本发明专利技术公开了一种显示面板的制备方法,包括:提供驱动背板;在驱动背板上形成电极阵列,电极阵列包括多个呈阵列排布的像素电极,在电极阵列上形成覆盖电极阵列的蓝光发光层;在蓝光发光层上形成薄膜封装层,以对蓝光发光层进行封装;在薄膜封装层上形成像素限定层,并在像素限定层上形成对应像素电极的凹坑;在像素限定层远离驱动背板的一侧形成整层量子点层;其中量子点层填充凹坑;减薄量子点层,以去除量子点层在凹坑所在区域之外的部分。本发明专利技术可以有效提高显示面板的分辨率,同时制备工艺简单,可有效降低显示面板的生产周期。可有效降低显示面板的生产周期。可有效降低显示面板的生产周期。
【技术实现步骤摘要】
一种显示面板的制备方法
[0001]本专利技术涉及显示器制造
,尤其涉及一种显示面板的制备方法。
技术介绍
[0002]目前,全彩的显示面板实现是通过在白光背板上设置彩色滤光片,使得显示面板呈现全彩显示。然而,彩色滤光片的玻璃常规厚度为0.5mm或0.7mm,厚度较大使得使用彩色滤光片的显示面板的整体厚度及重量增加通常。
[0003]现有技术中,为解决上述彩色滤光片存在的问题,通常使用量子点光转换膜技术来提高显示面板的色彩饱和度及色域值,其原理在于在高分子聚合膜中添加红色及绿色量子点,然后通过蓝光OLED器件发射的蓝光去激发膜中的红色和绿色量子点,使其产生红色和绿色发射光,进一步通过RGB三原色组合生成白光,以达到提高显示面板的色彩饱和度的目的。
[0004]但在实际应用过程中,由于高分子聚合膜中红色及绿色量子点的添加多是通过喷墨打印的方法制作,喷墨打印的分辨率很低,致使现有技术中量子点光转换膜的精度差,无法满足显示面板高分辨率的需求,业内有研究将量子点制作成光刻胶材料进行光刻实现高分辨率像素化,但是该方案对量子点制备工艺要求复杂。
技术实现思路
[0005]本专利技术提供了一种显示面板的制备方法,可有效提高显示面板的分辨率,同时制备工艺简单,可有效降低显示面板的生产周期。
[0006]本专利技术提供了一种显示面板的制备方法,包括:提供驱动背板;在驱动背板上形成电极阵列,电极阵列包括多个呈阵列排布的像素电极,在电极阵列上形成覆盖电极阵列的蓝光发光层;在蓝光发光层上形成薄膜封装层,以对蓝光发光层进行封装;在薄膜封装层上形成像素限定层,并在像素限定层上形成对应像素电极的凹坑;在像素限定层远离驱动背板的一侧形成整层量子点层;其中量子点层填充凹坑;减薄量子点层,以去除量子点层在凹坑所在区域之外的部分。
[0007]可选地,在薄膜封装层上形成像素限定层,并在像素限定层上形成对应像素电极的凹坑,包括:在薄膜封装层上形成第一像素限定层,并在第一像素限定层上形成第一凹坑;在像素限定层远离驱动背板的一侧形成整层量子点层,包括:在第一像素限定层远离驱动背板的一侧形成整层第一量子点层;减薄量子点层,以去除量子点层在凹坑所在区域之外的部分,包括:减薄第一量子点层,以去除第一量子点层在第一凹坑所在区域之外的部分。
[0008]可选地,在减薄第一量子点层,以去除第一量子点层在第一凹坑所在区域之外的部分之后,还包括:形成第二像素限定层,第二像素限定层覆盖第一量子点层,在第一像素限定层和第二像素限定层上形成第二凹坑,第二凹坑至少贯穿第二像素限定层;在像素限定层远离驱动背板的一侧形成整层量子点层,还包括:在第二像素限定层远离驱动背板的
一侧形成整层第二量子点层;其中,第一量子点层和第二量子点层分别为红色量子点薄膜或者蓝色量子点薄膜中的一种;减薄量子点层,以去除量子点层在凹坑所在区域之外的部分,包括:减薄第二量子点层,以去除第二量子点层在第二凹坑所在区域之外的部分。
[0009]可选地,在第一像素限定层和第二像素限定层上形成第二凹坑,包括:刻蚀第一像素限定层和第二像素限定层形成第二凹坑;其中,若第一量子点层的厚度与第二量子点层的厚度不相同,则第二凹坑贯穿第一像素限定和第二像素限定层;若第一量子点层的厚度与第二量子点层的厚度相同,则第二凹坑贯穿第二像素限定层,不贯穿第一像素限定层。
[0010]可选地,在薄膜封装层上形成像素限定层,并在像素限定层上形成对应像素电极的凹坑,包括:在像素限定层上形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光、显影去掉对应像素电极位置处的光刻胶,接着刻蚀去掉对应像素电极位置处的像素限定层,以形成凹坑。
[0011]可选地,在薄膜封装层上形成像素限定层之前,还包括:在相邻两个像素电极之间形成光阻。
[0012]可选地,在减薄量子点层,以去除量子点层在凹坑所在区域之外的部分之后,还包括:在量子点层上形成表层保护层。
[0013]可选地,表层保护层的厚度范围为10nm至200nm。
[0014]可选地,表层保护层采用SiO、SiN或PET材料制成。
[0015]可选地,通过旋涂或者刮涂的方式形成量子点层。
[0016]本专利技术实施例的技术方案,通过在像素限定层对应像素电极的凹坑位置设置量子点层,避免了彩色滤光片的使用,有效减少了使用本专利技术的显示面板的制备方法制备的显示面板的重量及厚度;并无需通过喷墨打印的方法制作量子点层,从而可有效提高显示面板的分辨率,同时无需将量子点材料与光刻胶结合,开发具有光刻胶性质的量子点层,可以直接通过旋涂或者刮涂的方式在像素限定层对应像素电极的凹坑位置处形成量子点层,因此制备工艺简单,从而有效降低显示面板的生产周期。
[0017]应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图;
[0020]图2是本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图;
[0021]图3是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程图;
[0022]图4是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的制备工艺的流程示意图;
[0023]图5是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程图;
[0024]图6是本专利技术实施例提供的又一种显示面板的制备工艺的流程示意图;
[0025]图7是在相邻两个像素电极之间形成光阻的示意图。
具体实施方式
[0026]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本专利技术保护的范围。
[0027]需要说明的是,本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0028]正如
技术介绍
所述,现有的显示面板的制备方法存在制作本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:提供驱动背板;在所述驱动背板上形成电极阵列,所述电极阵列包括多个呈阵列排布的像素电极,在所述电极阵列上形成覆盖所述电极阵列的蓝光发光层;在所述蓝光发光层上形成薄膜封装层,以对所述蓝光发光层进行封装;在所述薄膜封装层上形成像素限定层,并在所述像素限定层上形成对应所述像素电极的凹坑;在所述像素限定层远离所述驱动背板的一侧形成整层量子点层;其中所述量子点层填充所述凹坑;减薄所述量子点层,以去除所述量子点层在所述凹坑所在区域之外的部分。2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于:在所述薄膜封装层上形成像素限定层,并在所述像素限定层上形成对应所述像素电极的凹坑,包括:在所述薄膜封装层上形成第一像素限定层,并在所述第一像素限定层上形成第一凹坑;在所述像素限定层远离所述驱动背板的一侧形成整层量子点层,包括:在所述第一像素限定层远离所述驱动背板的一侧形成整层第一量子点层;所述减薄所述量子点层,以去除所述量子点层在所述凹坑所在区域之外的部分,包括:减薄所述第一量子点层,以去除所述第一量子点层在所述第一凹坑所在区域之外的部分。3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于:在减薄所述第一量子点层,以去除所述第一量子点层在所述第一凹坑所在区域之外的部分之后,还包括:形成第二像素限定层,所述第二像素限定层覆盖所述第一量子点层,在所述第一像素限定层和所述第二像素限定层上形成第二凹坑,所述第二凹坑至少贯穿所述第二像素限定层;在所述像素限定层远离所述驱动背板的一侧形成整层量子点层,还包括:在所述第二像素限定层远离所述驱动背板的一侧形成整层第二量子点层;其中,所述第一量子点层和所述第二量子点层分别为红色量子点薄膜或者蓝色量子点薄膜中...
【专利技术属性】
技术研发人员:王卫卫,李高敏,周文斌,孙剑,高裕弟,
申请(专利权)人:昆山工研院半导体显示研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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