009]N5
的栅极与
N4
的漏极
、N0
的漏极
、
电阻
R
L0
的一端以及输出信号
OUTP1
相连；
N5
的源极与电容
C0的另一端以及
N8
的漏极相连；
[0010]N6
的漏极接基准源产生的偏置电流；
N6
的栅极与
N2
的栅极
、N3
的栅极
、N7
的栅极和
N8
的栅极相连；
[0011]N2
的源极
、N3
的源极
、N6
的源极
、N7
的源极和
N8
的源极均接地
GND
；
[0012]NMOS
管
N0
～
N8
的衬底均接地
GND
；
[0013]输入信号
VP1
由
N0
的栅极输入，输入信号
VN1
由
N1
的栅极输入；电阻
R
L0
的另一端和电阻
R
L1
的另一端接电源
VCC
；电容
C
L0
的一端与
OUTP1
相连，另一端接地
GND
；电容
C
L1
的一端与
OUTP1
相连，另一端接地
GND。
[0014]在上述接收级均衡电路中，
NMOS
管
N4、N5、N7、N8
和电容
C0构成
CTLE
均衡电路的交叉耦合负容结构
。
[0015]在上述接收级均衡电路中，
CTLE
均衡电路通过调整可变电阻
R
g0
的电阻值和可变电容
C
g0
的电容值的大小来控制电路中零极点的位置，从而实现对信号的高频损耗补偿
。
[0016]在上述接收级均衡电路中，增益级电路，包括：
NMOS
管
N9、N10、N11、N12、N13、N14、
N15、N16、N17
，以及，电容
C1、
电容
C
L2
、
电容
C
L3
、
电阻
R
L2
、
电阻
R
L3
和可变电阻
R
g1
；
[0017]N9
的源极与可变电阻
R
g1
的一端以及
N11
的漏极相连；
[0018]N10
的源极与可变电阻
R
g1
的另一端以及
N12
的漏极相连；
[0019]N13
的栅极与
N14
的漏极
、N10
的漏极
、
电阻
R
L3
的一端以及输出信号
OUTN2
相连；
N13
的源极与电容
C1的一端以及
N16
的漏极相连；
[0020]N14
的栅极与
N13
的漏极
、N9
的漏极
、
电阻
R
L2
的一端以及输出信号
OUTP2
相连；
N14
的源极与电容
C1的另一端以及
N17
的漏极相连；
[0021]N15
的漏极接基准源产生的偏置电流；
N15
的栅极与
N11
的栅极
、N12
的栅极
、N16
的栅极和
N17
的栅极相连；
[0022]N11
的源极
、N12
的源极
、N15
的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种接收级均衡电路，其特征在于，包括：
CTLE
均衡电路和增益级电路；其中，
CTLE
均衡电路与增益级电路串联；
CTLE
均衡电路和增益级电路中均采用交叉耦合负容结构，用于对寄生电容和负载电容进行补偿
。2.
根据权利要求1所述的接收级均衡电路，其特征在于，
CTLE
均衡电路，包括：
NMOS
管
N0、N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8
，以及，电容
C0、
电容
C
L0
、
电容
C
L1
、
电阻
R
L0
、
电阻
R
L1
、
可变电阻
R
g0
和可变电容
C
g0
；
N0
的源极与可变电阻
R
g0
的一端
、
可变电容
C
g0
的一端
、
以及
N2
的漏极相连；
N1
的源极与可变电阻
R
g0
的另一端
、
可变电容
C
g0
的另一端
、
以及
N3
的漏极相连；
N4
的栅极与
N5
的漏极
、N1
的漏极
、
电阻
R
L1
的一端以及输出信号
OUTN1
相连；
N4
的源极与电容
C0的一端以及
N7
的漏极相连；
N5
的栅极与
N4
的漏极
、N0
的漏极
、
电阻
R
L0
的一端以及输出信号
OUTP1
相连；
N5
的源极与电容
C0的另一端以及
N8
的漏极相连；
N6
的漏极接基准源产生的偏置电流；
N6
的栅极与
N2
的栅极
、N3
的栅极
、N7
的栅极和
N8
的栅极相连；
N2
的源极
、N3
的源极
、N6
的源极
、N7
的源极和
N8
的源极均接地
GND
；
NMOS
管
N0
～
N8
的衬底均接地
GND
；输入信号
VP1
由
N0
的栅极输入，输入信号
VN1
由
N1
的栅极输入；电阻
R
L0
的另一端和电阻
R
L1
的另一端接电源
VCC
；电容
C
L0
的一端与
OUTP1
相连，另一端接地
GND
；电容
C
L1
的一端与
OUTP1
相连，另一端接地
GND。3.
根据权利要求2所述的接收级均衡电路，其特征在于，
NMOS
管
N4、N5、N7、N8
和电容
C0构成
CTLE
均衡电路的交叉耦合负容结构
。4.
根据权利要求2所述的接收级均衡电路，其特征在于，
CTLE
均衡电路通过调整可变电阻
R
g0
的电阻值和可变电容
C
g0
的电容值的大小来控制电路中零极点的位置，从而实现对信号的高频损耗补偿
。5.
根据权利要求1所述的接收级均衡电路，其特征在于，增益级电路，包括：
NMOS
管
N9、N10、N11、N12、N13、N14、N15、N16、N17
，以及，电容
C1、
电容
C
L2
、
电容

【专利技术属性】
技术研发人员：郭斌，张健，李建成，孙洪江，林彦君，张志伟，刘文东，郭晓，王文博，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：