一种新结构屏蔽膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新结构屏蔽膜，属于屏蔽膜领域，包括：基材层，基材层可以选用PET、COP、透明PI或其他透明材料中的一种，以作为屏蔽膜的其他层2ITO叠结构的安装基础，同时还能够提供绝缘保护；ITO层，叠置于所述基材层；铜镍合金网格层，叠置于所述ITO层背离所述基材层的一面，所述铜镍合金网格层的厚度为1

【技术实现步骤摘要】
一种新结构屏蔽膜


[0001]本技术涉及一种屏蔽膜领域，具体是一种新结构屏蔽膜。

技术介绍

[0002]屏蔽膜是一种抗电磁辐射、抗电磁干扰的透光屏蔽装置，主要利用屏蔽材料阻挡或衰减被屏蔽区域与外界之间的电磁能量传输，广泛适用于手机、平板、汽车、保密会议室、仪器仪表视窗等起到阻断电磁干扰作用。
[0003]现有屏蔽膜主要应用的结构有两种：一种是镍铁合金材料制作成整面性网格，劣势在于网格存在透空区，屏蔽效能有一定衰弱；另一种是纯ITO透明导电薄膜方案，因其方阻过大，电场屏蔽效果差，且无法屏蔽磁场效能。现有技术存在的缺陷是无论是上述哪种结构都无法做到保证整面性屏蔽的效果前提下增加屏蔽效能与屏蔽磁场效能。因此，本领域技术人员提供了一种新结构屏蔽膜，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种新结构屏蔽膜，通过在基材上先镀整面性ITO层，同时ITO层上加镀铜镍合金网格层，保证整面性屏蔽的效果前提下增加屏蔽效能与屏蔽磁场效能，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种新结构屏蔽膜，包括：基材层；ITO层，叠置于所述基材层；铜镍合金网格层，叠置于所述ITO层背离所述基材层的一面。
[0007]作为本技术进一步的方案：所述铜镍合金网格层的厚度为1
‑
5um。
[0008]作为本技术再进一步的方案：所述基材包括PET、COP、透明PI中的一种。
[0009]作为本技术再进一步的方案：所述基材层的厚度为25
‑
125um。
[0010]作为本技术再进一步的方案：所述ITO层的厚度为25
‑
50nm。
[0011]作为本技术再进一步的方案：所述ITO层的方阻为25
‑
150ohm。
[0012]作为本技术再进一步的方案：所述铜镍合金网格层的网格线宽为5
‑
10um。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]本申请通过ITO层和铜镍合金网格层的结合方式，其中，ITO层整面屏蔽，铜镍合金网格层增加电场屏蔽效能与磁场屏蔽效能，达到屏蔽效果最大化。
附图说明
[0015]图1为一种新结构屏蔽膜的结构示意图；
[0016]图2为一种新结构屏蔽膜的爆炸结构视图。
[0017]图中：1、基材层；2、ITO层；3、铜镍合金网格层。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]正如本申请的
技术介绍
中提及的，专利技术人经研究发现，现有相关技术中的屏蔽膜通常采用镍铁合金材料制作成整面性网格或纯ITO透明导电薄膜，而两种屏蔽膜结构都存在一定的缺陷，无法做到保证整面性屏蔽的效果前提下增加屏蔽效能与屏蔽磁场效能，影响使用体验。
[0020]为了解决上述问题，本申请公开了一种新结构屏蔽膜，通过在基材上先镀整面性ITO层2，同时ITO层2上加镀铜镍合金网格层3，保证整面性屏蔽的效果前提下增加屏蔽效能与屏蔽磁场效能。
[0021]以下将结合附图对本申请的方案如何解决上述技术问题详细介绍。
[0022]请参阅图1～2，本申请公开了一种新结构屏蔽膜，包括：
[0023]基材层1，基材层1可以选用PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）、COP（环状烯烃聚合物）、透明PI（聚酰亚胺）或其他透明材料中的一种，以作为屏蔽膜的其他层2ITO叠结构的安装基础，同时还能够提供绝缘保护；
[0024]ITO（氧化铟锡）层2，叠置于所述基材层1，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写，其作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线，本申请的ITO层2由于是整面设置的，从而该屏蔽膜具有整面性屏蔽的效果；
[0025]铜镍合金网格层3，叠置于所述ITO层2背离所述基材层1的一面，铜或镍均具有电磁屏蔽效果，可以屏蔽电磁信号，而铜镍合金相较于单一的铜或镍，可以提高强度、耐蚀性、硬度、电阻和热电性，并降低电阻率温度系数，本申请的铜镍合金网格层3能够增加屏蔽效能同时屏蔽磁场效能。
[0026]可选地，所述铜镍合金网格层3的厚度为1
‑
5um。铜镍合金网格层3的厚度太大，则不利于屏蔽膜的整体减薄，厚度太小则屏蔽效果太差，故可以选取铜镍合金网格层3的总厚度1
‑
5um，以兼顾减薄性能和屏蔽性能，其中可以优选3um。
[0027]可选地，所述基材层1的厚度为25
‑
125um。基材层1的厚度太大，则不利于屏蔽膜减薄，基材层1厚度太小，则稳定性太差，不利于实现承载，故可以选取基材层1的厚度为25
‑
125um，以兼顾承载性能和减薄性能，其中可以优先选择50um的厚度。
[0028]可选地，所述ITO层2的厚度为25
‑
50nm。ITO层2的厚度太大，则不利于屏蔽膜减薄，并且穿透率也会变得很差，而ITO层2的厚度太小，又无法起到很好的整面性屏蔽效果，综合考虑，选择ITO层2的厚度为25
‑
50nm，以兼顾减薄性能、穿透性能和屏蔽性能，其中可以优先选择40nm的厚度。
[0029]可选地，所述ITO层2的方阻为25
‑
150ohm。方阻指的就是一个正方形的薄膜导电材料边到边之间的电阻值，值得一提的是，方阻有一个特点：那就是，任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是1分米，它们的方阻都是一样的，之所以我们认为方阻是个很重要的参数，是因为，对ITO方阻的测量可以反映出来ITO层2的厚度、透过率。计
算方阻的具体方法就是：在一长为l，宽w，高d（即为厚度），此时L=l，S=w*d，故R=ρ*l/(w*d)=(ρ/d)*(l/w).令l=w于是R=(ρ/d)，其中，ρ为物质的电阻率，单位为欧姆米（Ω.m），l为长度，单位为米（m），S为截面积，单位为平方米（
㎡
）。不难发现，方阻R与厚度息息相关，厚度越小，方阻越大，为了保证ITO层2的厚度适中，本申请的ITO层2的方阻选择为25
‑
150ohm，其中可以优先选择100ohm。
[0030]可选地，所述铜镍合金网格层3的网格线宽为5
‑
10um。网格线宽太大，则寄生电容过大，影响频率，且无法做到线不可视，而网格线宽太小，寄生电阻又会过大，综合考虑，选择铜镍合金网格层3的网格线宽为5
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新结构屏蔽膜，其特征在于，包括：基材层；ITO层，叠置于所述基材层；铜镍合金网格层，叠置于所述ITO层背离所述基材层的一面。2.根据权利要求1所述的一种新结构屏蔽膜，其特征在于，所述铜镍合金网格层的厚度为1
‑
5um。3.根据权利要求1或2所述的一种新结构屏蔽膜，其特征在于，所述基材包括PET、COP、透明PI中的一种。4.根据权利要求1所述的一种新结构屏蔽膜，其特征在于，所述基材层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李培良，朴成珉，
申请(专利权)人：安徽精卓光显技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：