【技术实现步骤摘要】
对硅片边缘手动加工缺口的操作方法
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种对硅片边缘手动加工缺口的操作方法
。
技术介绍
[0002]目前，半导体晶棒拉制完成后，需要经过外经滚磨
、V
型槽处理
、
切片
、
倒角
、
研磨
、
腐蚀
、
抛光等工艺，再进行晶体原生缺陷的检查
。
[0003]现在的工艺流程内，在晶棒辊磨后将在晶棒表面沿固定晶向的位置开一排缺口，切片完成后，这些硅片边缘的缺口将作为加工
、
检测过程中重要的定位依据，同时标明硅片的类型和晶向，而且缺口槽定位的精确度对后续加工成品率及最终产品性能有着重要的影响
。
[0004]现有的
Notch
位置主要有
<100><110>
晶向，如果这些位置被固定，则已开
Notch
硅片无法被其他位置晶向的需求使用
。
但是现有流程在实施过程中，存在明显缺点，晶棒确定晶向开槽后，使用对象即被固定，如体内缺陷确实存在，此根晶棒也无法被用作其他晶向的需求，只能做废弃处理
。
技术实现思路
[0005]本专利技术主要解决现有技术中存在 的不足，提供了一种对硅片边缘手动加工缺口的操作方法，其具有操作便捷
、
省时省力和运行稳定性好的特点
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种对硅片边缘手动加工缺口的操作方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：在选择倒角机机台时，先在激光厚度测量设备上对硅片（3）进行厚度检测，将硅片（3）放置到测量台面吸盘（4）上，旋转电机（5）驱动硅片（3）旋转的同时由激光测厚支架（1）上的激光测厚检测仪（2）融下超厚度硅片（3）；第二步：根据硅片（3）的厚度选择开槽砂轮组件（
10
）；第三步：硅片（3）完成厚度检测后进入倒角机加工条件界面，将基准晶圆片厚度厚度修改为需要开槽晶圆片厚度，同时把机台接受硅片方式修改圆形状模式；第四步：将无缺口的硅片（3）放在卡槽检测区（6）的测试片卡槽（9），无缺口的硅片（3）放在卡槽后进行点击
<
主晶圆片移动到研削台位置
>
，通过倒角机设定的动作移动到指定的研削台（
11
）上吸着对中，此时
X
方向和
Y
方向的偏心量分别不得超过
10
μ
m
；第五步：选择缺口粗研单元移动，研削台（
11
）上吸着无缺口的硅片（3），通过倒角机拟定
X、Y、Z、
∅
轴路线，硅片（3）靠近开槽砂轮组件（
10
），调整硅片（3）在开槽砂轮组件（
10
）槽底部位置，以求硅片（3）达到开槽砂轮组件（
10
）槽中心位置；第六步：选择倒角机手动操作模式，拟研削台（
11
）四方位移动动态，选择研削台（
11
）的
Y
轴步进电机移动，通过机台以设定的单元移动量 <
‑
1000
μ
m、
‑
100
μ
m、
‑
10
μ
m、
‑1μ
>
进行前进和后退，点击频率不要太快，当硅片（3）边缘接触砂轮切口轴
13
时，停止点击单元移动并记录移动量；第七步：把研削仓门关闭，砂轮冷却水打开，开启倒角机主轴旋转，选择研削台
Y
轴步进电机移动点击
‑
10
μ
m
进行移动，对无缺口的硅片（3）进行开槽倒角，完成开槽进给后，关闭倒角机，停止主轴旋转；第八步：选择点击
+100
μ
m
若干次开槽完成硅片（3）后退，再次选择点击
‑
1000
μ
m
移动量，直到退回初始位置以上，选择点击
<
单元移动
>
选择点击
<
受入位置
>
，让研削台（
11
）带动硅片（3）回到初始收入位置；第九步：倒角机主轴旋转砂轮状态呈静态状况，打开研削室门，关闭研削真空吸附；第十步：手动取下开槽后的硅片（3），气枪风干表面水分，转移到显微镜下测量开槽切口深度，根据开槽切口深度调整研削台（
11
）
Y
轴前进量移动坐标；第十一步：接着将开完切口的硅片（3）放入倒角机加工站台，把机台接受硅片方式修改凹槽形状模式，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昌华，楼刚刚，高威，贾俊，陈广，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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