多孔质液晶聚合物的制造方法及多孔化剂技术

多孔质液晶聚合物的制造方法具备第1工序和第2工序。第1工序中，对液晶聚合物和多孔化剂进行混炼，制备含有液晶聚合物和多孔化剂的组合物。第2工序中，用超临界流体提取组合物中的多孔化剂。230℃下的多孔化剂的质量减少率为10质量％以下。为10质量％以下。为10质量％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多孔质液晶聚合物的制造方法及多孔化剂


[0001]本专利技术涉及多孔质液晶聚合物的制造方法及多孔化剂。

技术介绍

[0002]已知有通过使用超临界二氧化碳作为提取溶剂的超临界提取法来从包含树脂和多孔化剂的组合物中提取多孔化剂的多孔质树脂的制造方法(例如，参照下述专利文献1。)。专利文献1的实施例中，制备包含作为多孔化剂的聚氧乙烯二甲基醚、作为树脂的聚酰亚胺树脂前体、和溶剂的组合物溶液，将其进行涂布及干燥而形成涂膜，接着，通过上述方法从涂膜中提取上述聚氧乙烯二甲基醚。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2020
‑
49897号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]为了得到低的吸湿率及低的介电常数，试行了使用液晶聚合物作为树脂的方案。在该试行方案中，实施超临界提取法时，首先对液晶聚合物和多孔化剂进行混炼，制备混炼物。
[0008]但是，若对作为多孔化剂的聚氧乙烯二甲基醚进行混炼，则在混炼中发生分解或挥发，从而无法制备包含多孔化剂的混炼物，进而有无法制造多孔质液晶聚合物的不良情况。
[0009]本专利技术提供一种能够可靠地将多孔化剂与液晶聚合物一起混炼、能够可靠地制造多孔质液晶聚合物的多孔质液晶聚合物的制造方法及多孔化剂。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术(1)包含多孔质液晶聚合物的制造方法，其具备：第1工序，对液晶聚合物和多孔化剂进行混炼，制备含有前述液晶聚合物和前述多孔化剂的组合物；和第2工序，用超临界流体提取前述组合物中的前述多孔化剂，230℃下的前述多孔化剂的质量减少率为10质量％以下。
[0012]在该多孔质液晶聚合物的制造方法中，230℃下的多孔化剂的质量减少率为10质量％以下，因此多孔化剂的耐热性优异。因此，在第1工序中，能够抑制分解或挥发而可靠地将多孔化剂与液晶聚合物一起混炼。其结果，通过在第2工序中从包含上述多孔化剂的组合物中提取多孔化剂，能够可靠地制造多孔质液晶聚合物。
[0013]本专利技术(2)包含(1)所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，前述多孔化剂为选自由嘌呤衍生物、双酚AF衍生物、全氟聚醚衍生物、杯芳烃衍生物、及二羧酸酐衍生物组成的组中的至少1者。
[0014]本专利技术(3)包含(1)或(2)所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，前述第2工
序中的前述超临界流体的温度比前述液晶聚合物的玻璃化转变温度高。
[0015]该多孔质液晶聚合物的制造方法中，第2工序中的超临界流体的温度比液晶聚合物的玻璃化转变温度高，因此能够提高第2工序中的基于超临界流体的提取效率。因此，能够制造具有高孔隙率P的多孔质液晶聚合物。
[0016]本专利技术(4)包含(1)～(3)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在前述第1工序中，形成由前述组合物形成的无孔质片材，在前述第2工序中，制造多孔质液晶聚合物片材。
[0017]该多孔质液晶聚合物的制造方法能够制造薄的多孔质液晶聚合物片材。
[0018]本专利技术(5)包含(1)～(4)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在前述第1工序中，混炼中空球体。
[0019]该多孔质液晶聚合物的制造方法中，在第1工序中混炼中空球体，因此能够制造孔隙率高的多孔质液晶聚合物片材。
[0020]本专利技术(6)包含(1)～(5)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，前述超临界流体为超临界二氧化碳。
[0021]该多孔质液晶聚合物的制造方法中，超临界流体为超临界二氧化碳，因此能够以低成本制造多孔质液晶聚合物。
[0022]本专利技术(7)包含(1)～(6)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在前述第2工序中，制造孔隙率P为20％以上的多孔质液晶聚合物。
[0023]为该多孔质液晶聚合物的制造方法时，能够制造具有低的介电常数的多孔质液晶聚合物。
[0024]本专利技术(8)包含(1)～(7)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在前述第2工序中，在前述超临界流体中配混夹带剂。
[0025]如果为该多孔质液晶聚合物的制造方法，则由于在第2工序中在超临界流体中配混夹带剂，因此能够提高超临界流体的提取效率。因此，能够制造高的孔隙率P的多孔质液晶聚合物。
[0026]本专利技术(9)包含(1)～(8)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其在300℃下的前述多孔化剂的质量减少率为10质量％以下。
[0027]本专利技术(10)包含(1)～(9)中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其在350℃下的前述多孔化剂的质量减少率为10质量％以下。
[0028]本专利技术(11)包含(2)所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，二羧酸酐衍生物包含三氟甲基。
[0029]本专利技术(12)包含(11)所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，三氟甲基位于结构中央。
[0030]本专利技术(13)包含一种多孔化剂，其在230℃下的质量减少率为10质量％以下。
[0031]该多孔化剂在230℃下的多孔化剂的质量减少率为10质量％以下。因此，多孔化剂的耐热性优异。因此，能够抑制分解或挥发而可靠地将多孔化剂与液晶聚合物一起混炼。其结果，通过从包含上述多孔化剂的组合物中提取多孔化剂，能够可靠地制造多孔质液晶聚合物。
[0032]本专利技术(14)包含(13)所述的多孔化剂，其在300℃下的质量减少率为10质量％以
下。
[0033]本专利技术(15)包含(13)或(14)所述的多孔化剂，其在350℃下的质量减少率为10质量％以下。
[0034]本专利技术(16)包含(13)～(15)中任一项所述的多孔化剂，其为选自由嘌呤衍生物、双酚AF衍生物、全氟聚醚衍生物、杯芳烃衍生物、及二羧酸酐衍生物组成的组中的至少1者。
[0035]本专利技术(17)包含(16)所述的多孔化剂，其中，二羧酸酐衍生物包含三氟甲基。
[0036]本专利技术(18)包含(17)所述的多孔化剂，其中，三氟甲基位于结构中央。
[0037]专利技术的效果
[0038]利用本专利技术的多孔质液晶聚合物的制造方法及多孔化剂，能够可靠地将多孔化剂与液晶聚合物一起混炼，能够可靠地得到多孔质液晶聚合物。
附图说明
[0039]图1中，图1的A和图1的B为本专利技术的多孔质液晶聚合物的制造方法的一实施方式的工序图。图1的A为第1工序。图1的B为第2工序。
[0040]图2为具备多孔质液晶聚合物片材的布线电路基板的截面图。
具体实施方式
[0041]参照图1的A和图1的B对作为本专利技术的多孔质液晶聚合物的制造方法的一实施方式的多孔质液晶聚合物片材1的制造方法进行说明。该制造方法具备第1工序和第2工序作为必需的工序。另外，该制造方法具备第3工序作为任选工序。该制造方法中，例如，依次本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多孔质液晶聚合物的制造方法，其具备：第1工序，对液晶聚合物和多孔化剂进行混炼，制备含有所述液晶聚合物和所述多孔化剂的组合物；和第2工序，用超临界流体提取所述组合物中的所述多孔化剂，230℃下的所述多孔化剂的质量减少率为10质量％以下。2.根据权利要求1所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，所述多孔化剂为选自由嘌呤衍生物、双酚AF衍生物、全氟聚醚衍生物、杯芳烃衍生物、及二羧酸酐衍生物组成的组中的至少1者。3.根据权利要求1或2所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，所述第2工序中的所述超临界流体的温度比所述液晶聚合物的玻璃化转变温度高。4.根据权利要求1～3中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第1工序中，形成由所述组合物形成的无孔质片材，在所述第2工序中，制造多孔质液晶聚合物片材。5.根据权利要求1～4中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，在所述第1工序中，混炼中空球体。6.根据权利要求1～5中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，所述超临界流体为超临界二氧化碳。7.根据权利要求1～6中任一项所述的多孔质液晶聚合物的制造方法，其中，在所述第2工序中，制造孔隙率P为20％以上的多孔质液晶聚合物。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：大西秀典，河野吉纪，樽野友浩，首藤俊介，日紫喜智昭，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：