本发明专利技术公开了一种新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式。本发明专利技术的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足，提出一种新的连接方式。其特征在于：选用３个相同型号的两极开关，１号开关的左极等效为单极开关Ｋ１，１号开关的右极和２号开关的左极并联等效为两级开关Ｋ２，２号开关的右极和３号开关的左极并联等效为两级开关Ｋ３，３号开关的右极等效为单极开关Ｋ４。采用这种新型的开关连接方式，开关的连接排既有上进下出，也有下进上出，在实现大电流情况下开关的并联连接的同时，大大简化了设备的连接方式，降低了设备成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及新型制备多晶硅的直流还原系统中多路电源的并联方式，特别涉及多 电源并联运行时大电流并联开关选择及其连接方式。
技术介绍
制备多晶硅的直流还原系统具有功率因数高、电耗低、硅棒成长品质高等优点，市 场推广意义大。多晶硅还原过程中后期需要大电流，在直流还原系统中可采用3路电源并 联提供大电流。图1为3路电源并联的电路示意图。三个电源UpU2和U3的正极U1+、U2+和U3+可 通过开关K1和K2连接，负极Ui_、U2_和U3-可通过开关K3和K4连接，实现3路电源并联。当 开关KnKyK3和K4闭合时，三路电源UpU2和U3处于并联运行状态，共同为负载R供电。为 了实现多路电源的并联运行，大电流并联开关K1, K2，K3和K4的选择及其连接方式的设计是 关键。根据基尔霍夫定律，流经开关K2的电流近似等于流经开关K1的电流的2倍；而流经 开关K3的电流近似等于流经开关K4的电流的2倍。因此为了实现多路电源的并联运行，在 设计大电流并联电源系统的连接方式时除了考虑并联开关的成本、整套设备空间，还要考 虑并联开关的额定电流等电气参数和连接方式。为了实现大电流电源系统的并联运行，传统的连接方式主要有以下2种一是选用4个单极开关来连接，K1和K4容易选型，但大电流开关K2和K3不易加工， 且成本很高，体积大。二是K1和K4选用2个单极开关，大电流开关K2和K3选用2个两极开关。其中两 极开关并联起来当成单极开关用，并采用传统的上进下出的开关连接方式，如图2所示，其 具体连接方式如下(1)电源U1的正极U1+与单极开关K1的上端K11连接，开关K1的下端K12通过正连 接排1与两级开关K2的上端K21和K23相连；电源U2的正极U2+连接在正连接排1的中间位 置；电源U3的正极U3+通过正连接排2与两级开关K2的下端K22和K24相连。(2)同理，电源U1的负极U1-与单极开关K4的上端K41连接，开关K4的下端K42通 过负连接排1与两级开关K3的上端K31和K33相连；电源U2的负极U2-连接在负连接排1的 中间位置；电源U3的负极U3-通过负短接排2与K3的下端K32和K34相连。采用这种开关连接方式的缺点主要有连接排用量大、成本较高、体积大、连接方 式过于复杂等。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足，提出一种新的连 接方式。其特征在于选用3个相同型号的两极开关，1号开关的左极等效为单极开关K1, 1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2, 2号开关的右极和3号开关的左 极并联等效为两级开关K3, 3号开关的右极等效为单极开关K4。采用这种新型的开关连接方式，开关的连接排既有上进下出，也有下进上出，在实现大电流情况下开关的并联连接的 同时，大大简化了设备的连接方式，降低了设备成本。本专利技术与传统的大电流并联开关的连接方式相比，主要有以下几个优点1.与传统方式相比，本专利技术可以减少开关数量和种类，减小设备体积；2.与传统方式相比，本专利技术开关的连接方式简单，可有效地降低成本；3.与传统方式相比，本专利技术扩展到采用3路以上电源并联的电路中时可操作性更强。附图说明图1为本专利技术3路电源并联的电路示意图。图2为传统大电流并联开关的连接方式。图3为本专利技术大电流并联开关的连接方式。具体实施例方式下面结合附图，对本专利技术实施例作详细说明。本专利技术大电流并联开关的连接方式如图3所示，1号开关的左极等效为图1中的 K1，把1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为图1中的K2，把2号开关的右极和3号 开关的左极并联等效为图1中的K3，把3号开关的右极等效为图1中的K4。其具体连接方 式如下(1)正极把电源U1的正极U1+与1号开关左极的上端K11相连，1号开关左极的下 端K12通过正短接排1与1号开关右极的下端K14和2号开关左极的下端K22相连，电源U2 的正极U2+连接在正短接排1的中间位置。电源U3的正极U3+通过正短接排2与1号开关 右极的上端K13和2号开关左极的上端K21相连。这样就实现了 3路电源UpU2和U3的正极 U1+、U2+和U3+之间的连接。(2)负极把电源U3的负极U3_与3号开关右极的上端K33相连，3号开关右极的下 端K34通过负短接排1与3号开关左极的下端K32和2号开关右极的下端K24相连，电源U2 的负极U2_连接在负短接排1的中间位置。电源Ul的负极U1-通过负短接排2与3号开关 左极的上端K31和2号开关右极的上端K23相连。这样就实现了 3路电源UpU2和U3的负极 UpU2_和U3_之间的连接。本专利技术适用于新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式，但 保护范围并不局限于此，任何电力电子领域的技术人员都应尊重本专利技术的权利要求。权利要求新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式，其特征在于选用3个相同型号的两极开关，其中1号开关的左极等效为单极开关K1，1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2，2号开关的右极和3号开关的左极并联等效为两级开关K3，3号开关的右极等效为单极开关K4。全文摘要本专利技术公开了一种新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式。本专利技术的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足，提出一种新的连接方式。其特征在于选用3个相同型号的两极开关，1号开关的左极等效为单极开关K1，1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2，2号开关的右极和3号开关的左极并联等效为两级开关K3，3号开关的右极等效为单极开关K4。采用这种新型的开关连接方式，开关的连接排既有上进下出，也有下进上出，在实现大电流情况下开关的并联连接的同时，大大简化了设备的连接方式，降低了设备成本。文档编号H02J1/10GK101950961SQ201010125520公开日2011年1月19日 申请日期2010年3月17日 优先权日2010年3月17日专利技术者何 雄, 孙利娟, 孟军刚, 李志君, 贺明智, 魏光建 申请人:北京京仪椿树整流器有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式，其特征在于：选用３个相同型号的两极开关，其中１号开关的左极等效为单极开关Ｋ↓［１］，１号开关的右极和２号开关的左极并联等效为两级开关Ｋ↓［２］，２号开关的右极和３号开关的左极并联等效为两级开关Ｋ↓［３］，３号开关的右极等效为单极开关Ｋ↓［４］。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙利娟，贺明智，李志君，何雄，魏光建，孟军刚，
申请(专利权)人：北京京仪椿树整流器有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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