本发明专利技术属于真空沉积设备维修技术领域，涉及一种用于薄膜沉积治具的清洁装置，包括真空腔体、清洁台、机械泵、分子泵、真空阀、清洁气贮罐、干燥气贮罐，真空腔体内设置清洁台，清洁台用于放置待清洁的薄膜沉积治具。本发明专利技术还涉及一种用于薄膜沉积治具的清洁方法，包括放置待清洁的薄膜沉积治具、真空腔体抽真空、薄膜沉积治具清洁的步骤。本发明专利技术利用薄膜沉积治具与附着的薄膜之间存在应力的现象，当真空腔体达到一定的真空度后，通入清洁气体，达到附着的薄膜开裂条件，附着的薄膜脱落，达到薄膜沉积治具清洁的效果，避免了薄膜沉积治具的损伤及尺寸变化。尺寸变化。尺寸变化。
【技术实现步骤摘要】
一种用于薄膜沉积治具的清洁方法及装置
[0001]本专利技术属于真空沉积设备维修
，具体是一种用于薄膜沉积治具的清洁方法及装置。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展，半导体技术逐渐应用到科研领域的各个角落，而薄膜技术是半导体技术中至关重要的一环。薄膜技术是在体材料的表面沉积或制备一层性质与体材料性质完全不同的物质层，不同的薄膜材料具有的功能也不尽相同，在光学、电学、磁学、化学、力学和热学等方面均有所应用。薄膜制备的方法较多，有物理方法和化学方法，在薄膜制备的过程中大多要使用治具来固定样品，在薄膜沉积过程，治具上也会附着薄膜。不同的薄膜沉积治具要求不同，有的要求严格的尺寸，有的要求导电性良好，有的则要求不能有颗粒，这些均需要将薄膜沉积治具上的薄膜清除掉。
[0003]在现在薄膜沉积治具的清洁方法中，常用的技术有酸碱清洁法、喷砂工艺等。
[0004]现有的治具清洁方法具有各种各样的局限性，酸碱清洗法在清洁薄膜沉积治具上的薄膜时会腐蚀金属材质的薄膜沉积治具，导致薄膜沉积治具被腐蚀，薄膜沉积治具的尺寸发生形变，而耐腐蚀的陶瓷治具的加工工艺难度远高于金属类治具的加工；还有一种常用的方法，喷砂工艺利用喷砂机，将不同粒径的氧化铝颗粒喷出打在薄膜沉积治具上，该方法在去除掉薄膜沉积治具上薄膜的同时，也会将薄膜沉积治具的材料打掉一层，长时间喷砂清洁将导致薄膜沉积治具尺寸发生变化，甚至产生形变。另外，对于结构较为复杂的薄膜沉积治具，喷砂工艺无法彻底清洁边角的膜层，进而影响产品薄膜的沉积。
技术实现思路
<br/>[0005]为了克服清洁薄膜沉积治具存在损伤、尺寸变化的不足，本专利技术提出了一种用于薄膜沉积治具的清洁方法及装置。
[0006]一种用于薄膜沉积治具的清洁装置，包括真空腔体、清洁台、机械泵、分子泵、真空阀、清洁气贮罐、干燥气贮罐。
[0007]所述真空腔体内设置清洁台，所述清洁台用于放置待清洁的薄膜沉积治具。
[0008]所述分子泵、所述清洁气贮罐、所述干燥气贮罐分别与所述真空腔体连通，所述机械泵分别通过所述真空阀与所述分子泵、所述真空腔体连通。
[0009]上述的用于薄膜沉积治具的清洁装置，还包括真空计，所述真空计与真空腔体连通，用于测量所述真空腔体的真空度。
[0010]上述的用于薄膜沉积治具的清洁装置，还包括2个质量流量计，所述质量流量计分别位于所述清洁气贮罐、所述干燥气贮罐与所述真空腔体的连接管路上，用于测量所述清洁气贮罐、所述干燥气贮罐的质量流量。
[0011]一种用于薄膜沉积治具的清洁方法，包括如下步骤：
[0012]步骤1，放置待清洁的薄膜沉积治具
[0013]打开清洁装置的真空腔体，将待清洁的薄膜沉积治具放置在清洁台上，关闭真空腔体。
[0014]步骤2，真空腔体抽真空
[0015]第一步，启动清洁装置，开启机械泵，机械泵开始对真空腔体抽真空，至真空腔体真空度恒定，关闭机械泵。
[0016]第二步，打开干燥气贮罐，干燥气体通入真空腔体，至真空腔室1压力为1个大气压时，关闭干燥气贮罐，开启机械泵。
[0017]第三步，机械泵对真空腔体抽真空，至真空腔体的真空度<10
‑3Torr时，开启分子泵，至真空腔体真空度恒定，关闭分子泵，关闭机械泵。
[0018]第四步，打开干燥气贮罐，真空腔体通入干燥气体，至真空腔体达到1个大气压时，关闭干燥气贮罐，开启机械泵，至真空腔体真空度<10
‑3Torr，开启分子泵，至真空腔体真空度为1
×
10
‑6～1
×
10
‑7Torr，关闭分子泵，关闭机械泵。
[0019]步骤3，薄膜沉积治具清洁
[0020]打开清洁气贮罐，清洁气体通入真空腔体，至真空腔体气压为1
×
10
‑3～1
×
10
‑5Torr，保持恒定气压，至薄膜沉积治具上附着的膜层脱落。
[0021]上述的用于薄膜沉积治具的清洁方法，所述干燥气贮罐贮藏的气体为干燥的氮气。
[0022]上述的用于薄膜沉积治具的清洁方法，所述干燥气贮罐贮藏的气体还可以为干燥的氩气。
[0023]上述的用于薄膜沉积治具的清洁方法，所述步骤3薄膜沉积治具清洁，进一步包括：
[0024]所述真空腔体保持恒定气压的时间，与薄膜沉积治具附着薄膜的物理性质、厚度相关，当清洁气体与薄膜沉积治具上附着的薄膜充分接触，薄膜沉积治具与附着的薄膜之间产生的应力达到开裂应力时，附着的薄膜脱落。
[0025]上述的用于薄膜沉积治具的清洁方法，所述清洁气贮罐贮藏的清洁气体为水蒸汽。
[0026]上述的用于薄膜沉积治具的清洁方法，所述清洁气贮罐贮藏的清洁气体还可以为乙醇蒸汽。
[0027]上述的用于薄膜沉积治具的清洁方法，所述清洁气贮罐贮藏的清洁气体还可以为丙酮蒸汽。
[0028]本专利技术的有益效果是：
[0029]一种用于薄膜沉积治具的清洁方法，利用薄膜在较大的应力下开裂的原理，解决了常规清洁薄膜沉积治具引入的损伤，解决了复杂结构薄膜沉积治具的清洁问题，解决了薄膜沉积治具清洁不彻底而引起的薄膜沉积产品良率的问题，在高质量、大面积膜层的沉积上具有较为明显的优势。
[0030]一种用于薄膜沉积治具的清洁方法，通常情况下，在体材料衬底上沉积薄膜的厚度是有限制的，随着薄膜厚度的增加，薄膜与衬底之间的应力会变大，超过一定厚度，薄膜会出现开裂的现象，所以，一般情况下，薄膜镀制厚度会远小于薄膜开裂时的临界厚度。本专利技术利用薄膜与衬底之间应力的关系，将待清洁的薄膜沉积治具放置在高真空装置中，达
到一定的真空度后，往高真空装置中通入与薄膜应力作用的气体，该气体将改变镀制治具上薄膜与衬底之间的应力，当应力达到薄膜开裂的条件时，镀制治具上的膜层便开始脱落，达到薄膜沉积治具清洁的效果。该方法不仅不会损伤到薄膜沉积治具，对于复杂结构的薄膜沉积治具也能起到很好的清洁效果。
附图说明
[0031]图1是本专利技术清洁装置示意图；
[0032]图中：1.真空腔体；2.清洁台；3.机械泵；4.分子泵；5.真空阀；6.真空计；7.清洁气贮罐；8.干燥气贮罐；9.质量流量计。
具体实施方式
[0033]实施例1
[0034]一种用于薄膜沉积治具的清洁装置，如图1所示，包括真空腔体1、清洁台2、机械泵3、分子泵4、真空阀5、真空计6、清洁气贮罐7、干燥气贮罐8、质量流量计9。
[0035]本专利技术的装置主体为真空腔体1，腔体内部设置清洁台2，机械泵3和分子泵4分布在腔体底部或侧壁，质量流量计9和真空计6设置在真空腔体1侧壁，气源连接质量流量计9，真空阀5用于连接机械泵3与真空腔体1和分子泵4。
[0036]在清洁过程前，需要通入干燥气体进行冲抽过程(冲抽过程，通入干燥气体，待真空腔体达到大气压时，然后抽真空，反复本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于薄膜沉积治具的清洁装置，其特征在于，包括真空腔体(1)、清洁台(2)、机械泵(3)、分子泵(4)、真空阀(5)、清洁气贮罐(7)、干燥气贮罐(8)；所述真空腔体(1)内设置清洁台(2)，所述清洁台(2)用于放置待清洁的薄膜沉积治具；所述分子泵(4)、所述清洁气贮罐(7)、所述干燥气贮罐(8)分别与所述真空腔体(1)连通，所述机械泵(3)分别通过所述真空阀(5)与所述分子泵(4)、所述真空腔体(1)连通。2.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积治具的清洁装置，其特征在于，还包括真空计(6)，所述真空计(6)与真空腔体(1)连通，用于测量所述真空腔体(1)的真空度。3.根据权利要求1或2所述的用于薄膜沉积治具的清洁装置，其特征在于，还包括2个质量流量计(9)，所述质量流量计(9)分别位于所述清洁气贮罐(7)、所述干燥气贮罐(8)与所述真空腔体(1)的连接管路上，用于测量所述清洁气贮罐(7)、所述干燥气贮罐(8)的质量流量。4.一种用于薄膜沉积治具的清洁方法，使用权利要求1至3任一所述的用于薄膜沉积治具的清洁装置，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，放置待清洁的薄膜沉积治具：打开清洁装置的真空腔体(1)，将待清洁的薄膜沉积治具放置在清洁台(2)上，关闭真空腔体(1)；步骤2，真空腔体抽真空：第一步，启动清洁装置，开启机械泵(3)，机械泵(3)开始对真空腔体(1)抽真空，至真空腔体(1)真空度恒定，关闭机械泵；第二步，打开干燥气贮罐(8)，干燥气体通入真空腔体(1)，至真空腔室1压力为1个大气压时，关闭干燥气贮罐(8)，开启机械泵(3)；第三步，机械泵(3)对真空腔体(1)抽真空，至真空腔体(1)的真空度<10
‑3Torr时，开启分子泵(4)，至真空腔体(1)真空度恒定，关闭分子泵(4)，关闭机...
【专利技术属性】
技术研发人员：任占强，赵小亮，崔彬，刘乾，李青民，李喜荣，刘双涛，
申请(专利权)人：西安立芯光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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