晶片封装体及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种晶片封装体及其制造方法，其中该晶片封装体包括晶片

【技术实现步骤摘要】
晶片封装体及其制造方法


[0001]本专利技术有关一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。

技术介绍

[0002]一般而言，具有光接收器的晶片封装体可与光发射器设置于电路板上。光发射器可发出光线，当光线遇到物体时可被反射至晶片封装体的光接收器，并经由运算以得到物体的位置信息(例如距离)。具有光接收器的晶片封装体已广泛应用于汽车工业中。
[0003]然而，光发射器及具有光接收器的晶片封装体在制造时无法一同封装，在电路板上要预留较大的空间，不利于微小化设计，且组装成本也难以降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一技术态样为一种晶片封装体。
[0005]根据本专利技术的一些实施方式，一种晶片封装体包括晶片、第一支撑层、光发射器、第一透光片、重布线层与导电结构。晶片的顶面具有导电垫与第一光接收器。第一支撑层位于晶片的顶面上。光发射器位于晶片的顶面上。第一透光片位于第一支撑层上且覆盖第一光接收器。重布线层电性连接导电垫且延伸至晶片的底面。导电结构位于晶片的底面上的重布线层上。
[0006]在一些实施方式中，上述第一支撑层的材料包括环氧树脂，且第一支撑层围绕第一光接收器。
[0007]在一些实施方式中，上述第一支撑层为粘胶，且第一支撑层与第一光接收器在垂直方向上重叠。
[0008]在一些实施方式中，上述晶片封装体还包括抗反射层。抗反射层位于第一透光片的底面上。
[0009]在一些实施方式中，上述抗反射层延伸至第一透光片靠近光发射器的侧壁。
[0010]在一些实施方式中，上述晶片的顶面还具有第二光接收器，且光发射器位于第一光接收器与第二光接收器之间。
[0011]在一些实施方式中，上述晶片封装体还包括第二支撑层与第二透光片。第二支撑层位于晶片的顶面上。第二透光片位于第二支撑层上且覆盖第二光接收器。
[0012]在一些实施方式中，上述晶片封装体还包括抗反射层。抗反射层位于第二透光片的底面上。
[0013]在一些实施方式中，上述抗反射层延伸至第二透光片靠近光发射器的侧壁。
[0014]在一些实施方式中，上述第二支撑层的材料包括环氧树脂，且第二支撑层围绕第二光接收器。
[0015]在一些实施方式中，上述第二支撑层为粘胶，且第二支撑层与第二光接收器在垂直方向上重叠。
[0016]在一些实施方式中，上述晶片封装体还包括透光胶。透光胶覆盖光发射器。
[0017]在一些实施方式中，上述晶片具有邻接顶面与底面的斜面，导电垫凸出于斜面，且导电垫的外侧壁接触重布线层。
[0018]在一些实施方式中，上述晶片封装体还包括绝缘层与阻隔层。绝缘层沿晶片的斜面与底面设置，且位于晶片与重布线层之间。阻隔层覆盖重布线层的底面与绝缘层的底面，其中导电结构凸出于阻隔层。
[0019]在一些实施方式中，上述晶片具有穿孔，导电垫位于穿孔中，且重布线层延伸至穿孔中而与导电垫接触。晶片封装体还包括绝缘层。绝缘层位于晶片的底面与重布线层之间及穿孔的侧壁与重布线层之间。
[0020]在一些实施方式中，上述晶片封装体还包括阻隔层。阻隔层位于重布线层的底面上与晶片的底面上，且覆盖穿孔的开口，其中导电结构凸出于阻隔层。
[0021]本专利技术的另一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。
[0022]根据本专利技术的一些实施方式，一种晶片封装体的制造方法包括将母透光片接合于晶圆的顶面上的第一支撑层上，其中晶圆的顶面具有导电垫与第一光接收器，母透光片覆盖第一光接收器，母透光片具有一沟槽；蚀刻晶圆的底面以形成露出导电垫的缺口或穿孔；形成重布线层电性连接露出的导电垫且延伸至晶圆的底面；形成导电结构于晶圆的底面上的重布线层上；研磨母透光片的顶面以在沟槽的一侧形成第一透光片；切割第一透光片、晶圆与第一支撑层使晶圆形成一晶片；以及将光发射器设置于晶片的顶面上。
[0023]在一些实施方式中，上述晶圆的顶面还具有第二光接收器，将母透光片接合于晶圆的顶面上的第一支撑层上使得母透光片同步接合于晶圆的顶面上的第二支撑层上，且母透光片覆盖第二光接收器。
[0024]在一些实施方式中，上述晶片封装体的制造方法还包括形成抗反射层于母透光片的底面上。
[0025]在一些实施方式中，上述晶片封装体的制造方法还包括形成抗反射层于母透光片的沟槽的侧壁。
[0026]在本专利技术上述实施方式中，由于晶片封装体包括光发射器与晶片的第一光接收器，因此具有光发射与光接收的复合功能。光发射器与第一光接收器皆位于晶片的顶面，在运作时，光发射器可发出光线，当光线遇到物体时可被反射回晶片封装体的第一光接收器，并经由运算比对参考值便能得到物体的位置信息(例如距离)。第一光接收器可通过导电垫、重布线层与导电结构的配置将信息传输至晶片的下侧，以电性连接外部电子装置(例如电路板)。晶片封装体具有光发射与光接收的复合功能，利于微小化设计，可有效降低组装成本。此外，晶片封装体的制造方法可采晶圆级(Wafer level)封装将光发射器及第一光接收器一同封装于晶片封装体中，可提高良率与生产效率。
附图说明
[0027]当与随附图一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本
技术实现思路
的态样。注意到根据此行业中的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为论述的清楚性，可任意增加或减少各种特征的尺寸。
[0028]图1绘示根据本专利技术的一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0029]图2至图8绘示图1的晶片封装体的制造方法在不同阶段的剖面图。
[0030]图9绘示与图2不同的替换实施方式。
[0031]图10绘示根据本专利技术的另一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0032]图11绘示根据本专利技术的又一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0033]图12绘示根据本专利技术的再一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0034]图13绘示根据本专利技术的一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0035]图14绘示根据本专利技术的另一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0036]图15至图19绘示图14的晶片封装体的制造方法在不同阶段的剖面图。
[0037]图20绘示根据本专利技术的又一实施方式的晶片封装体的剖面图。
[0038]其中，附图标记的说明如下：
[0039]100、100a、100b、100c、100d、100d、100f：晶片封装体；110：晶圆；110a、110b：晶片；111：顶面；112：导电垫；113：底面；114a：第一光接收器；114b：第二光接收器；115：斜面；117：缺口；119：穿孔；120a：第一支撑层；120b：第二支撑层；130、130a：光发射器；140：母透光片；140a：第一透光片；140b：第二透光片；141、141a、141b：底面；142：抗反射层；143a、143b：侧壁；150：重布线层；160、160a：导电结构；170：透光胶；180、180a：绝缘层；181：缺口；190、190a本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：晶片，其顶面具有导电垫与第一光接收器；第一支撑层，位于该晶片的该顶面上；光发射器，位于该晶片的该顶面上；第一透光片，位于该第一支撑层上且覆盖该第一光接收器；重布线层，电性连接该导电垫且延伸至该晶片的底面；以及导电结构，位于该晶片的该底面上的该重布线层上。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一支撑层的材料包括环氧树脂，且该第一支撑层围绕该第一光接收器。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一支撑层为粘胶，且该第一支撑层与该第一光接收器在垂直方向上重叠。4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：抗反射层，该抗反射层位于该第一透光片的底面上。5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，该抗反射层延伸至该第一透光片靠近该光发射器的侧壁。6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片的该顶面还具有第二光接收器，且该光发射器位于该第一光接收器与该第二光接收器之间。7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：第二支撑层，该第二支撑层位于该晶片的该顶面上；以及第二透光片，该第二透光片位于该第二支撑层上且覆盖该第二光接收器。8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：抗反射层，该抗反射层位于该第二透光片的底面上。9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该抗反射层延伸至该第二透光片靠近该光发射器的侧壁。10.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第二支撑层的材料包括环氧树脂，且该第二支撑层围绕该第二光接收器。11.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该第二支撑层为粘胶，且该第二支撑层与该第二光接收器在垂直方向上重叠。12.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：透光胶，该透光胶覆盖该光发射器。13.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片具有邻接该顶面与该底面的斜面，该导电垫凸出...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑家明，张恕铭，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：