芳香族胺衍生物和采用该衍生物的有机场致发光元件制造技术

技术编号:3940031 阅读:266 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及有特定结构的芳香族胺衍生物,其中一种有取代蒽结构结合到一种有带取代基的苯环取代的胺结构上;和一种有机场致发光器件,包含一个阴极、一个阳极、和夹持于该阴极与该阳极之间有至少一个发光层的一个或多个有机薄膜层,其中,该有机薄膜层中至少一个含有呈单一物质或混合物成分形式的上述芳香族胺衍生物。提供了所发射光有高发光度和高效率蓝色发光并显示出长寿命的有机场致发光器件,以及能实现这样的有机场致发光器件的新颖芳香族胺衍生物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新颖芳香族胺衍生物和使用该衍生物的有机场致发光器件,更具体地 说,涉及显示出所发射光的高发光度和高的光发射效率而且有长寿命的有机场致发光器 件,和能实现这样的有机场致发光器件的新颖芳香族胺衍生物。
技术介绍
有机场致发光器件(有机EL器件)是利用一种荧光物质当对其施加电场时因从 阳极注入的空穴与从阴极注入的电子之间复合的能量而发光的原理的自发发光器件。 自从Eastman Kodak公司的C. W. Tang等人报告以低电压驱动的层压体型有机EL 器件(C.W.Tang and S. A. Vanslyke,"AppliedPhysics Letters", Vol. 51,p. 913, 1987,等)以来,已经深入进行了关于由有机材料制作的有机EL器件的很多研究。 Tang等人报告的有机EL器件有包括由三(8_羟基喹啉醇)铝制成的发光层和由三苯基二胺衍生物制成的空穴传输层的这样一种层压体结构。这些器件的层压体结构有一些优点,例如提高了空穴注入发光层的效率,提高了通过阻断从阴极注入的电子并使该电 子与空穴复合而产生的受激粒子(激子)的产生效率,并将所产生的激子限制在该发光层 内。作为这样的有机EL器件的结构,众所周知,有一种包括一个空穴传输(注入)层和一 个电子传输与发光层的双层结构,一种包括一个空穴传输(注入)层、一个发光层和一个电 子传输(注入)层的三层结构等。在这些层压体型的有机EL器件中,为了提高注入其中的 空穴与电子之间的复合效率,已经提出了各种结构及其生产方法。 作为有机EL器件的发光材料,有已知的螯合型络合物例如三(8-羟基喹啉醇)铝 络合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物和噁二唑衍生物。 已经有人报告这些发光材料发射可见范围内的蓝到红光,因此,可望通过使用这些发光材 料来实现彩色显示器件(例如,参照JP 8-239655A、JP 7-138561A和JP 3-200289A等)。 此外,JP 2001-207167A公开了使用氨基蒽衍生物作为绿光发射材料的器件。然 而,该发光材料未能提供寿命长且发光效率高的器件,因此,实际上是不可利用的。 近年来,尽管公开或报告了发光度高且寿命长的很多有机EL器件,但其性能仍不 能令人满意。因此,人们强烈要求开发发光效率更优异的有机EL器件材料。
技术实现思路
本专利技术是为解决上述问题而进行的。本专利技术的一个目的是提供显示出所发射光的 高发光度和高发光效率而且有长寿命的有机EL器件,和能实现这样的有机EL器件的新颖 芳香族胺衍生物。 作为为开发有上述有利性能的有机EL器件的材料以及使用此类材料的有机EL器件而进行锐意研究的结果,本专利技术者们发现上述目的可以通过使用以下通式(1)所代表的 芳香族胺衍生物来实现,其中,一种有取代蒽结构键合到一种有带取代基的苯环取代的胺 结构上。本专利技术是在上述发现的基础上完成的。 因此,本专利技术提供 以下通式(1)所代表的一种芳香族胺衍生物 <formula>formula see original document page 7</formula>(1) 式中A1和A2各自独立地是氢原子、有1 10个碳原子的有取代或无取代烷基、有 5 50个核碳原子的有取代或无取代芳基、有3 20个核碳原子的有取代或无取代环烷 基、有1 10个碳原子的有取代或无取代烷氧基、有5 50个核碳原子的有取代或无取代 芳氧基、有5 50个核碳原子的有取代或无取代芳胺基、有1 10个碳原子的有取代或无 取代烷胺基、或卤素原子;P禾P q各自是1 5的整数,且s是1 9的整数,其中当p或q 是2或更大时多个W或f可以相同或不同而且可以彼此键合形成一个饱和或不饱和环,先 决条件是A1和A2两者不能同时是氢原子; R1是有3 10个碳原子的有取代或无取代仲烷基或叔烷基、或者有3 10个碳 原子的有取代或无取代仲环烷基或叔环烷基;t是1 9的整数,且当t是2或更大时,多 个W基团可以相同或不同; R2是氢原子、有1 10个碳原子的有取代或无取代烷基、有5 50个核碳原子的 有取代或无取代芳基、有3 20个核碳原子的有取代或无取代环烷基、有1 10个碳原子 的有取代或无取代烷氧基、有5 50个核碳原子的有取代或无取代芳氧基、有5 50个核 碳原子的有取代或无取代芳胺基、有1 10个碳原子的有取代或无取代烷胺基、或卤素原 子;u是0 8的整数,且当u是2或更大时多个R2基团可以相同或不同;且 s、 t和u之和(s+t+u)是2 10的整数。 本专利技术也提供 —种有机场致发光器件,包含一个阴极、一个阳极、和夹持于该阴极与该阳极之间 有至少一个发光层的一个或多个有机薄膜层,其中,该有机薄膜层中至少一个含有呈单一 物质或混合物成分形式的上述芳香族胺衍生物。该发光层较好含有呈单一物质或混合物成 分形式的芳香族胺衍生物。附图说明 图1是一幅显示作为本专利技术的芳香族衍生物的一个实例的化合物(6)的NMR谱的 视图。 图2是一幅显示作为本专利技术的芳香族衍生物的一个实例的化合物(7)的NMR谱的视图。 图3是视图。 图4是视图。 图5是的视图。 图6是的视图。具体实施例方式本专利技术的新颖芳香族胺衍生物用以下通式(1)代表 (A')p(1)(A2)q y/ s 在通式(1)中,A1和A2各自独立地是氢原子;有1 10个碳原子、较好1 6个 碳原子的有取代或无取代烷基;有5 50个核碳原子、较好5 10个核碳原子的有取代或 无取代芳基;有3 20个核碳原子、较好5 10个核碳原子的有取代或无取代环烷基;有 1 10个碳原子、较好1 6个碳原子的有取代或无取代烷氧基;有5 50个核碳原子、 较好5 10个核碳原子的有取代或无取代芳氧基;有5 50个核碳原子、较好5 20个 核碳原子的有取代或无取代芳胺基;有1 10个碳原子、较好1 6个碳原子的有取代或 无取代烷胺基;或卤素原子。 作为A1和A2的有取代或无取代烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、 仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂基、2_苯基异丙基、三氯甲基、三氟甲基、节基、 a-苯氧基节基、a, a-二甲基节基、a, a -甲基苯基节基、a , a-二 (三氟甲基)节基、 三苯甲基和a-节氧基节基。 作为A1和A2的有取代或无取代芳基的实例包括苯基、2_甲基苯基、3_甲基苯基、 4-甲基苯基、4_乙基苯基、联苯基、4_甲基联苯基、4_乙基联苯基、4-环己基联苯基、三联苯 基、3,5-二氯苯基、萘基、5_甲基萘基、蒽基、芘基。 作为A1和A2的有取代或无取代环烷基的实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己 基、降冰片基、和金刚基。 作为W和f的有取代或无取代烷氧基的实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧 基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、各种戊氧基和各种己氧基。8一幅显示作为本专利技术的芳香族衍生物的一个实例的化合物(8)的NMR谱的 一幅显示作为本专利技术的芳香族衍生物的一个实例的化合物(9)的NMR谱的 一幅显示作为本专利技术的芳香族衍生物的一个实例的化合物(10)的NMR谱 一幅显示作为本专利技术的芳香族衍生物的一个实例的化合物(11)的NMR本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种有机场致发光器件,包含一个阴极、一个阳极、和夹持于该阴极与该阳极之间有至少一个发光层的一个或多个有机薄膜层,其中,该有机薄膜层中至少一个含有呈单一物质或混合物的成分形式的以下通式(1)所代表的芳香族胺衍生物:***(1)式中A↑[1]和A↑[2]各自独立地是氢原子、有1~10个碳原子的有取代或无取代烷基、有5~50个核碳原子的有取代或无取代芳基、有3~20个核碳原子的有取代或无取代环烷基、有1~10个碳原子的有取代或无取代烷氧基、有5~50个核碳原子的有取代或无取代芳氧基、有5~50个核碳原子的有取代或无取代芳胺基、有1~10个碳原子的有取代或无取代烷胺基、或卤素原子;p和q各自是1~5的整数,且s是1~9的整数,其中当p或q是2或更大时多个A↑[1]或A↑[2]可以相同或不同而且可以彼此键合形成一个饱和或不饱和环,先决条件是A↑[1]和A↑[2]两者不能同时是氢原子;R↑[1]是有3~10个碳原子的有取代或无取代仲烷基或叔烷基、或者有3~10个碳原子的有取代或无取代仲环烷基或叔环烷基;t是1~9的整数,且当t是2或更大时,多个R↑[1]基团可以相同或不同;R↑[2]是氢原子、有1~10个碳原子的有取代或无取代烷基、有5~50个核碳原子的有取代或无取代芳基、有3~20个核碳原子的有取代或无取代环烷基、有1~10个碳原子的有取代或无取代烷氧基、有5~50个核碳原子的有取代或无取代芳氧基、有5~50个核碳原子的有取代或无取代芳胺基、有1~10个碳原子的有取代或无取代烷胺基、或卤素原子;u是0~8的整数,且当u是2或更大时多个R↑[2]基团可以相同或不同;且s、t和u之和(s+t+u)是2~10的整数。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:舟桥正和
申请(专利权)人:出光兴产株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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