多段式升压电路制造技术

本申请公开了多段式升压电路。多段式升压电路包括一PFC芯片、一采样电路和一调控电路。采样电路包括若干辅助电阻和一采样电阻，辅助电阻于采样电阻串联，辅助电阻电连接于输出电路，采样电阻的一端电连接于PFC芯片的电压设置引脚，采样电阻的另一端接地。调控电路包括至少三调节回路和一分压回路，其中分压回路包括至少四分压电阻，至少四个分压电阻相互串联，首端的分压电阻电连接于一可调控制电压，末端的分压电阻接地，其中每个调节回路包括一晶体管开关和一调节电阻，每个晶体管开关具有一控制端和两导通端，同一个晶体管开关中的控制端用于控制两个导通端的导通状态，以在晶体管开关导通时，调节电阻的一端接地，使得调节电阻并联在采样电阻。电阻并联在采样电阻。电阻并联在采样电阻。

【技术实现步骤摘要】
多段式升压电路


[0001]本技术涉及电源控制
，具体为多段式升压电路。

技术介绍

[0002]在产品测试仪器、电机调速或LED调光中，都需要用到电压可调电路。
[0003]PFC(Power Factor Correction，功率因素校正)电路可以提高电能的利用率，减少用电设备产生的谐波对电网的污染，尤其是有源PFC电路可以将功率因数值提高到0.99以上，将极大地提高电路的有功功率及减少电路谐波，因此应用范围越来越广。有源PFC电路中包括PFC芯片，其中PFC芯片具有一个电压设置引脚，该电压设置引脚通过一采样电阻获取参考电压，由于采样电阻的阻值一定，该电压设置引脚通过采样电阻得到的参考电压是固定不变的，从而无法调节输出电路。

技术实现思路

[0004]本技术的一个优势在于提供多段式升压电路，调节回路能够使至少三个调节电阻分别地并联在采样电阻，能够分阶地降低采样电阻在电路中的阻值，从而逐渐地调高输出电路的电压。
[0005]为达到本技术以上至少一个优势，本技术提供多段式升压电路，适于多级地调节一输出电路的大小，所述多段式升压电路包括：
[0006]一PFC芯片，所述PFC芯片与所述输出电路电连接；
[0007]一采样电路，所述采样电路包括若干辅助电阻和一采样电阻，所述辅助电阻于所述采样电阻串联，所述辅助电阻电连接于所述输出电路，所述采样电阻的一端电连接于所述PFC芯片的电压设置引脚，所述采样电阻的另一端接地；和
[0008]一调控电路，包括至少三调节回路和一分压回路，其中所述分压回路包括至少四分压电阻，至少四个所述分压电阻相互串联，首端的所述分压电阻电连接于一可调控制电压，末端的所述分压电阻接地，其中每个所述调节回路包括一晶体管开关和一调节电阻，每个所述晶体管开关具有一控制端和两导通端，同一个所述晶体管开关中的所述控制端用于控制两个所述导通端的导通状态，每个所述控制端电连接在两个相邻的所述分压电阻之间，至少三个所述晶体管开关的一个所述导通端通过至少三个所述调节电阻电连接于所述采样电阻，至少三个所述晶体管开关的另一个所述导通端接地，以在所述晶体管开关导通时，所述调节电阻的一端接地，使得所述调节电阻并联在所述采样电阻。
[0009]根据本技术一实施例，所述晶体管开关可被实施为NPN三极管，所述NPN三极管的基极电连接于相邻的所述分压电阻之间，所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的集电极通过所述调节电阻电连接于所述采样电阻。
[0010]根据本技术一实施例，所述调控电路还包括至少三比较器，所述比较器电连接在所述NPN三极管的基极，所述调控电路通过所述比较器比较所述分压电阻分得的电压大小，所述比较器包括一输入端、一基准端和一输出端，所述输出端电连接于所述NPN三极
管的基极，所述比较器的输入端电连接于相邻的所述分压电阻之间，所述分压电阻分得的电压传输至所述比较器，所述基准端电连接于一基准电压，以在所述分压电阻输入至所述比较器的电压大于所述基准电压时，所述比较器的输出端输出一高电平至所述NPN三极管。
[0011]根据本技术一实施例，所述调控电路还包括至少三电阻，所述电阻串联在所述比较器的输出端，所述比较器通过所述电阻输出电信号至所述NPN三极管的基极。
[0012]根据本技术一实施例，所述采样电路还包括一电容，所述电容被并联于所述采样电阻。
[0013]根据本技术一实施例，所述调节回路的数量被实施为三个，所述分压电阻的数量被实施为四个，三个所述调节回路分别被定义为第一调节回路、第二调节回路和第三调节回路，所述第一调节回路、所述第二调节回路和所述第三调节回路相互并联地电连接在所述分压回路。
[0014]根据本技术一实施例，所述第一调节回路包括一第一晶体管开关和一第一调节电阻，所述第一晶体管开关的控制端电连接于首端的所述分压电阻远离所述可调控制电压的一端，所述第一晶体管开关的一个导通端通过所述第一调节电阻电连接于所述采样电阻，所述第一晶体管开关的另一个导通端接地。
[0015]根据本技术一实施例，所述第二调节回路包括一第二晶体管开关和一第二调节电阻，所述第二晶体管开关的控制端电连接于第二个所述分压电阻与第三个所述分压电阻之间，所述第二晶体管开关的一个导通端通过所述第二调节电阻电连接于所述采样电阻，所述第二晶体管开关的另一个导通端接地。
[0016]根据本技术一实施例，所述第三调节回路包括一第三晶体管开关和一第三调节电阻，所述第三晶体管开关的控制端电连接于第三个所述分压电阻与末端所述分压电阻之间，所述第三晶体管开关的一个导通端通过所述第三调节电阻电连接于所述采样电阻，所述第三晶体管开关的另一个导通端接地。
[0017]根据本技术一实施例，所述PFC芯片具体被实施为有源功率因数校正控制器。
附图说明
[0018]图1示出了本技术所述多段式升压电路的电路框图。
[0019]图2示出了本技术所述多段式升压电路中调控电路的具体电路图。
[0020]图3示出了本技术所述多段式升压电路中采样电路和PFC芯片的具体电路图。
具体实施方式
[0021]以下描述用于揭露本技术以使本领域技术人员能够实现本技术。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本技术的精神和范围的其他技术方案。
[0022]本领域技术人员应理解的是，在本技术的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此
上述术语不能理解为对本技术的限制。
[0023]可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
[0024]参考图1至图3，依本技术一较佳实施例的多段式升压电路将在以下被详细地阐述。所述多段式升压电路适于多级地调节一输出电路的大小，所述多段式升压电路包括一调控电路10、一采样电路20和一PFC芯片30。
[0025]所述PFC芯片30与所述输出电路电连接，用于调控所述输出电路的电压。
[0026]所述采样电路20包括若干辅助电阻21和一采样电阻22，所述辅助电阻21与所述采样电阻22串联，所述辅助电阻21电连接于所述输出电路，所述采样电阻22的一端电连接于所述PFC芯片30的电压设置引脚，所述采样电阻22的另一端接地，所述PFC芯片30通过所述采样电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多段式升压电路，适于多级地调节一输出电路的大小，其特征在于，所述多段式升压电路包括：一PFC芯片，所述PFC芯片与所述输出电路电连接；一采样电路，所述采样电路包括若干辅助电阻和一采样电阻，所述辅助电阻于所述采样电阻串联，所述辅助电阻电连接于所述输出电路，所述采样电阻的一端电连接于所述PFC芯片的电压设置引脚，所述采样电阻的另一端接地；和一调控电路，所述调控电路包括至少三调节回路和一分压回路，其中所述分压回路包括至少四分压电阻，至少四个所述分压电阻相互串联，首端的所述分压电阻电连接于一可调控制电压，末端的所述分压电阻接地，其中每个所述调节回路包括一晶体管开关和一调节电阻，每个所述晶体管开关具有一控制端和两导通端，同一个所述晶体管开关中的所述控制端用于控制两个所述导通端的导通状态，每个所述控制端电连接在两个相邻的所述分压电阻之间，至少三个所述晶体管开关的一个所述导通端通过至少三个所述调节电阻电连接于所述采样电阻，至少三个所述晶体管开关的另一个所述导通端接地，以在所述晶体管开关导通时，所述调节电阻的一端接地，所述调节电阻并联在所述采样电阻。2.根据权利要求1所述多段式升压电路，其特征在于，所述晶体管开关可被实施为NPN三极管，所述NPN三极管的基极电连接于相邻的所述分压电阻之间，所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的集电极通过所述调节电阻电连接于所述采样电阻。3.根据权利要求2所述多段式升压电路，其特征在于，所述调控电路还包括至少三比较器，所述比较器电连接在所述NPN三极管的基极，所述调控电路通过所述比较器比较所述分压电阻分得的电压大小，所述比较器包括一输入端、一基准端和一输出端，所述输出端电连接于所述NPN三极管的基极，所述比较器的输入端电连接于相邻的所述分压电阻之间，所述分压电阻分得的电压传输至所述比较器，所述基准端电连接于一基准电压，以在所述分压电阻输入至所述比较器的电压大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邬金奎，
申请(专利权)人：柏宜照明上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：