一种电池保护系统技术方案

本发明专利技术公开了一种电池保护系统，涉及电池保护技术领域，包括保护模块、主芯片、断电模块，主芯片和保护模块连接，保护模块和断电模块连接，主芯片用于提供供电信号，保护模块进行自适应后反馈供电信号到断电模块，断电模块在与功能芯片连接。在与功能芯片连接。在与功能芯片连接。

【技术实现步骤摘要】
一种电池保护系统


[0001]本专利技术涉及电池保护
，特别涉及一种电池保护系统。

技术介绍

[0002]船运模式是指通过芯片内部关断电池放电回路，使芯片自身实现“0”耗电，以保护电池使用寿命，但现有的可进入船运模式的功能芯片因后接的负载不同会使供电的电压不同，这在进入船运模式后，如果需要进行启动，需要提供对应功能芯片启动电压完成启动，这在多个功能芯片进行外挂集成后，如需要替换其他外挂功能芯片时，主芯片的接口电压也需要重新进行程序烧写完成电压替换。

技术实现思路

[0003]针对上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种电池保护系统，包括保护模块、主芯片、断电模块，所述主芯片和保护模块连接，保护模块和断电模块连接，主芯片用于提供供电信号，保护模块进行自适应后反馈供电信号到断电模块，断电模块在与功能芯片连接。
[0004]进一步的，所述保护模块包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电位器R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第九电阻R9、第十电阻R10、第三十四电阻R34、第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第四数字电位器U4、第一MOS管Q1、第一连接端P1、第二连接端P2、第三连接端P3，所述第一连接端P1和第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和第二电阻R2一端、第一运算放大器U1反相端连接，第一运算放大器U1输出端和第二连接端P2、第九电阻R9一端连接，第一运算放大器U1同相端和第三电位器R3一端、第二运算放大器U2输出端连接，第二运算放大器U2反相端和第三电位器R3另一端、第三电位器R3抽头端、第四电阻R4一端连接，第二运算放大器U2同相端和第五电阻R5一端、第六电阻R6一端连接，第六电阻R6另一端和第三连接端P3、第三运算放大器U3输出端连接，第三运算放大器U3同相端和第七电阻R7一端连接，第一MOS管Q1栅极和第三连接端P3连接，第一MOS管Q1漏极和电源连接，第一MOS管Q1源极和第四数字电位器U4的3引脚、第三十四电阻R34一端连接，第四数字电位器U4的5引脚和第二连接端P2连接，第四数字电位器U4的12引脚和第十电阻R10一端、第一连接端P1、断电模块连接，第十电阻R10另一端和电源连接，第四数字电位器U4的11引脚、10引脚、第八电阻R8另一端、第七电阻R7另一端、第五电阻R5另一端、第四电阻R4另一端、第二电阻R2另一端、第九电阻R9另一端、第三十四电阻R34另一端和接地端连接。
[0005]进一步的，所述保护模块还包括第八电阻R8、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第七三极管Q7、第八三极管Q8、第一可控硅D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四可控硅D4、第五可控硅D5、第四连接端P4，所述第二MOS管Q2栅极和第三MOS管Q3栅极、第一运算放大器U1输出端连接，第二MOS管Q2源极和第五MOS管Q5源极连接，第三MOS管Q3漏极和第十一电阻R11一端、
第四MOS管Q4源极连接，第四MOS管Q4栅极和第五MOS管Q5栅极、第三二极管D3阴极连接，第四MOS管Q4漏极和第十二电阻R12一端、第四可控硅D4控制极连接，第四可控硅D4阳极和第五可控硅D5阳极、第八三极管Q8发射极连接，第五可控硅D5控制极和第五MOS管Q5漏极、第十三电阻R13一端连接，第五可控硅D5阴极和第七三极管Q7基极、第十四电阻R14一端连接，第四可控硅D4阴极和第十五电阻R15一端、第六MOS管Q6栅极连接，第六MOS管Q6源极和第十六电阻R16一端连接，第六MOS管Q6漏极和第十七电阻R17一端连接，第十七电阻R17另一端和第七三极管Q7发射极连接，第八三极管Q8集电极和第十八电阻R18一端连接，第八三极管Q8基极和第一可控硅D1阴极、第八电阻R8一端连接，第三二极管D3阳极和第四连接端P4、第二二极管D2阳极连接，第二二极管D2阴极和第三运算放大器U3同相端、第一可控硅D1控制极连接，第十一电阻R11另一端、第十二电阻R12另一端、第十三电阻R13另一端、第十四电阻R14另一端、第十五电阻R15另一端、第十六电阻R16另一端和接地端连接。
[0006]进一步的，所述保护模块还包括第十九电阻R19、第二十电阻R20、第二十一电阻R21、第五运算放大器U5、第九三极管Q9，所述第十九电阻R19一端和电源连接，第十九电阻R19另一端和第二十电阻R20一端、第五运算放大器U5同相端连接，第五运算放大器U5反相端和第六MOS管Q6源极连接，第五运算放大器U5输出端和第九三极管Q9基极连接，第九三极管Q9集电极和第一可控硅D1阳极、第二十电阻R20一端连接，第二十电阻R20另一端和电源连接，第九三极管Q9发射极和接地端连接。
[0007]进一步的，所述保护模块还包括第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27，所述第二十二电阻R22一端和电源连接，第二十二电阻R22另一端和第二MOS管Q2漏极、第二十三电阻R23一端连接，第二十三电阻R23另一端和第二十四电阻R24一端、接地端连接，第二十四电阻R24另一端和第二十五电阻R25一端、第三MOS管Q3源极连接，第二十五电阻R25另一端和电源连接，第二十六电阻R26一端和第六MOS管Q6漏极连接，第二十六电阻R26另一端和接地端连接，第二十七电阻R27一端和第七三极管Q7集电极连接，第二十七电阻R27另一端和电源连接。
[0008]进一步的，所述保护模块还包括第二十八电阻R28、第二十九电阻R29，所述第二十八电阻R28一端和电源连接，第二十八电阻R28另一端和第三运算放大器U3反相端、第二十九电阻R29一端连接，第二十九电阻R29另一端和接地端连接。
[0009]进一步的，所述保护模块还包括第三十电阻R30、第三十一电阻R31，所述第三十电阻R30一端和第四MOS管Q4栅极、第五MOS管Q5栅极连接，第三十一电阻R31一端和第二MOS管Q2栅极、第三MOS管Q3栅极连接，第三十电阻R30另一端、第三十一电阻R31另一端和接地端连接。
[0010]进一步的，所述断电模块还包括第一开关SW1、第三十二电阻R32、第三十三电阻R33、第十三极管Q10、第五连接端P5，所述第三十二电阻R32一端和电源连接，第三十二电阻R32另一端和第十三极管Q10集电极连接，第十三极管Q10基极和第一连接端P1连接，第十三极管Q10发射极和第三十三电阻R33一端、第五连接端P5连接，第三十三电阻R33另一端和接地端连接。
[0011]本专利技术与现有技术相比的有益效果是：本专利技术可以让功能芯片在替换时可自动对当前供电电压进行自适应调节，以及因调节阶段出现的调节指向信号无法确定时需要采用计时电路作为停止调节的问题。
附图说明
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池保护系统，其特征在于，包括保护模块、主芯片、断电模块，所述主芯片和保护模块连接，保护模块和断电模块连接，主芯片用于提供供电信号，保护模块进行自适应后反馈供电信号到断电模块，断电模块在与功能芯片连接；所述保护模块包括第一电阻、第二电阻、第三电位器、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第九电阻、第十电阻、第三十四电阻、第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器、第四数字电位器、第一MOS管、第一连接端、第二连接端、第三连接端，所述第一连接端和第一电阻一端连接，第一电阻另一端和第二电阻一端、第一运算放大器反相端连接，第一运算放大器输出端和第二连接端、第九电阻一端连接，第一运算放大器同相端和第三电位器一端、第二运算放大器输出端连接，第二运算放大器反相端和第三电位器另一端、第三电位器抽头端、第四电阻一端连接，第二运算放大器同相端和第五电阻一端、第六电阻一端连接，第六电阻另一端和第三连接端、第三运算放大器输出端连接，第三运算放大器同相端和第七电阻一端连接，第一MOS管栅极和第三连接端连接，第一MOS管漏极和电源连接，第一MOS管源极和第四数字电位器的3引脚、第三十四电阻一端连接，第四数字电位器的5引脚和第二连接端连接，第四数字电位器的12引脚和第十电阻一端、第一连接端、断电模块连接，第十电阻另一端和电源连接，第四数字电位器的11引脚、10引脚、第八电阻另一端、第七电阻另一端、第五电阻另一端、第四电阻另一端、第二电阻另一端、第九电阻另一端、第三十四电阻另一端和接地端连接。2.根据权利要求1所述的电池保护系统，其特征在于，所述保护模块还包括第八电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第十八电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七三极管、第八三极管、第一可控硅、第二二极管、第三二极管、第四可控硅、第五可控硅、第四连接端，所述第二MOS管栅极和第三MOS管栅极、第一运算放大器输出端连接，第二MOS管源极和第五MOS管源极连接，第三MOS管漏极和第十一电阻一端、第四MOS管源极连接，第四MOS管栅极和第五MOS管栅极、第三二极管阴极连接，第四MOS管漏极和第十二电阻一端、第四可控硅控制极连接，第四可控硅阳极和第五可控硅阳极、第八三极管发射极连接，第五可控硅控制极和第五MOS管漏极、第十三电阻一端连接，第五可控硅阴极和第七三极管基极、第十四电阻一端连接，第四可控硅阴极和第十五电阻一端、第六MOS管栅极连接，第六MOS管源极和第十六电阻一端连接，第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宗宇，蔡常丰，罗铁，黄凯，
申请(专利权)人：深圳戴普森新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：