用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法，在基板的背面形成保护层，在对所述基板执行热氧化工艺以在导通孔中形成氧化层的过程中，通过所述保护层阻挡所述基板的背面的氧化，也即阻挡所述基板的背面的氧化层的形成。由此，在对所述基板执行热氧化工艺以在导通孔中形成氧化层的过程中，可以极大地减缓所述基板的背面的氧化层的形成，从而减小了所述基板的背面的氧化层的厚度，避免了静电卡盘吸附不佳的问题，降低了掉片风险，提高了转接板制程的可靠性。高了转接板制程的可靠性。高了转接板制程的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品向小型化、高性能、高可靠等方向发展，系统集成度也日益提高。在这种情况下，靠进一步缩小集成电路的特征尺寸和互连线的线宽来提高性能的方式受到材料物理特性和设备工艺的限制，传统的摩尔定律已经很难继续发展下去。以TSV为核心的2.5D/3D集成技术已经被广泛认为是未来高密度封装领域的主导技术，是突破摩尔定律的有效途径。与传统的2D封装相比，基于TSV转接板的2.5D封装使多个芯片在转接板上直接实现互连，大大缩短了走线长度，降低了信号延迟与损耗，其相对带宽可达到传统封装的8～50倍。硅基转接板可以制作更小线宽的互连线，布线密度大大提高，使其满足高性能芯片的需求。硅基转接板与芯片均采用硅作为基底材料，二者间的热膨胀系数失配较小，芯片所承受的热应力大幅降低，可靠性得以提高。芯片和基板间较短的互连线路可以改善系统电性能。因此，多个功能芯片通过TSV转接板形成互连的封装形式越来越受到世界各大半导体公司及科研院所的关注。
[0003]在2.5D封装方式中硅基转接板(Siinterpose，硅通孔内部形成有铜柱)是实现量产的封测技术。采用TSV工艺制作硅基转接板，首先在硅基板中形成硅通孔，然后通过热氧化工艺在硅通孔内壁形成氧化硅层，再在硅通孔内填充铜(Cu)形成铜柱。其中，通过热氧化的方式在硅通孔内壁生长氧化硅层，硅基板背面也会生长一层氧化硅层，并且其厚度超过而这也直接导致了后续制程中，静电卡盘(承托以及传送晶圆的装置)吸附不住硅基板产生掉片风险。如何降低这一风险，提高转接板制程的可靠性，成了本领域技术人员需要解决的一个问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法，以解决现有技术中通过热氧化的方式在硅通孔内壁生长氧化层时基板背面也会生长一层氧化层并且其厚度超过从而导致静电卡盘吸附不佳，容易产生掉片风险的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种转接板的制造方法，所述转接板的制造方法包括：
[0006]提供基板；
[0007]在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层；
[0008]在所述基板中形成导通孔，所述导通孔自所述基板的正面延伸至所述基板中；
[0009]对所述基板执行热氧化工艺，以在所述导通孔中形成第二氧化层，其中，所述保护层用于阻挡所述基板的背面的氧化；以及，
[0010]在所述导通孔中形成导电结构。
[0011]可选的，在所述的转接板的制造方法中，所述在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层的步骤中，所述保护层的厚度介于之间。
[0012]可选的，在所述的转接板的制造方法中，所述在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层的步骤中，所述第一氧化层的厚度介于之间。
[0013]可选的，在所述的转接板的制造方法中，所述对所述基板执行热氧化工艺的步骤中，在所述基板的背面形成第三氧化层，所述第三氧化层的生长速度慢于所述第二氧化层的生长速度。
[0014]可选的，在所述的转接板的制造方法中，所述对所述基板执行热氧化工艺的步骤中，所述第三氧化层的厚度小于或等于
[0015]可选的，在所述的转接板的制造方法中，所述对所述基板执行热氧化工艺的步骤中，所述第三氧化层的厚度介于之间。
[0016]可选的，在所述的转接板的制造方法中，所述在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层的步骤包括：
[0017]通过热氧化工艺在所述基板的正面和背面均形成第一氧化层；
[0018]通过化学气相沉积工艺在所述基板的正面和背面的所述第一氧化层上均形成保护层；以及，
[0019]去除所述基板的正面的所述保护层以及所述第一氧化层。
[0020]可选的，在所述的转接板的制造方法中，通过干法刻蚀工艺在所述基板中形成导通孔。
[0021]可选的，在所述的转接板的制造方法中，在所述导通孔中形成导电结构之后，所述转接板的制造方法还包括：
[0022]研磨所述基板的背面以暴露出所述导电结构。
[0023]本专利技术还提供一种用于转接板的基底结构，所述用于转接板的基底结构包括：基板、形成于所述基板一表面的氧化层以及形成于所述氧化层上的保护层，其中，所述保护层的厚度介于之间。
[0024]在本专利技术提供的用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法中，在基板的背面形成保护层，在对所述基板执行热氧化工艺以在导通孔中形成氧化层的过程中，通过所述保护层阻挡所述基板的背面的氧化，也即阻挡所述基板的背面的氧化层的形成。由此，在对所述基板执行热氧化工艺以在导通孔中形成氧化层的过程中，可以极大地减缓所述基板的背面的氧化层的形成，从而减小了所述基板的背面的氧化层的厚度，避免了静电卡盘吸附不佳的问题，降低了掉片风险，提高了转接板制程的可靠性。
附图说明
[0025]图1是本专利技术实施例的转接板的制造方法的流程示意图。
[0026]图2是本专利技术实施例的在基板的正面和背面形成第一氧化层和保护层的剖面示意图。
[0027]图3是本专利技术实施例的在基板的背面形成第一氧化层和保护层的剖面示意图。
[0028]图4是本专利技术实施例的在基板中形成导通孔的剖面示意图。
[0029]图5是本专利技术实施例的对基板执行热氧化工艺的剖面示意图。
[0030]图6是本专利技术实施例的在导通孔中形成导电结构的剖面示意图。
[0031]图7是本专利技术实施例的研磨基板的背面以暴露出导电结构的剖面示意图。
[0032]其中，附图标记说明如下：
[0033]100
‑
基板；110
‑
第一氧化层；120
‑
保护层；130
‑
导通孔；140
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第二氧化层；150
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第三氧化层；160
‑
导电结构。
具体实施方式
[0034]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的用于转接板的基底结构以及转接板的制造方法作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0035]本专利技术使用的术语仅仅是出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本专利技术。除非本申请文件中另作定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“上/上层”、“下/下层”等类似词语只是为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转接板的制造方法，其特征在于，所述转接板的制造方法包括：提供基板；在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层；在所述基板中形成导通孔，所述导通孔自所述基板的正面延伸至所述基板中；对所述基板执行热氧化工艺，以在所述导通孔中形成第二氧化层，其中，所述保护层用于阻挡所述基板的背面的氧化；以及，在所述导通孔中形成导电结构。2.如权利要求1所述的转接板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层的步骤中，所述保护层的厚度介于成第一氧化层及保护层的步骤中，所述保护层的厚度介于之间。3.如权利要求2所述的转接板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的背面依次形成第一氧化层及保护层的步骤中，所述第一氧化层的厚度介于之间。4.如权利要求1～3中任一项所述的转接板的制造方法，其特征在于，所述对所述基板执行热氧化工艺的步骤中，在所述基板的背面形成第三氧化层，所述第三氧化层的生长速度慢于所述第二氧化层的生长速度。5.如权利要求4所述的转接板的制造方法，其特征在于，所述对所述基板执行热氧化工艺的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱胜，谭学聘，张泰恒，郭万里，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：