一种读出放大电路制造技术

一种读出放大电路，包括差分放大器，连接差分放大器第一输入节点的电压控制电路，以差分放大器两输入节点作为输入端的第一运放，其中，第一运放的输出端连接第三晶体管的栅极，该第三晶体管连接在差分放大器第二输入节点与读出节点之间，所选存储单元的电流经由读出放大电路最终表现为流经第三晶体管的电流，并与参考电流进行比较，输出相应的输出信号。该读出放大电路克服了要保证读出放大电路正常工作对电源电压使用范围的限制，并防止了长沟道效应的发生，从而有效提高读出放大电路的读取速度，进一步保证其读取结果的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器读取结构，具体涉及一种读出放大器结构，属于存储器技术领 域。
技术介绍
许多电子电路都用到读出放大器。电性的差动读出放大器接收两路输入信号，并 生成以输入信号间关系为特征的输出信号。随着普通电子器件工作电源电压的减小，现有 读出放大电路开始遇到瓶颈。图1为现有读出放大电路示意图。如图1所示，Ym为所选定的存储单元，其具有 寄生电容Cbl。此时，存储单元Ym所在行的字线压降Vi为高电压，由M0S晶体管Yl、Y2、 Y3组成的选通电路导通，即选通信号YA、YB、YC均为高压信号，存储单元Ym上的存储信号 被读取。晶体管Ms和运放^组成电压控制电路，晶体管Ms的源端与晶体管Ml的源端连 接，晶体管Ml和晶体管M2组成一差分放大电路，流经存储单元Ym的电流作为该差分放大 电路的输入电流，并表现为经由晶体管M2流出的输出电流，经由B点与参考电流Iref进行 比较，根据比较结果，输出相应的输出信号D0UT。该读出电路中，差分放大电路输入端A点 的电压VA = VDD-Vth(ml)-VdSSat，其中，VDD为电源电压，V th(ml)为晶体管Ml的阈值电压， Vdssat为漏饱和电压。由此可知，A点电压即为存储单元Ym所处位线电压，且该电压受到 晶体管Ml阈值电压的限制。由于存储器的位线要保证一定的读出电流，因此位线电压必须 达到特定的电压值，要使得读出放大电路正常工作，则A点电压不可低于该特定电压值，由 上述分析可知，A点电压受到晶体管Ml阈值电压的限制，随着电源电压的减小，这种读出放 大电路结构严重限制了电源电压的使用范围。为了克服这一问题，现有技术中提出了采用阈值电压钳制法代替高增益反馈法来 控制位线电压的思路，从而降低晶体管阈值电压对位线电压的限制作用，图2即为改进型 读出放大电路结构图。如图2所示，晶体管Ml和晶体管M2组成差分放大电路201，将A点 的电压转移到B点，B点电压即为存储单元所处位线电压，晶体管M3起到位线电压控制作 用，晶体管M4为转换器晶体管，将流经M3的存储单元Ym读取电流转换为晶体管M5和晶体 管M6组成的差分放大电路202的输入电流，并经由晶体管M6输出，流经C点，与参考电流 Iref进行比较，根据比较结果，输出相应的输出信号D0UT。在该读出放大电路结构中，由于 晶体管M2的电压可小于阈值电压，晶体管阈值电压对电源电压的限制作用得到一定的缓 解，然而，该结构还存在以下缺点(1)引入了更多的自偏置电流，使得存储单元读取电流 增大，从而影响读取结果的可靠性；(2)由于晶体管M2必须工作在饱和区，B点的电压(即 位线电压)仍然受到晶体管M2的漏饱和电压Vdssat的限制，随着常规半导体器件工作电 压的进一步减小，该电路正常工作所需的电源电压受到限制；(3)采用阈值电压钳制法代 替高增益反馈法来控制位线电压有可能会引起预充电过充现象，降低了存储单元数据读取 速度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，提供一种读出放大电路，克服了现有读出放大电路 对电源电压使用范围的限制，使得存储单元的工作电压得以进一步降低，从而提高电路读 取速度，保证读取结果的可靠性。为解决上述技术问题，本专利技术提供的读出放大电路包括(a)差分放大器100，包 括第一晶体管301、第二晶体管302以及第一输入节点311和第二输入节点312 ;(b)第一 运算放大器310，其输入端分别连接差分放大器100的第一输入节点311和第二输入节点 312 ； (c)连接在第二输入节点312和读出节点313之间的第三晶体管303，其栅极连接第 一运算放大器310的输出端。其中，第一晶体管301、第二晶体管302、第三晶体管303均为 PM0S晶体管。本专利技术提供的读出放大电路还包括连接到读出节点313的参考电流源1300以及 电压控制电路200。该电压控制电路200包括连接到第一输入节点311的第四晶体管304 和第二运算放大器320，其中，第四晶体管304为NM0S晶体管，第二运算放大器的输入端分 别连接第四晶体管304的源端和参考电压源V300，其输出端连接第四晶体管304的栅极。本专利技术提供的读出放大电路中，第一运算放大器310使得第一晶体管301、第二晶 体管302和第三晶体管303均工作在线性区，且第二晶体管302和第三晶体管303上的压 降均小于200mV。本专利技术提供的读出放大电路中，第一晶体管301和第二晶体管302的栅极电压相 同，其栅极电压\范围为0V VDD-Vt，其中，VDD为电源电压，Vt为所述第一晶体管301的 阈值电压。本专利技术的技术效果是，通过在差分放大电路100的两输入节点处和第三晶体管 303之间引入一高增益运算放大器，使得第一输入节点311和第二输入节点312具有相同的 电压，且第一晶体管301和第二晶体管302具有相同的电流。又由于第一晶体管301、第二 晶体管302和第三晶体管303均工作在线性区，第二晶体管302和第三晶体管303上的压 降非常小，通常小于200mV，这就使得第一输入节点311的电压与电源电压非常接近，克服 了要保证读出放大电路正常工作对电源电压使用范围的限制。此外，由于第一运算放大器 310的高增益作用，第二晶体管302和第三晶体管303的输出阻抗较小，防止了长沟道效应 的发生，从而有效提高读出放大电路的读取速度，进一步保证其读取结果的可靠性。附图说明图1为现有读出放大电路示意图；图2为现有读出放大电路改进示意图；图3为本专利技术提供的读出放大电路示意图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术作进一步 的详细描述。图3为本专利技术提供的读出放大电路示意图。如图3所示，读出放大电路包括4(a)差分放大器100，包括第一晶体管301、第二晶体管302以及第一输入节点311 和第二输入节点312 ；(b)第一运算放大器310，其输入端分别连接差分放大器100的第一输入节点311 和第二输入节点312 ；(c)连接在第二输入节点312和读出节点313之间的第三晶体管303，其栅极连接 第一运算放大器310的输出端。其中，第一晶体管301、第二晶体管302、第三晶体管303均为PM0S晶体管。进一步地，读出放大电路还包括连接到读出节点313的参考电流源1300以及电压 控制电路200。该电压控制电路200包括连接到第一输入节点311的第四晶体管304和第 二运算放大器320，其中，第四晶体管304为NM0S晶体管，第二运算放大器的输入端分别连 接第四晶体管304的源端和参考电压源V300，其输出端连接第四晶体管304的栅极。本具体实施方式中，第一运算放大器310的选择，要保证第一晶体管301、第二晶 体管302和第三晶体管303均工作在线性区，此时，第二晶体管302和第三晶体管303上的 压降均小于200mV。进一步地，在本具体实施方式中，第一晶体管301和第二晶体管302的栅极电压相 同，其栅极电压I范围为0V VDD-Vt，其中，VDD为电源电压，Vt为所述第一晶体管301 的阈值电压。在本具体实施方式中，如图3所示，Ym即为所选定的存储单元，其具有寄生电容 Cbl。存储单元Ym所在行的字线压降为高电压时，所选存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种读出放大电路，用于读出所选存储单元（Ｙｍ）中的数据，包括：　　（ａ）差分放大器（１００），包括第一晶体管（３０１）、第二晶体管（３０２）以及第一输入节点（３１１）和第二输入节点（３１２）；　　（ｂ）第一运算放大器（３１０），其输入端分别连接所述差分放大器（１００）的第一输入节点（３１１）和第二输入节点（３１２）；　　（ｃ）第三晶体管（３０３），连接在所述第二输入节点（３１２）和读出节点（３１３）之间，所述第三晶体管（３０３）的栅极连接所述第一运算放大器（３１０）的输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]