混气装置和半导体工艺设备制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供了一种混气装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域

【技术实现步骤摘要】
混气装置和半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种混气装置和半导体工艺设备
。

技术介绍

[0002]在半导体成型等工艺过程中，往往需要向工艺腔内通入多种气体的混合气体，以满足半导体制备的工艺需求
。
[0003]然而，现有的半导体工艺设备中往往通过多转一的连接件将多种气体通入反应腔内，这种方向会导致多种混合不均匀，影响半导体成型的质量
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种混气装置和半导体工艺设置，其能够提高混气的均匀，从而可以提高半导体成型的质量
。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种混气装置，包括本体和均气板，所述本体设置有混气腔以及与所述混气腔连通的进气口和出气口；
[0007]所述混气腔的流通面积由所述进气口向着所述出气口的方向是变化的；
[0008]所述均气板上设置多个均气孔，所述均气板设置于所述混气腔内
。
[0009]在可选的实施方式中，所述均气板有多个，多个所述均气板沿着所述进气口向着所述出气口的方向间隔设置，并将所述混气腔分隔为多个混合区，多个所述混合区的流通面积是变化的
。
[0010]在可选的实施方式中，所述混合区两端的流通面积大于所述混合区中间的流通面积
。
[0011]在可选的实施方式中，所述混合区的两端向着所述混合区的中间方向流通面积逐渐缩小，所述混合区的中间流通面积不变
。
[0012]在可选的实施方式中，所述均气孔倾斜设置
。
[0013]在可选的实施方式中，所有的所述均气孔由进气口向着所述出气口的方向向着所述均气板的中心倾斜设置
。
[0014]在可选的实施方式中，所述均气孔的孔径是变化的
。
[0015]在可选的实施方式中，所述均气孔靠近所述出气口的一端向着所述出气口的方向逐渐增大
。
[0016]在可选的实施方式中，所述均气孔靠近所述进气口的一段向着所述进气口的方向逐渐增大
。
[0017]第二方面，本专利技术提供一种半导体工艺设置，包括前述实施方式中任一项所述的混气装置
。
[0018]本专利技术实施例提供的混气装置和半导体工艺设备的有益效果包括，例如：
[0019]本申请通过在本体内设置混气腔，且将混气腔的流通面积设置为由进气口向着出
气口的方向变化的，这样气体由进气口流向出气口的方向时可经过混气腔的流通面积的改变以使气体的方向和压力发生变化，从而可以让气体在混气腔内混合的更加均匀
。
其次，在混气腔内设置均气板，气体在经过均气板的均气孔也可进一步提高气体的混合程度，让气体混合的更加均匀
。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图
。
[0021]图1为本专利技术实施例提供的第一种混气装置的结构示意图；
[0022]图2为本专利技术实施例提供的第二种混气装置的结构示意图；
[0023]图3为本专利技术实施例提供的混气装置的均气板一种结构示意图；
[0024]图4为本专利技术实施例提供的混气装置的均气板另一种结构示意图
。
[0025]图标：
100
‑
混气装置；
110
‑
本体；
111
‑
混气腔；
113
‑
进气口；
115
‑
出气口；
117
‑
混合区；
130
‑
均气板；
131
‑
均气孔
。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计
。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释
。
[0029]在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0030]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术的实施例中的特征可以相互结合
。
[0031]请参考图1，本实施例提供了一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备可以是镀膜设备
。
该半导体工艺设备包括设备本体
110
和混气装置
100
，设备本体
110
具有一工艺腔，且设置有与该工艺腔连通的通气口
。
混气装置
100
与通气口连通以向工艺腔内输送混合均匀的工质气体
。
[0032]在本实施例中，混气装置
100
包括本体
110
和均气板
130。
本体
110
设置有混气腔
111
以及与混气腔
111
连通的进气口
113
和出气口
115。
一般情况下出气口
115
通过管道或直接安
装在通气口与通气口连通
。
进气口
113
可安装多通接头，与多个工质气体的输送管连接
。
以使多种气体通过进气口
113
流入本体
110
的混气腔
111
内，在混气腔
111
内混合均匀后送入反应腔内
。
混气腔
111
的流通面积由进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种混气装置，其特征在于，包括本体
(110)
和均气板
(130)
，所述本体
(110)
设置有混气腔
(111)
以及与所述混气腔
(111)
连通的进气口
(113)
和出气口
(115)
；所述混气腔
(111)
的流通面积由所述进气口
(113)
向着所述出气口
(115)
的方向是变化的；所述均气板
(130)
上设置多个均气孔
(131)
，所述均气板
(130)
设置于所述混气腔
(111)
内
。2.
根据权利要求1所述的混气装置，其特征在于，所述均气板
(130)
有多个，多个所述均气板
(130)
沿着所述进气口
(113)
向着所述出气口
(115)
的方向间隔设置，并将所述混气腔
(111)
分隔为多个混合区
(117)
，多个所述混合区
(117)
的流通面积是变化的
。3.
根据权利要求2所述的混气装置，其特征在于，所述混合区
(117)
两端的流通面积大于所述混合区
(117)
中间的流通面积
。4.

【专利技术属性】
技术研发人员：郭强，朱佳奇，赵宇，李书新，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：