一种硅片清洗装置及其使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于一般清洁技术领域，尤其为一种硅片清洗装置及其使用方法，包括硅片清洗槽，所述硅片清洗槽相对地面倾斜设置，所述硅片清洗槽相对地面的倾斜角度不大于

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗装置及其使用方法


[0001]本专利技术属于一般清洁
，具体涉及一种硅片清洗装置及其使用方法
。

技术介绍

[0002]目前常用的圆形硅片清洗方法为，将多个圆形硅片按照一定间隔放置在清洗架上，然后通过清洗架带动圆形硅片浸入超纯水池中进行清洗，然后将安装有圆形硅片的清洗架捞出，按照同样的方式放入下一个超纯水池中进行清洗，由于这种清洗方式是通过清洗架将圆形硅片临时固定的，因此清洗架与圆形硅片接触的部分无法被有效的清洗
。

技术实现思路

[0003]为解决上述
技术介绍
中提出的问题
。
本专利技术提供了一种硅片清洗装置及其使用方法，具有在清洗圆形硅片的时候，圆形硅片不会与任何固体进行接触，圆形硅片只会与超纯水进行接触的特点
。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种硅片清洗装置，包括硅片清洗槽，所述硅片清洗槽相对地面倾斜设置，所述硅片清洗槽相对地面的倾斜角度不大于
1.5
度，所述硅片清洗槽的底部内侧固定连接有延伸至所述硅片清洗槽内部的清洗管，所述清洗管有多个，多个所述清洗管呈矩阵式分布，所述清洗管分为冲洗区和分离区，所述分离区中的多个所述清洗管的顶端分别与所述硅片清洗槽的顶端齐平；所述冲洗区中的多个所述清洗管的顶端分别距离所述硅片清洗槽的顶端具有一定的间隙；通过所述分离区位置处设置的所述清洗管中排出的超纯水使圆形硅片与所述硅片清洗槽的顶端不接触，所述圆形硅片距离分离区部分的所述清洗管顶部不大于3毫米/>。
[0005]作为本专利技术一种硅片清洗装置优选的，所述硅片清洗槽向下倾斜的一端设置有排水板
。
[0006]作为本专利技术一种硅片清洗装置优选的，所述硅片清洗槽的两侧固定连接有保持架，所述保持架的内侧安装有总水管，所述总水管上等间距固定连通有多个第一支水管，多个所述第一支水管的末端均固定连接有第一喷水头，所述总水管上等间距固定连通有多个第二支水管，多个所述第二支水管的末端均固定连通有所述第二喷水头
。
[0007]作为本专利技术一种硅片清洗装置优选的，两个所述保持架上设置的第一喷水头和第二喷水头的喷射角度相同但喷射方向相反
。
[0008]作为本专利技术一种硅片清洗装置优选的，所述第二喷水头的喷射形状为扇形，两个所述保持架上相邻的所述第二喷水头喷出的两个扇形相交
。
[0009]作为本专利技术一种硅片清洗装置优选的，所述第一喷水头喷射出的超纯水为柱状，所述第一喷水头喷出的柱状水的水柱中心线能够与所述圆形硅片的外圆处相切
。
[0010]作为本专利技术一种硅片清洗装置优选的，在其中一个第一喷水头喷出的柱状水的水柱中心线与圆形硅片相切的交点做与保持架平行的平行线，所述第一喷水头喷出的柱状水最多只能到达所述平行线位置处，多个所述第一喷水头喷射在所述圆形硅片上围成冲击隔
离区域，通过冲击隔离区域能够避免圆形硅片与保持架接触
。
[0011]一种硅片清洗装置的使用方法，包括以下步骤：
S1
：将硅片清洗槽倾斜设置；
S2
：向清洗管内侧通入超纯水，不同高度上的清洗管需要单独供水；
S3
：向总水管内侧通入超纯水；
S4
：在硅片清洗槽上侧
、
两个保持架之间陆续放入圆形硅片；
S5
：完成清洗
。
[0012]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术通过流水线式对圆形硅片进行清洗，在清洗圆形硅片的时候，圆形硅片不会与任何固体进行接触，圆形硅片只会与超纯水进行接触，从而提高了清洗效果
。
附图说明
[0013]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制
。
在附图中：图1为本专利技术的整体结构俯视图；图2为本专利技术的整体结构主视图；图3为本专利技术中图2的
A
处的放大结构示意图；图4为本专利技术的整体结构右视图；图5为本专利技术中图4的
B
处的放大结构示意图；图6为本专利技术中冲击隔离区域位置的示意图；图中：
1、
硅片清洗槽；
11、
圆形硅片；
2、
清洗管；
21、
冲洗区；
22、
分离区；
3、
排水板；
4、
保持架；
41、
总水管；
42、
第一支水管；
43、
第一喷水头；
44、
第二支水管；
45、
第二喷水头；
5、
扇形；
6、
水柱中心线；
7、
平行线；
8、
冲击隔离区域
。
具体实施方式
[0014]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0015]如图1‑6所示：一种硅片清洗装置，包括硅片清洗槽1，硅片清洗槽1相对地面倾斜设置，硅片清洗槽1相对地面的倾斜角度不大于
1.5
度，硅片清洗槽1的底部内侧固定连接有延伸至硅片清洗槽1内部的清洗管2，清洗管2有多个，多个清洗管2呈矩阵式分布，清洗管2分为冲洗区
21
和分离区
22
，分离区
22
中的多个清洗管2的顶端分别与硅片清洗槽1的顶端齐平；冲洗区
21
中的多个清洗管2的顶端分别距离硅片清洗槽1的顶端具有一定的间隙；
通过分离区
22
位置处设置的清洗管2中排出的超纯水使圆形硅片
11
与硅片清洗槽1的顶端不接触，圆形硅片
11
距离分离区
22
部分的清洗管2顶部不大于3毫米
。
[0016]进一步而言；在一个可选的实施例中，硅片清洗槽1向下倾斜的一端设置有排水板
3。
[0017]在一个可选的实施例中，硅片清洗槽1的两侧固定连接有保持架4，保持架4的内侧安装有总水管
41
，总水管
41
的上等间距固定连通有多个第一支水管
42
，多个第一支水管
42
的末端均固定连接有第一喷水头
43
，总水管
41
的上等间距固定连通有多个第二支水管
44
，多个第二支水管
44
的末端均固定连通有第二喷水头
45。
[0018]在一个可选的实施例中，两个保持架4上设置的第一喷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅片清洗装置，其特征在于：包括硅片清洗槽（1），所述硅片清洗槽（1）相对地面倾斜设置，所述硅片清洗槽（1）相对地面的倾斜角度不大于
1.5
度，所述硅片清洗槽（1）的底部内侧固定连接有延伸至所述硅片清洗槽（1）内部的清洗管（2），所述清洗管（2）有多个，多个所述清洗管（2）呈矩阵式分布，所述清洗管（2）分为冲洗区（
21
）和分离区（
22
），所述分离区（
22
）中的多个所述清洗管（2）的顶端分别与所述硅片清洗槽（1）的顶端齐平；所述冲洗区（
21
）中的多个所述清洗管（2）的顶端分别距离所述硅片清洗槽（1）的顶端具有一定的间隙；通过所述分离区（
22
）位置处设置的所述清洗管（2）中排出的超纯水使圆形硅片（
11
）与所述硅片清洗槽（1）的顶端不接触，所述圆形硅片（
11
）距离分离区（
22
）部分的所述清洗管（2）顶部不大于3毫米
。2.
根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于：所述硅片清洗槽（1）向下倾斜的一端设置有排水板（3）
。3.
根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于：所述硅片清洗槽（1）的两侧固定连接有保持架（4），所述保持架（4）的内侧安装有总水管（
41
），所述总水管（
41
）上等间距固定连通有多个第一支水管（
42
），多个所述第一支水管（
42
）的末端均固定连接有第一喷水头（
43
），所述总水管（
41
）上等间距固定连通有多个第二支水管（
44
），多个所述第二支水管（
44
）的末端均固定连通有第二喷水头（
45
）
。4.
根据权利要求3所述的硅片清洗装置，其特征在于：两个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋世泰，许玉雷，耿季群，田涛，
申请(专利权)人：济南晶博电子有限公司，
类型：发明
国别省市：