芯片封装结构、存储器及芯片封装方法技术

本发明专利技术公开一种芯片封装结构，包括：基板；WB芯片，所述WB芯片的一面设置有焊盘，所述WB芯片倒装放置于所述基板，所述焊盘朝向所述基板；其中，所述基板朝向所述WB芯片的一面设置有与所述焊盘位置对应的电连接区，所述电连接区处设置有与所述焊盘焊接相连的电连接部。本发明专利技术通过采用倒装焊接的方式，使基板上的电连接部与WB芯片上的焊盘相互连接，无需采用引线键合的方式完成封装，缩短了信号通路长度，提高了信号的质量，并且可以有效的进行散热，降低了芯片功耗。低了芯片功耗。低了芯片功耗。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构、存储器及芯片封装方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，特别涉及一种芯片封装结构、存储器及芯片封装方法。

技术介绍

[0002]在现今的信息社会中，均追求高速度、高品质、多功能性的产品，而就产品外观而言，朝向轻、薄、短、小的趋势迈进。一般电子产品均具有半导体芯片及与半导体芯片电连接的承载器，其中WB芯片通常采用引线键合工艺(Wire bonding，WB)进行封装，然而引线键合的信号通路较长从而导致功耗大，散热效率低；并且引线键合操作繁琐，大多数高功率应用需要多次粗引线键合，使得连接点数量较多，从而导致故障的发生率也越高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种芯片封装结构，旨在解决WB芯片采用引线键合时步骤繁琐、功耗大、散热效率低的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括：
[0005]基板；
[0006]WB芯片，所述WB芯片的一面设置有焊盘，所述WB芯片倒装放置于所述基板，所述焊盘朝向所述基板；
[0007]其中，所述基板朝向所述WB芯片的一面设置有与所述焊盘位置对应的电连接区，所述电连接区处设置有与所述焊盘焊接相连的电连接部。
[0008]在一些实施例中，所述焊盘设有多个，且所述电连接区对应设有多个，多个所述焊盘沿直线方向布置于所述WB芯片的一侧。
[0009]在一些实施例中，还包括：
[0010]胶层，设置于所述基板上且与所述WB芯片粘接相连。/>[0011]在一些实施例中，所述胶层与所述电连接部的高度一致。
[0012]在一些实施例中，还包括：
[0013]主控芯片，所述主控芯片位于所述WB芯片上且与所述基板引线键合。
[0014]在一些实施例中，还包括：
[0015]外壳，罩设于所述基板以对所述WB芯片、主控芯片进行封装。
[0016]本专利技术进一步提出一种存储器，包括主板和前述实施例中记载的芯片封装结构，所述芯片封装结构设置于所述主板上。
[0017]本专利技术进一步提出一种芯片封装方法，包括：
[0018]在基板上设置电连接区，并在所述电连接区处设置电连接部；
[0019]将WB芯片倒装放置于所述基板上，并使所述WB芯片的焊盘与所述电连接部对位；
[0020]焊接所述焊盘和所述电连接部；
[0021]在所述基板上形成外壳，对所述WB芯片进行封装。
Bonding，即打线、焊线)芯片100的焊盘110分布在WB芯片100的边缘位置，通常采用引线键合的方式进行封装，而这无法满足不同尺寸的封装需求，使得该WB芯片100的应用场景极为有限。
[0041]本专利技术提供了一种芯片封装结构，如图1至图4所示，该芯片封装结构包括：
[0042]基板200；
[0043]WB芯片100，WB芯片100的一面设置有焊盘110，WB芯片100倒装放置于基板200，焊盘110朝向基板200；
[0044]其中，基板200朝向WB芯片100的一面设置有与焊盘110位置对应的电连接区，电连接区处设置有与焊盘110焊接相连的电连接部。
[0045]基板200的种类很多，按板的增强材料不同，可划分为：纸基、玻璃纤维布基、复合基、积层多层板基和特殊材料基五大类。优选的，本专利技术采用玻璃纤维布基中的BT板(Bismaleimide Triazine，双马来酰亚胺改性三嗪树脂)，其具有很高的玻璃化温度(Tg)，优秀的介电性能、低热膨胀率以及良好的力学特征，更加适用于封装。
[0046]为了使基板200连接WB芯片100上的焊盘110，在基板200上与焊盘110相对的区域设置电连接区，也即是对基板200进行开窗处理，露出基板200内的金属线，便于WB芯片100与基板200之间连接。需要注意的是，WB芯片100上并非所有的焊盘110都需要连接基板200，对于一些无意义的焊盘110，基板200上无需设置电连接区。
[0047]基板200的电连接区上设置有电连接部，以便WB芯片100通过电连接部进行信号传输。具体的，电连接部以能够进行导电的材料构成，示例性的，电连接部的材料可以为金属材料或其组合，其中，可以包括金、银、铜、铅和锡等，以及各种不同组分的合金。例如，电连接部包括基板200上的金属线和设置在金属线上的焊料凸点210。焊料凸点210的材料可以被分为三种：熔点超过250℃的高温焊料(95％Pb
‑
5％Sn与97％Pb
‑
3％Sn等)、熔点为200℃～250℃的中温焊料(96.5％Sn
‑
3.0％Ag
‑
0.5％Cu，99％Sn
‑
0.3％Ag
‑
0.7％Cu与96.5％Sn
‑
3.5％Ag等)以及熔点低于200℃的低温焊料(37％Pb
‑
63％Sn共晶，42％Sn
‑
58％Bi共晶以及48％Sn
‑
52％In等)，可根据实际情况来选择。
[0048]值得一提的，WB芯片100是通常意义上的正装芯片，一般是通过金线将WB芯片100的焊盘110与基板200进行连接，也即是引线键合，由于WB芯片100上设置有焊盘110的一面背离基板200，因此需要一定的空间来容纳金线。而本实施例通过倒装的方式，使得WB芯片100上设置有焊盘110的一面正对基板200，使焊盘110与基板200之间的连接距离更短，信号传输延迟减小，传输信号适应频率大大提高，可以传输更宽范围内的信号，并且可以有效的进行散热，降低了WB芯片100的功耗。
[0049]如图4所示，在一些实施例中，焊盘110设有多个，且电连接区对应设有多个，多个焊盘110沿直线方向布置于WB芯片100的一侧。WB芯片100作为通常采用引线键合完成封装的芯片，其上布置有多个焊盘110，将焊盘110的位置设置在WB芯片100的一侧以便于后续与电连接部之间的连接。
[0050]如图2所示，在一些实施例中，芯片封装结构还包括：
[0051]胶层300，设置于基板200上且与WB芯片100粘接相连。
[0052]具体的，在WB芯片100固定在基板200上时，胶层300起粘贴以及支撑作用，防止WB芯片100与基板200之间的连接不稳固，造成WB芯片100损坏。可以理解的，胶层300仅仅指代
的是起粘贴支撑作用一类物质，任何能起到相同作用的材料都应当在本专利技术的保护范围内。例如环氧树脂。环氧树脂的粘接强度高，拉伸强度好，附着力强，更适合作为支撑以及粘接WB芯片100的材料。可选的，也可以使用环氧树脂热固性膜，这种膜通常由环氧树脂、有机硅化合物等多种材料组成，具有较高的耐热性、粘接强度和可靠性。
[0053]如图2所示，在一些实施例中，胶层300与电连接部的高度一致。具体的，在基板200对应WB芯片100的位置涂抹适量UV胶或其它胶水，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板；WB芯片，所述WB芯片的一面设置有焊盘，所述WB芯片倒装放置于所述基板，所述焊盘朝向所述基板；其中，所述基板朝向所述WB芯片的一面设置有与所述焊盘位置对应的电连接区，所述电连接区处设置有与所述焊盘焊接相连的电连接部。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊盘设有多个，且所述电连接区对应设有多个，多个所述焊盘沿直线方向布置于所述WB芯片的一侧。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：胶层，设置于所述基板上且与所述WB芯片粘接相连。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述胶层与所述电连接部的高度一致。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：主控芯片，所述主控芯片位于所述WB芯片上且与所述基板引线键合。6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：外壳，罩设于所述基板以对所述WB芯片、主控芯片进行封装。7.一种存储器，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，何瀚，王灿，刘昆奇，覃云珍，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：