粉碎方法、高分子嵌段物制造方法及粉碎装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种粉碎方法，其包括：粉碎工序，对高分子多孔体进行粉碎；及除电工序，对在所述粉碎工序中进行粉碎中的所述高分子多孔体进行除电。体进行除电。体进行除电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粉碎方法、高分子嵌段物制造方法及粉碎装置


[0001]本专利技术涉及一种粉碎方法、高分子嵌段物制造方法及粉碎装置。

技术介绍

[0002]目前，谋求陷入功能障碍、功能衰竭的生物组织/器官的再生的再生医疗的实用化得到发展。再生医疗为在仅通过生物所具有的自然治愈能力无法恢复的生物组织中使用细胞、支架及生长因子这三种因子重新制造出与原来的组织相同的形态、功能的医疗技术。其中，整形外科领域或牙科领域的骨再生作为再生医疗领域中备受注目的领域之一而众所周知。骨疾病在腿及腰的情况下，由于因疾病产生的骨缺损而无法步行，在牙科的情况下，难以摄取食物，因此骨疾病会引起显著的QOL(Quality of Life：生活质量)的降低。在再生医疗领域中，将生物相容性高的胶原蛋白或明胶用作基材。例如，在国际公开WO2014/133081号公报中公开了通过对重组明胶的多孔体进行粉碎而获得生物相容性高分子嵌段物。
[0003]并且，在高分子多孔体的粉碎中，存在由于在粉碎时产生的摩擦热而导致粉碎后的高分子嵌段物烧焦的问题。作为抑制该烧焦的技术，在日本特开昭55
‑
092667号公报中公开了一种使用液态氮在超低温下进行粉碎的方法。并且，在日本特开平9
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000176号公报中公开了一种与液体进行混合而进行湿式粉碎的方法。

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的技术课题
[0005]然而，如日本特开昭55
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092667号公报中所记载那样的在超低温下的粉碎存在用于冷却的成本增加的问题。并且，在如日本特开平9
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000176号公报中所记载那样的湿式粉碎中，存在用于分离去除液体的干燥花费劳力和时间的问题。近年来，要求一种能够代替这样的方法或能够与这样的方法组合使用的、能够抑制烧焦的发生的高分子多孔体的新的粉碎方法。
[0006]本专利技术提供一种能够抑制在对高分子多孔体进行粉碎的情况下发生的烧焦的粉碎方法、高分子嵌段物制造方法及粉碎装置。
[0007]用于解决技术课题的手段
[0008]本专利技术的第1方式为一种粉碎方法，其包括：粉碎工序，对高分子多孔体进行粉碎；及除电工序，对在粉碎工序中进行粉碎中的高分子多孔体进行除电。
[0009]本专利技术的第2方式中，可以在上述第1方式中的除电工序中，通过对高分子多孔体照射放射线，对高分子多孔体进行除电。
[0010]本专利技术的第3方式在上述第2方式中，放射线可以是X射线及紫外线中的至少一者。
[0011]本专利技术的第4方式在上述第3方式中，放射线可以是射线源的管电压为4kV以上且50kV以下的X射线。
[0012]本专利技术的第5方式在上述第2方式至第4方式中的除电工序中，照射到高分子多孔体的放射线的70μm剂量当量率可以是1mSv/h以上且200Sv/h以下。
[0013]本专利技术的第6方式中，在上述方式中的除电工序中，对高分子多孔体进行粉碎的粉碎部的至少一部分中的电位从+1000V改变到+100V为止的除电时间可以是0.01秒以上且10秒以下。
[0014]本专利技术的第7方式中，在上述方式中的粉碎工序中，可以使用进行干式粉碎的粉碎部，对高分子多孔体进行粉碎。
[0015]本专利技术的第8方式在上述第7方式中，粉碎部可以具备筛网及旋转叶轮。
[0016]本专利技术的第9方式在上述第7方式或第8方式中，粉碎部可以以1
×
104次/h以上且1
×
107次/h以下的通风次数进行通风。
[0017]本专利技术的第10方式中，在上述第9方式中的除电工序中，可以通过对粉碎部的至少一部分照射放射线，对高分子多孔体进行除电。
[0018]本专利技术的第11方式在上述方式中，高分子多孔体可以包含蛋白质。
[0019]本专利技术的第12方式在上述第11方式中，高分子多孔体可以包含下述(A)、(B)或(C)的肽。
[0020](A)包含序列号1的氨基酸序列的肽。
[0021](B)包含改变序列号1的氨基酸序列中的1个或多个氨基酸残基而成的氨基酸序列且具有生物相容性的肽。
[0022](C)包含具有与包含序列号1的氨基酸序列中的第4个～第192个的氨基酸残基的部分氨基酸序列具有80％以上的序列同源性的部分序列的氨基酸序列且具有生物相容性的肽。
[0023]本专利技术的第13方式在上述方式中，粉碎前的高分子多孔体的大小可以是0.1mm以上且50mm以下。
[0024]本专利技术的第14方式在上述方式中，粉碎后的高分子多孔体的大小可以是0.01mm以上且10mm以下。
[0025]本专利技术的第15方式为一种高分子嵌段物制造方法，其包括：粉碎工序，对高分子多孔体进行粉碎；及除电工序，对在粉碎工序中进行粉碎中的高分子多孔体进行除电。
[0026]本专利技术的第16方式为一种粉碎装置，其具备：粉碎部，对高分子多孔体进行粉碎；及照射部，对粉碎部的至少一部分照射放射线，通过由照射部照射的放射线，对在粉碎部中进行粉碎中的高分子多孔体进行除电。
[0027]本专利技术的第17方式在上述第16方式中可以是，粉碎装置还具备对粉碎部进行通风的通风部，由通风部进行的粉碎部的通风次数为1
×
104次/h以上且1
×
107次/h以下。
[0028]另外，在本说明书中，“工序”这一术语不仅包含独立的工序，即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要可实现本工序的预期效果，则也包含于本术语中。
[0029]专利技术效果
[0030]根据上述方式，本专利技术的粉碎方法、高分子嵌段物制造方法及粉碎装置能够抑制在对高分子多孔体进行粉碎的情况下发生的烧焦。
附图说明
[0031]图1是表示粉碎装置的结构的一例的概略结构图。
[0032]图2是X射线胶片的特性曲线。
[0033]图3是表示粉碎装置的结构的一例的概略结构图。
具体实施方式
[0034]以下，对用于实施本专利技术的技术的实施例进行详细说明。
[0035][高分子多孔体的粉碎方法][0036]本示例性实施方式所涉及的高分子多孔体的粉碎方法包括：粉碎工序，对高分子多孔体进行粉碎；及除电工序，对在上述粉碎工序中进行粉碎中的上述高分子多孔体进行除电。以下，将通过粉碎工序粉碎之后的高分子多孔体称为“高分子嵌段物”。换句话说，本示例性实施方式所涉及的方法为通过执行如下工序来制造高分子嵌段物的方法：粉碎工序，对高分子多孔体进行粉碎；及除电工序，对在所述粉碎工序中进行粉碎中的高分子多孔体进行除电。以下，将本示例性实施方式所涉及的粉碎方法和高分子嵌段物制造方法统称为“本专利技术的方法”。另外，本专利技术的方法可以在进行粉碎工序和除电工序之后，再次重复进行粉碎工序和除电工序。作为进行粉碎工序和除电工序的次数，优选1～4次，更优选2～3次。
[0037](粉碎工序)
[0038]如上所述，本专利技术的方法包括对高分子多孔体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粉碎方法，其包括：粉碎工序，对高分子多孔体进行粉碎；及除电工序，对在所述粉碎工序中进行粉碎中的所述高分子多孔体进行除电。2.根据权利要求1所述的粉碎方法，其中，在所述除电工序中，通过对所述高分子多孔体照射放射线，对所述高分子多孔体进行除电。3.根据权利要求2所述的粉碎方法，其中，所述放射线为X射线及紫外线中的至少一者。4.根据权利要求3所述的粉碎方法，其中，所述放射线是射线源的管电压为4kV以上且50kV以下的X射线。5.根据权利要求2至4中任一项所述的粉碎方法，其中，在所述除电工序中，照射到所述高分子多孔体的所述放射线的70μm剂量当量率为1mSv/h以上且200Sv/h以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的粉碎方法，其中，在所述除电工序中，对所述高分子多孔体进行粉碎的粉碎部的至少一部分中的电位从+1000V改变到+100V为止的除电时间为0.01秒以上且10秒以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的粉碎方法，其中，在所述粉碎工序中，使用进行干式粉碎的粉碎部，对所述高分子多孔体进行粉碎。8.根据权利要求7所述的粉碎方法，其中，所述粉碎部具备筛网及旋转叶轮。9.根据权利要求7或8所述的粉碎方法，其中，所述粉碎部以1
×
104次/h以上且1
×
107次/h以下的通风次数进行通风。10.根据权利要求9所述的粉碎方法，其中，在所述除电工序中，通过对所述粉碎部的至少一部分照射放射线，对所述高分子多孔体进行除电。...

【专利技术属性】
技术研发人员：福永和人，加藤伸彦，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：