半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法、微器件的转移方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其是涉及一种半导体结构及其制备方法
、
微器件的转移方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，微器件受到广泛关注，在电子产品制备过程中，需要通过多次转移，将微器件转移至背板上
。
常用的微器件转移方法中，大多采用激光剥离设备对微器件进行转移，其中激光剥离设备为成本较高的准分子激光器设备，购买成本以及保养成本巨大，且操作复杂，使用不够便利
。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供半导体结构及其制备方法
、
微器件的转移方法，旨在解决转移微器件时采用的现有转移方法不够便利且成本巨大的问题
。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
[0005]图形化的衬底，包括多个间隔排布的图形结构；
[0006]多个间隔排布的微器件，位于所述图形化的衬底上；所述微器件在所述图形化的衬底上的正投影与所述图形结构具有间距；
[0007]多个弱化结构，位于各所述图形结构的上表面，且位于相邻所述微器件之间，并与所述微器件相连接；所述弱化结构与所述微器件连接处的宽度小于所述弱化结构的最大宽度
。
[0008]本申请的半导体结构中多个间隔排布的微器件位于图形化的衬底上，图形化的衬底包括多个间隔排布的图形结构，多个弱化结构位于各图形结构的上表面，且位于相邻微器件之间，并与微器件相连接，即弱化结构可以将各个微器件连接起来，便于批量转移微器件，节省大量时间和人力成本；另外，弱化结构与微器件连接处的宽度小于弱化结构的最大宽度，在将微器件转移时，由于与微器件连接处的弱化结构的宽度较小，便于在成功转移微器件之后快速去除弱化结构和图形结构，且不会损伤微器件，极大提高微器件的良率
。
[0009]在其中一个实施例中，所述弱化结构包括二氧化硅弱化结构
。
[0010]在其中一个实施例中，所述弱化结构的形状呈橄榄球状
。
[0011]在其中一个实施例中，多个所述微器件呈多行多列间隔排布；所述弱化结构位于同一行相邻所述微器件之间及同一列相邻所述微器件之间；所述图形结构与所述弱化结构一一对应设置
。
[0012]第二方面，本专利技术提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
[0013]提供衬底；
[0014]于所述衬底的上表面形成多个间隔排布的微器件；
[0015]于所述衬底的上表面形成弱化结构，所述弱化结构位于相邻所述微器件之间，且
与所述微器件相连接；所述弱化结构与所述微器件连接处的宽度小于所述弱化结构的最大宽度；
[0016]使用键合胶层将所得结构与键合基板键合，所述微器件及所述弱化结构均位于所述键合胶层内；
[0017]刻蚀所述衬底，以得到图形化的衬底，所述图形化的衬底包括多个间隔排布的图形结构，所述图形结构位于各所述弱化结构的表面；所述微器件在所述衬底上的正投影与所述图形结构具有间距；
[0018]去除所述键合基板及所述键合胶层
。
[0019]本申请的半导体结构的制备方法，通过设置弱化结构位于相邻微器件之间，且各设置弱化结构均与微器件相连接，即弱化结构可以将各个微器件连接起来，便于批量转移微器件，节省大量时间和人力成本；使用键合胶层将所得结构与键合基板键合，微器件及弱化结构均位于所述键合胶层内，以便于在转移过程中对微器件和弱化结构进行充分保护，提升转移良率；另外，图形结构位于各弱化结构的表面，而弱化结构与微器件连接处的宽度小于弱化结构的最大宽度，在将微器件转移时，由于与微器件连接处的弱化结构的宽度较小，便于在成功转移微器件之后快速去除弱化结构和图形结构，且不会损伤微器件，极大提高转移效率以及半导体器件的良率
。
[0020]在其中一个实施例中，所述于所述衬底的上表面形成弱化结构包括：
[0021]于所述衬底的上表面及所述微器件的表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层具有开口，所述开口定义出所述弱化结构的形状及位置；
[0022]于所述开口内沉积弱化材料层，以形成所述弱化结构；
[0023]去除所述图形化的掩膜层
。
[0024]在其中一个实施例中，所述弱化结构的形状呈橄榄球状
。
[0025]在其中一个实施例中，使用键合胶层将所得结构与键合基板键合之后，且刻蚀所述衬底之前还包括：将所述衬底进行减薄处理
。
[0026]在其中一个实施例中，多个所述微器件呈多行多列间隔排布；所述弱化结构位于同一行相邻所述微器件之间及同一列相邻所述微器件之间；所述图形结构与所述弱化结构一一对应设置
。
[0027]第三方面，本专利技术提供了一种微器件的转移方法，包括：
[0028]采用如上述任一方案的所述的半导体结构的制备方法制备所述半导体结构；
[0029]将所述半导体结构转移至背板上，所述微器件与所述背板相接触；
[0030]向所述图形结构施加外力，使得所述弱化结构断裂，以将所述微器件转移至所述背板上
。
[0031]本申请的微器件的转移方法，通过上述的半导体结构的制备方法制备出半导体结构，将半导体结构转移至背板上，因为半导体结构的图形结构位于各弱化结构的表面，而弱化结构与微器件连接处的宽度小于弱化结构的最大宽度，因此向图形结构施加外力时，会使弱化结构断裂，弱化结构和图形结构脱离微器件，便可成功将微器件转移至背板上，且不会损伤微器件，极大提高转移效率以及转移良率
。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0033]图1为一实施例中提供的半导体结构的制备方法的流程图；
[0034]图2为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤
S102
所得结构的截面结构示意图；
[0035]图3为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤
S103
所得结构的截面结构示意图；
[0036]图4为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤
S104
所得结构的截面结构示意图；
[0037]图5为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤
S105
所得结构的截面结构示意图；
[0038]图6为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤
S106
所得结构的截面结构示意图；
[0039]图7为一实施例中提供的半导体结构的制备方法中步骤
S106
所得结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：图形化的衬底，包括多个间隔排布的图形结构；多个间隔排布的微器件，位于所述图形化的衬底上；所述微器件在所述图形化的衬底上的正投影与所述图形结构具有间距；多个弱化结构，位于各所述图形结构的上表面，且位于相邻所述微器件之间，并与所述微器件相连接；所述弱化结构与所述微器件连接处的宽度小于所述弱化结构的最大宽度
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述弱化结构包括二氧化硅弱化结构
。3.
根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述弱化结构的形状呈橄榄球状
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，多个所述微器件呈多行多列间隔排布；所述弱化结构位于同一行相邻所述微器件之间及同一列相邻所述微器件之间；所述图形结构与所述弱化结构一一对应设置
。5.
一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底的上表面形成多个间隔排布的微器件；于所述衬底的上表面形成弱化结构，所述弱化结构位于相邻所述微器件之间，且与所述微器件相连接；所述弱化结构与所述微器件连接处的宽度小于所述弱化结构的最大宽度；使用键合胶层将所得结构与键合基板键合，所述微器件及所述弱化结构均位于所述键合胶层内；刻蚀所述衬底，以得到图形化的衬底，所述图形化的衬底包括多个间隔排布的图形结构，所述图形结构位于各所述弱化结...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，萧俊龙，范春林，汪庆，周睿，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：