本发明专利技术属于高压VDMOS器件制备领域，具体为一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，包括装置外壳，所述装置外壳的顶端安装固定有液压杆，所述液压杆的底端安装固定有激光器，所述激光器的底端固定连接有安装板，所述安装板上贯穿开设有通槽，所述安装板的底部安装有调节切换组件，所述安装板通过调节切换组件连接有掩模版本体，所述装置外壳的内部底端面上固定连接有固定框，所述固定框内安装有自适应调节定位组件，所述安装板的底端栓接固定有牵引绳，解决了现有的曝光装置在工作过程中，不能够对曝光设备上的掩膜版进行便捷稳定的调节切换工作，同时不能够对长时间使用后的掩膜版进行便捷稳定的拆卸清洗或更换的问题。掩膜版进行便捷稳定的拆卸清洗或更换的问题。掩膜版进行便捷稳定的拆卸清洗或更换的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置
[0001]本专利技术涉及高压VDMOS器件制备领域，具体为一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置。
技术介绍
[0002]功率VDMOS器件是一种电子开关，其开关状态受控于栅极电压，导通时由电子或空穴导电，其具有控制简单和开关快速的优点，因而被广泛应用于功率电子系统，主要包括开关电源和电机驱动等，击穿电压和比导通电阻为功率VDMOS的两个主要参数，其中随着功率器件的击穿电压的增大，其比导通电阻也急剧增加，对于高压VDMOS器件更加明显；
[0003]现有的高压VDMOS器件在生产制备时，利用碳化硅材料的优异的电学性能，对其进行VDMOS功率器件的制备，例如公开号为CN202110190174.9的一种高压VDMOS器件及其制备方法，其利用曝光装置对本征SiC衬底上的光刻胶进行曝光显影，方便后续刻蚀制备工作，但由于SiC衬底上的光刻胶的不同区域需要配合使用不同的掩膜版进行曝光显影，而现有的曝光装置在工作过程中，不能够对曝光设备上的掩膜版进行便捷稳定的调节切换工作，同时不能够对长时间使用后的掩膜版进行便捷稳定的拆卸清洗或更换，实用性较差；并且现有的曝光装置在工作过程中，不能够同时对多个SiC衬底进行自动稳定的自适应夹持定位工作，并且不能够对曝光显影后的SiC衬底进行便捷下料，进而不能够保证SiC衬底曝光显影工作和拿取下料的便捷和稳定，实用性和实用性较差，因此需要提供一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置来满足使用者的需求。
专利技术内容
[0004]鉴于现有高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置中存在的问题，提出了本专利技术。
[0005]为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供了如下技术方案：一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，包括装置外壳，所述装置外壳的顶端安装固定有液压杆，所述液压杆的底端安装固定有激光器，所述激光器的底端固定连接有安装板，所述安装板上贯穿开设有通槽，所述安装板的底部安装有调节切换组件，所述安装板通过调节切换组件连接有掩模版本体，所述装置外壳的内部底端面上固定连接有固定框，所述固定框内安装有自适应调节定位组件，所述安装板的底端栓接固定有牵引绳，所述牵引绳限位滑动连接在导向轮上，所述导向轮安装在固定框上，所述牵引绳的另一端缠绕在固定线圈上，所述固定线圈上固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的底端转动连接在装置外壳的内部底端面上，所述螺纹杆上螺纹连接有连接板，所述连接板的顶端面上固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶端固定连接有托板，所述托板限位滑动连接在收纳槽内，所述支撑杆贯穿滑动连接在滑动槽内，所述螺纹杆的底部固定连接有涡卷弹簧，所述涡卷弹簧的外端固定连接在限位框内，所述限位框固定连接在装置外壳的内部底端面上。
[0006]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述液压杆的底端固定连接在激光器的顶部
中心部位，所述激光器固定在安装板的顶部中心部位，所述通槽的中心轴线与激光器的中心轴线位于同一竖直中心线上，所述通槽的长度和宽度分别小于激光器的长度和宽度。
[0007]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述调节切换组件包括导轨，所述导轨固定连接在安装板的底端面上，所述导轨侧端固定连接有第一弹簧，所述第一弹簧的另一端固定连接有卡杆，所述卡杆贯穿滑动连接在导轨侧端，所述卡杆的端部卡合连接在卡槽内，所述卡槽开设在限位架的侧端，所述限位架内固定连接有第二弹簧，所述第二弹簧的另一端固定连接有挡板，所述挡板限位滑动连接在限位架内。
[0008]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述限位架侧端面与导轨的内壁相贴合，所述导轨的横截面呈“L”形，所述限位架的顶端面与安装板的底端面相贴合，所述限位架的内壁与掩模版本体的侧端面相贴合，所述掩模版本体的顶端面与安装板的底端面相贴合，所述导轨对称分布在限位架的两侧，所述导轨与卡杆一一对应，所述限位架的长度和宽度分别大于通槽的长度和宽度。
[0009]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述限位架等距分布在安装板的下方，相邻限位架之间固定连接，所述第二弹簧对称分布在限位架内部两侧，所述第二弹簧与挡板一一对应，所述挡板连接在限位架内部侧端的中间部位，所述限位架的端部横截面呈直角梯形。
[0010]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述自适应调节定位组件包括固定板，所述固定板固定连接在固定框内，所述固定板上开设有定位槽，所述收纳槽开设在固定板内，所述定位槽内部底端面上固定连接有橡胶气囊，所述定位槽等距分布在固定板上，所述定位槽分别与收纳槽和橡胶气囊一一对应，所述橡胶气囊呈圆环状，所述收纳槽的直径小于橡胶气囊的内径，所述收纳槽的中心轴线与定位槽的中心轴线位于同一竖直中心线上。
[0011]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述固定板内固定连接有固定筒，所述固定筒的内部底端固定连接有滤网板，所述滤网板的顶端面上固定连接有第三弹簧，所述第三弹簧的顶端固定连接有橡胶活塞，所述橡胶活塞和连接杆均限位滑动连接在固定筒内，所述橡胶活塞的顶端固定连接在连接杆的底端，所述连接杆的顶端固定连接有橡胶吸盘，所述固定筒等距分布在固定板上，所述固定筒的底部连接有中转框，所述固定筒的底端面、滤网板的底端面和中转框的内部顶端面平齐，所述中转框的长度和宽度分别与固定板的长度和宽度相等，所述中转框固定连接在固定板的底端面上。
[0012]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述中转框固定连接在固定框内，所述固定框的顶部连接有导气管，所述导气管的顶端连接在橡胶气囊的底端，所述滑动槽贯穿开设在中转框上，所述导气管对称分布在橡胶气囊的底端两侧，所述支撑杆的直径小于滑动槽的直径，所述托板的厚度与收纳槽的深度相等，所述支撑杆贯穿滑动连接在固定板内。
[0013]作为本专利技术的一种优选方案，其中：所述牵引绳对称分布在安装板的底端两侧，所述牵引绳通过导向轮与固定线圈一一对应，所述螺纹杆的长度大于支撑杆的长度，所述螺纹杆的顶端转动连接在中转框的底端面上。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0015]1、设置有调节切换组件，利用卡杆和卡槽的配合，能够对限位架进行便捷稳定的卡合固定和拆卸工作，进而能够保证各个限位架在导轨内移动切换工作的稳定和便捷，能够对不同的掩模版本体进行便捷稳定的切换使用，从而能够对高压VDMOS器件生产用本征SiC衬底的不同区的掺杂区进行便捷和稳定的曝光显影工作，有效提高了高压VDMOS器件后
续制备工作的效率，并且利用第二弹簧和挡板的配合，能够对长时间使用后的掩模版本体进行便捷稳定的拆卸清理或更换，增加了装置的使用多样性和便捷性。
[0016]2、设置有自适应调节定位组件，在曝光过程中，利用液压杆能够推动掩模版本体向下稳定运动，直至与各个橡胶吸盘接触，此时在掩模版本体的继续运动作用下，能够稳定挤压推动连接杆，此时利用各个连接杆和相应橡胶吸盘的吸附固定，能够保证掩模版本体可以与固定板之间进行自动稳定的相对固定，进而能够有效避免装置工作过程中本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，包括装置外壳(1)，其特征在于；所述装置外壳(1)的顶端安装固定有液压杆(2)，所述液压杆(2)的底端安装固定有激光器(3)，所述激光器(3)的底端固定连接有安装板(4)，所述安装板(4)上贯穿开设有通槽(5)，所述安装板(4)的底部安装有调节切换组件(6)，所述安装板(4)通过调节切换组件(6)连接有掩模版本体(7)，所述装置外壳(1)的内部底端面上固定连接有固定框(8)，所述固定框(8)内安装有自适应调节定位组件(9)，所述安装板(4)的底端栓接固定有牵引绳(10)，所述牵引绳(10)限位滑动连接在导向轮(11)上，所述导向轮(11)安装在固定框(8)上，所述牵引绳(10)的另一端缠绕在固定线圈(12)上，所述固定线圈(12)上固定连接有螺纹杆(13)，所述螺纹杆(13)的底端转动连接在装置外壳(1)的内部底端面上，所述螺纹杆(13)上螺纹连接有连接板(14)，所述连接板(14)的顶端面上固定连接有支撑杆(15)，所述支撑杆(15)的顶端固定连接有托板(16)，所述托板(16)限位滑动连接在收纳槽(17)内，所述支撑杆(15)贯穿滑动连接在滑动槽(18)内，所述螺纹杆(13)的底部固定连接有涡卷弹簧(19)，所述涡卷弹簧(19)的外端固定连接在限位框(20)内，所述限位框(20)固定连接在装置外壳(1)的内部底端面上。2.根据权利要求1所述一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，其特征在于：所述液压杆(2)的底端固定连接在激光器(3)的顶部中心部位，所述激光器(3)固定在安装板(4)的顶部中心部位，所述通槽(5)的中心轴线与激光器(3)的中心轴线位于同一竖直中心线上，所述通槽(5)的长度和宽度分别小于激光器(3)的长度和宽度。3.根据权利要求1所述一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，其特征在于：所述调节切换组件(6)包括导轨(601)，所述导轨(601)固定连接在安装板(4)的底端面上，所述导轨(601)侧端固定连接有第一弹簧(602)，所述第一弹簧(602)的另一端固定连接有卡杆(603)，所述卡杆(603)贯穿滑动连接在导轨(601)侧端，所述卡杆(603)的端部卡合连接在卡槽(604)内，所述卡槽(604)开设在限位架(605)的侧端，所述限位架(605)内固定连接有第二弹簧(606)，所述第二弹簧(606)的另一端固定连接有挡板(607)，所述挡板(607)限位滑动连接在限位架(605)内。4.根据权利要求3所述一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，其特征在于：所述限位架(605)侧端面与导轨(601)的内壁相贴合，所述导轨(601)的横截面呈“L”形，所述限位架(605)的顶端面与安装板(4)的底端面相贴合，所述限位架(605)的内壁与掩模版本体(7)的侧端面相贴合，所述掩模版本体(7)的顶端面与安装板(4)的底端面相贴合，所述导轨(601)对称分布在限位架(605)的两侧，所述导轨(601)与卡杆(603)一一对应，所述限位架(605)的长度和宽度分别大于通槽(5)的长度和宽度。5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰，冯羽，王恒亮，
申请(专利权)人：杭州华芯微科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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