硅片光刻报警改善方法技术

本发明专利技术硅片光刻报警改善方法，包括：1）改变衬底片背封结构为Sub

【技术实现步骤摘要】
硅片光刻报警改善方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及硅片光刻技术，具体的，是一种硅片光刻报警改善方法。

技术介绍

[0002]参阅图1，在硅片光刻
中，衬底片的背封结构为： Sub
→
POLY
→
LTO，其中：POLY：背面多晶，属于外吸杂工艺，对于wafer体金属/缺陷起到牵引作用；LTO：背面氧化硅，由于其致密性高，对于重掺衬底的Auto Doping起到抑制作用，降低对外延层电阻率的影响。
[0003]衬底片经过1100℃~1200℃下外延过程，为SiHX1ClY+X2H2
→
Si+YHCL，衬底片经过反应产生成的Si，不仅仅生长在衬底正面，倒角处和背面LTO处仍出现析硅现象参见图2
‑
4，导致边缘不平整，造成光刻无法对准，出现报警问题。
[0004]因此，有必要提供一种硅片光刻报警改善方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种硅片光刻报警改善方法。
[0006]技术方案如下：一种硅片光刻报警改善方法，包括：1）改变衬底片背封结构为Sub
→
LTO
→
POLY；POLY处于wafer最外端，吸附chamber/外界杂质，有效防止生成Si的附着，避免边缘的局部不平整；2）增加基座，将本征硅生长于基座表面，基座的POLY会吸收chamber多余气氛，保护wafer背面边缘区域，有效防止生成Si的附着。
[0007]进一步的，1）中，POLY致密性较低，吸杂作用不针对wafer本身。
[0008]进一步的，2）中对应生长外延，基座设置有step。
[0009]进一步的，2）中，step数量为两个，对称设置于基座上，且对应本征硅端部两侧，形成基座包硅结构。
[0010]进一步的，结合酸腐蚀和碱腐蚀各自的优点，使用混合腐蚀工艺来改变硅片的粗糙度及光泽度，来匹配不同硅片加工设备的真空吸附度。
[0011]进一步的，混合腐蚀工艺为先酸后碱或者先碱后酸。
[0012]进一步的，对衬底片的边缘处理，形成析Si问题有效抑制结构。
[0013]与现有技术相比，本专利技术有效的改善了光刻报警触发的频次，增加了良率，改善了几何参数恶化的情况，减少了后道清洗工序，减少了成本。
附图说明
[0014]图1是衬底片经过1100℃~1200℃下TCS与H2反应示意图。
[0015]图2是现有技术中，衬底片的倒角处析Si示意图。
[0016]图3是现有技术中，衬底片的背面LTO析Si示意图。
[0017]图4是现有技术中，衬底片的衬底正面析Si示意图。
[0018]图5本专利技术的示意图。
[0019]图6是本专利技术结合边缘抛光的边缘示意图。
[0020]图7是图6中部分区域的放大图。
实施方式实施例
[0021]请参阅图5，本实施例展示一种硅片光刻报警改善方法，包括：1）改变衬底片背封结构为Sub
→
LTO
→
POLY；POLY处于wafer100最外端，吸附chamber/外界杂质，有效防止生成Si的附着，避免边缘的局部不平整；2）增加基座200，将本征硅生长于基座200表面，基座200的POLY会吸收chamber多余气氛，保护wafer100背面边缘区域，有效防止生成Si的附着。
[0022]1）中，POLY致密性较低，吸杂作用不针对wafer100本身。
[0023]2）中对应生长外延，基座200设置有step201。
[0024]2）中，step201数量为两个，对称设置于基座200上，且对应本征硅端部两侧，形成基座包硅结构。
[0025]结合酸腐蚀和碱腐蚀各自的优点，使用混合腐蚀工艺来改变硅片的粗糙度及光泽度，来匹配不同硅片加工设备的真空吸附度。
[0026]混合腐蚀工艺为先酸后碱或者先碱后酸。
[0027]参阅图6、7，对衬底片的边缘处理，形成析Si问题有效抑制结构。
[0028]与现有技术相比，本专利技术有效的改善了光刻报警触发的频次，增加了良率，改善了几何参数恶化的情况，减少了后道清洗工序，减少了成本。
[0029]以上所述的仅是本专利技术的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片光刻报警改善方法，其特征在于：包括：1）改变衬底片背封结构为Sub
→
LTO
→
POLY；POLY处于wafer最外端，吸附chamber/外界杂质，有效防止生成Si的附着，避免边缘的局部不平整；2）增加基座，将本征硅生长于基座表面，基座的POLY会吸收chamber多余气氛，保护wafer背面边缘区域，有效防止生成Si的附着。2.根据权利要求1所述的一种硅片光刻报警改善方法，其特征在于：1）中，POLY致密性较低，吸杂作用不针对wafer本身。3.根据权利要求1所述的一种硅片光刻报警改善方法，其特征在于：2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆鑫浩，徐建斌，王余旭，林涛，曹锦伟，李仕权，谢江华，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：