【技术实现步骤摘要】
一种动态随机存储器的控制方法及装置
[0001]本申请实施例涉及存储领域,涉及但不限于一种动态随机存储器的控制方法及装置
。
技术介绍
[0002]双倍速率
(Double Data Rate
,
DDR)
控制器在对动态随机存取存储器
(Dynamic Random Access Memory
,
DRAM)
进行控制期间,负责对
DRAM
的行
(row)
进行打开
(open/activate)
及关闭
(close/precharge)
的操作
。
在对一个行进行列
(column)
操作即读或写操作后,行处于打开状态
。
[0003]现有对于行关闭的控制方案对于存储性能存在影响,还有待进一步优化
。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本申请实施例提供一种动态随机存储器的控制方法
、
装置
、
设备及存储介质
。
[0005]本申请实施例的技术方案是这样实现的:
[0006]第一方面,本申请实施例提供一种动态随机存储器的控制方法,所述方法包括:
[0007]确定打开状态且当前不存在数据操作的目标行;
[0008]等待预设等待时长后,关闭所述目标行;所述预设等待时长与动态随机存储器的历史操作频繁程度相关
。
[0009 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种动态随机存储器的控制方法,所述方法包括:确定打开状态且当前不存在数据操作的目标行;等待预设等待时长后,关闭所述目标行;所述预设等待时长与动态随机存储器的历史操作频繁程度相关
。2.
如权利要求1所述的方法,所述方法还包括:基于针对所述动态随机存储器的多次操作行为,确定表征所述历史操作频繁程度的统计参数;基于所述统计参数确定所述预设等待时长
。3.
如权利要求2所述的方法,所述基于针对所述动态随机存储器的多次操作行为,确定表征所述历史操作频繁程度的统计参数,包括:按照操作的时间先后顺序逐一统计针对所述动态随机存储器的每两个相邻操作行为之间的时间间隔;基于针对所述动态随机存储器的每两个相邻操作行为之间的时间间隔,与所述两个相邻操作行为发生时对应的当前等待时长之间的差距,确定所述每两个相邻操作行为对应的参数值;累加所述多次操作行为中每两个相邻操作行为对应的参数值,得到所述统计参数
。4.
如权利要求3所述的方法,所述基于针对所述动态随机存储器的每两个相邻操作行为之间的时间间隔,与所述两个相邻操作行为发生时对应的当前等待时长之间的差距,确定每两个相邻操作行为对应的参数值,包括:基于所述两个相邻操作行为发生时对应的当前等待时长
、
以及至少一个累加时长,确定两个以上的连续的时长区间,其中,不同时长区间对应不同的参数值;所述至少一个累加时长均大于所述当前等待时长;根据所述每两个相邻操作行为之间的时间间隔与所述时长区间的对应关系,确定对应的参数值
。5.
如权利要求4所述的方法,所述至少一个累加时长包括目标累加时长,所述基于所述两个相邻操作行为发生时对应的当前等待时长
、
以及至少一个累加时长,确定两个以上的连续的时长区间,包括:将大于所述目标累加时长的时长区间确定为第一时长区间;将小于等于所述目标累加时长,且大于所述当前等待时长的时长区间确定为第二时长区间;将小于等于所述当前等待时长的时长区间确定为第三时长区间;对应地...
【专利技术属性】
技术研发人员:马泽希,
申请(专利权)人:鼎道智芯上海半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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