电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种电子装置，包括基板、线路层以及多个电子元件。基板定义小于或等于100微米的厚度；其中，基板进一步定义多个穿透率，且在光线波长500纳米以上、1300纳米以下的条件下，至少一个穿透率为20％以上。线路层设置于基板上；其中，线路层包含多个连接垫片。这些电子元件设置于基板上；其中，各电子元件在朝向基板的面设有至少一个电极，各电子元件的至少一个电极与其中一个连接垫片为共晶连接。少一个电极与其中一个连接垫片为共晶连接。少一个电极与其中一个连接垫片为共晶连接。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本专利技术涉及一种电子装置，具体涉及一种可以提升结合良率的电子装置。

技术介绍

[0002]在半导体封装工艺中，覆晶接合技术广泛被采用。一般而言，将电子元件(例如芯片)以覆晶方式接合于基板的方式大致有下列三类：一是利用焊接凸块接合方式；二是异方性导电胶(ACF)接合方式；三是金对金压接方式。就上述三种接合方式而言，最常使用者的接合方式为第一种和第二种。其中，第一种接合方式经常利用于一般的芯片封装工艺中，而第二种接合方式经常利用于例如液晶显示器的工艺中。
[0003]第二种接合方式最常遇见的问题即是芯片上的电极不能100％与异方性导电胶中的导电球接触，进而导致产品良率下降。为了避免此良率下降问题，通常芯片电极的面积不能过小，但如此一来，将会限制芯片面积进一步缩小(shrink)。
[0004]因此，如何提供一种可以提升电子元件与基板之间的结合良率，从而达到有利于芯片电极的面积缩小的接合方式，实乃一重要课题。

技术实现思路

[0005]有鉴于上述课题，本专利技术的目的是提供一种电子装置，可充分利用基板透光特性的接合方式。
[0006]为达上述目的，依据本专利技术的一种电子装置，包括基板、线路层以及多个电子元件。基板定义小于或等于100微米的厚度；其中，基板进一步定义多个穿透率，且在光线波长500纳米以上、1300纳米以下的条件下，至少一个穿透率为20％以上。线路层设置于基板上；其中，线路层包含多个连接垫片。这些电子元件设置于基板上；其中，各电子元件在朝向基板的面设有至少一个电极，各电子元件的至少一个电极与其中一个连接垫片为共晶连接。
[0007]在一个实施例中，基板为柔性基板。
[0008]在一个实施例中，穿透率于光线波长550纳米以上的条件下为30％以上。
[0009]在一个实施例中，穿透率于光线波长550纳米以上的条件下为40％以上。
[0010]在一个实施例中，穿透率于光线波长550纳米以上的条件下为55％以上。
[0011]在一个实施例中，穿透率于光线波长1300纳米以下的条件下为100％以下。
[0012]在一个实施例中，穿透率于光线波长1300纳米以下的条件下为95％以下。
[0013]在一个实施例中，各连接垫片定义10微米以下的锡厚。
[0014]在一个实施例中，各电子元件的至少一个电极定义10微米以下的锡厚。
[0015]在一个实施例中，各电子元件的至少一个电极与所对应的连接垫片之间定义10微米以下的锡厚。
[0016]在一个实施例中，基板设置有这些电子元件的面定义为上表面，基板远离这些电子元件的另一面定义为下表面，基板的上表面与其中一个电子元件朝向基板的面定义20微米以下的间距。
[0017]在一个实施例中，共晶连接由雷射接合所形成。
[0018]在一个实施例中，基板设置有这些电子元件的面定义为上表面，基板远离这些电子元件的另一面定义为下表面；雷射由基板的下表面朝该上表面的方向提供。
[0019]在一个实施例中，雷射照射至少一个连接垫片。
[0020]在一个实施例中，雷射照射其中一个电子元件的至少一个电极与所对应的连接垫片之间。
[0021]在一个实施例中，这些电子元件为自发光元件。
[0022]在一个实施例中，该厚度进一步小于或等于50微米。
[0023]在一个实施例中，该厚度进一步小于或等于20微米。
[0024]在一个实施例中，其中一个连接垫片、及其对应的一个电子元件的一个电极定义面积比；该面积比大于或等于1、小于或等于6。
附图说明
[0025]图1A至图2B分别为本专利技术的实施例的电子装置的不同示意图。
[0026]图3为实施例的电子装置中，基板的穿透率与光线波长的关系示意图。
具体实施方式
[0027]以下将参照相关附图，说明依本专利技术一些实施例的电子装置，其中相同的元件将以相同的附图标记加以说明。以下实施例绘示的附图只是示意元件或单元之间的相对关系，不代表元件或单元真实的尺寸或比例。
[0028]请参照图1A至图3所示，其中，图1A至图2B分别为本专利技术的实施例的电子装置的不同示意图，而图3为实施例的电子装置中，基板的穿透率与光线波长的关系示意图。
[0029]电子装置1包括基板11、线路层12以及多个电子元件13。
[0030]基板11为可透光材料制成，基板11可为柔性基板，例如但不限于包括聚亚酰胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)或环状烯烃接合物(COP)、或其他材料，或包括前述材料的任意组合。本实施例的基板11的材料是以PI为例。基板11定义大于0且小于或等于100微米的厚度d(0≦d≦100μm)；在一些实施例中，基板可为可透光的玻璃基板，且在玻璃基板的厚度小于或等于100微米时，也可能存在变形而具有微曲率。在此，基板11的表面111上设有电子元件13，而厚度d为垂直表面111的厚度。基板11通常具有均一的厚度d，但不限制；基板11的厚度d不均时，则厚度d定义为基板11本身的最小厚度。在一些实施例中，基板11的厚度d进一步可为50微米、20微米、或以下。
[0031]如图3所示，基板11进一步可定义多个穿透率(transmittance)，并且在光线波长500纳米(nm)以上、1300纳米(nm)以下的条件下，至少一个该穿透率为20％以上(即前述穿透率≧20％/在波长500nm以上)。图3的曲线C是厚度d为25μm的条件下所量测到的穿透率曲线。在一些实施例中，于光线波长550纳米以上的条件下，基板11的穿透率进一步可为30％以上(穿透率≧30％/在波长550nm以上)；又例如，穿透率于光线波长550纳米以上的条件下可例如为40％以上、或55％以上、或穿透率于光线波长1300纳米以下的条件下可为100％以下、或例如95％以下。
[0032]线路层12设置于基板11。在一些实施例中，线路层12设置于基板11的其中一个表面上。在一些实施例中，线路层12可包括传输电信号的导电层或/及导线，从而基板11可为线路基板、或可供驱动电子元件13的驱动电路板。线路层12包含有多个连接垫片121、122。图1A至图2B分别是以4个连接垫片121、122为例，当然，连接垫片121、122的数量并不以此为限，视电子元件13的数量而定。线路层12或连接垫片121、122的材料可例如包括金、银、铜、钛、锡或铝等金属、或其组合、或其组合的合金，或其他可以导电的材料。线路层12或连接垫片121、122可为单层或多层的结构。在一些实施例中，各连接垫片121、122可定义有10微米以下的锡厚(锡的厚度小于或等于10μm)，由此，将有利于后续的电连接工艺。值得注意的是，此时的锡材料为各连接垫片121、122的多层材料的其中一个层、且非与各连接垫片121、122彼此独本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括：基板，其定义小于或等于100微米的厚度；其中，所述基板进一步定义多个穿透率，且在光线波长500纳米以上、1300纳米以下的条件下，至少一个所述穿透率为20％以上；线路层，设置于所述基板上；其中，所述线路层包含多个连接垫片；以及多个电子元件，设置于所述基板上；其中，各所述电子元件在朝向所述基板的面设有至少一个电极，各所述电子元件的所述至少一个电极与其中一个所述连接垫片为共晶连接。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述基板为柔性基板。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述穿透率于光线波长550纳米以上的条件下为30％以上。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，各所述电子元件的所述至少一个电极与所对应的所述连接垫片之间定义10微米以下的锡厚。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述基板设置有所述电子元件的面定义为上表面，所述基板远离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴逸桦，李晋棠，
申请(专利权)人：方略电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：