【技术实现步骤摘要】
一种高线性低插损混频器
[0001]本专利技术属于半导体集成电路领域，具体涉及一种高线性低插损混频器
。
技术介绍
[0002]在雷达射频接收系统中，对系统性能指标的要求越来越高，其中混频器是影响着整个接收系统的线性度指标的重要因素
。
与普通的混频器相比
,
高线性度和低插损混频器作用比较突出
。
高线性度混频器是大动态接收前端的关键器件，其线性度指标直接影响接收系统的动态范围，在众多种类的混频器中，二极管双平衡混频器相比于二极管数量更少的单端混频器
、
单平衡混频器，以其在线性度
、
端口隔离度和杂波抑制等方面的优越性，在微波接收系统前端得到广泛应用，从而保证系统正常工作
。
因此，混频器的性能制约着整个接收系统的性能，对整个接收系统性能的提高起了决定性的作用，在现有技术的使用过程中，专利技术人发现现有的技术还存在线性度低
、
插损高的问题，所以研制高性能
、
高线性度
、
低插损的混频器，已经成为微波技术中发展的核心之一
。
技术实现思路
[0003]针对现有技术中存在线性度低
、
插损高的问题，本专利技术提出了一种高线性低插损混频器，为实现上述目的本专利技术所采用的技术方案是：一种高线性低插损混频器，包括了本振输入的放大器网络
、
第一巴伦网络
、
混频器核网络
、
射频输...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种高线性低插损混频器，其特征在于，包括放大器网络
、
第一巴伦网络
、
混频器核网络
、
第二巴伦网络；放大器网络接收本振输入信号，经过处理后传送到第一巴伦网络，由第一巴伦网络传递到混频器核网络，再由混频器核网络发送到第二巴伦网络，第二巴伦网络一端接收射频输入信号，另一端发送中频输出信号
。2.
根据权利要求1所述的一种高线性低插损混频器，其特征在于，所述放大器网络包括了本振输入端
、
输入阻抗匹配网络
、
微带线
L2、Q1
放大器
、
级间阻抗匹配网络
、Q2
放大器
、
微带线
L5、
第一栅极偏置电路
、
第一漏极偏置电路
、
第二栅极偏置电路
、
第二漏极偏置电路
、
输出阻抗匹配网络，其中输入阻抗匹配网络一端与本振输入端连接，一端连接
Q1
放大器的栅极，微带线
L2
一端连接于
Q1
放大器源级另一端接地；
Q1
放大器漏极与级间阻抗匹配网络相连，级间阻抗匹配网络连接于
Q2
放大器栅极；微带线
L5
一端与
Q2
放大器源级相连一端接地，
Q2
放大器漏极与输出阻抗匹配网络连接；第一栅极偏置电路一端连接于电源
Vd
另一端和输入阻抗匹配电路相连，第一漏极偏置电路一端连接于电源
Vd
另一端和
Q1
放大器漏极相连，第二栅极偏置电路一端连接于电源
Vd
另一端和级间阻抗匹配网络相连，第二漏极偏置电路一端连接于电源
Vd
另一端和
Q2
放大器漏极相连
。3.
根据权利要求2所述的一种高线性低插损混频器，其特征在于，所述输入阻抗匹配网络包括了电阻
R1、
电容
C1
和微带线
L1
，所述电阻
R1
一端接收本振输入的信号，另一端连接电容
C1
，微带线
L1
一端连接电容
C1
另一端连接
Q1
放大器栅极；所述级间阻抗匹配网络包括电容
C2、
电阻
R5、
电容
C4、
电容
C5、
电阻
R9
和微带线
L4
，电容
C2
一端与
Q1
放大器漏极相连，另一端连接于电阻
R5
，电阻
R5
与电容
C4
串联，电容
C4
另一端接地，电容
C5
与电阻
R9
并联，该并联电路一端与电容
C2
相连，另一端连接于微带线
L4。4.
根据权利要求2所述的一种高线性低插损混频器，其特征在于，所述第一栅极偏置电路包括了电阻
R2、
电阻
R3、
电阻
R4
，其中电阻
R3
一端连接于微带线
L1
和电容
C1
之间，另一端与电阻
R2
串联，电阻
R4
一端连接于电阻
R2
和电阻
R3
之间，另一端接地；所述第一漏极偏置电路包括了电感
L3
和电容
C3,
其中电感
L3
一端连接于电容
C2
和
Q1
放大器漏极之间，另一端连接于电源
Vd
，电容
C3
一端接地另一端连接于电感
L3。5.
根据权利要求2所述的一种高线性低插损混频器，其特征在于，所述第二栅极偏置电路包括了电阻
R6、
电阻
R7
和电阻
R8
，所述电阻
R6
一端和电阻
R7
相连，电阻
R6
另一端连接并联的电容
C5
和电阻
R9
...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄杨，杨柯，罗力伟，王祁钰，
申请(专利权)人：四川益丰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。