同轴针式锝洗提产生器制造技术

一种洗提产生器，包括：洗提柱，其具有限定内部空间的容器和隔膜；辐射屏蔽件，其具有限定中心凹部和向下延伸到中心凹部中的同轴流动针的上屏蔽部；以及下屏蔽部，所述下屏蔽部具有限定中心凹部的主体部分，其中洗提柱设置在下屏蔽部的中心凹部中，下屏蔽部的主体部分设置在上屏蔽部的中心凹部中，同轴流动针向下延伸穿过隔膜进入洗提柱的内部空间。延伸穿过隔膜进入洗提柱的内部空间。延伸穿过隔膜进入洗提柱的内部空间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】同轴针式锝洗提产生器
[0001]优先权的要求
[0002]本申请要求2020年12月29日提交的美国临时专利申请63/131,554和2021年12月28日提交的美国专利申请17/563,211的优先权，其公开内容通过引用结合于此。


[0003]本文公开的专利技术总体上涉及用于在核反应堆中产生放射性同位素靶的系统，更具体地，涉及用于从被辐照的放射性同位素靶中洗提(elute)锝
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99m的系统。

技术介绍

[0004]锝
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99m(Tc
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99m)是核医学(例如，医学诊断成像)中最常用的放射性同位素。Tc
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99m(m是亚稳态的)通常用于患者，并且当与某些设备一起使用时，用于对患者的内部器官进行成像。然而，Tc
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99m的半衰期仅为六(6)小时。因此，至少在核医学领域，容易获得的Tc
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99m来源是特别感兴趣和/或需要的。
[0005]考虑到Tc
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99m的半衰期短，Tc
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99m通常通过Mo
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99/Tc
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99m产生器在需要的位置和/或时间获得(例如，在药房、医院等)。Mo
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99/Tc
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99m产生器是通过使盐水通过Mo
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99材料，从衰变的钼
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99(Mo
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99)源中提取或洗提锝的亚稳态同位素(即Tc
‑r/>99m)的装置。Mo
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99不稳定，半衰期为66小时，衰变为Tc
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99m。Mo
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99通常在高通量核反应堆中由高浓缩铀靶(93％的铀
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235)的辐照产生，并在随后的加工步骤中将Mo
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99还原成可用的形式，如钛
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钼
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99(Ti
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Mo99)后，运送到Mo
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99/Tc
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99m产生器制造场所。Mo
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99/Tc
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99m产生器随后从这些集中地点分发到全国各地的医院和药店。由于Mo
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99具有短的半衰期，并且现有制造场所的数量有限，因此希望将被辐照的Mo
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99材料还原成可用形式所需的时间量最小化，并且增加可以发生辐照过程的场所的数量。
[0006]如图14所示，现有的洗提产生器通常包括洗提柱10，洗提柱10具有连接到塔的第一端的入口12和连接到塔的另一端的出口14，这意味着洗提柱仅在单一方向流动。因此，已知的洗提柱必须具有待洗提的材料16和在柱内成一直线设置的过滤介质18，从而形成细长的洗提柱。洗提柱需要足够的屏蔽20，以保护医疗现场放射工作人员在处理产生器和洗提过程中免受暴露。因此，已知洗提柱的屏蔽往往既笨重又庞大，导致运输和处理成本增加。
[0007]因此，至少仍然需要一种及时生产适用于Tc
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99m产生器的钛
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钼
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99材料的系统和方法。

技术实现思路

[0008]本公开的一个实施例提供了一种洗提产生器，包括：洗提柱，其具有限定内部空间的容器和对通向内部空间的开口进行密封的隔膜；辐射屏蔽件，其具有：限定中心凹部和同轴流动针组件的上屏蔽部，该同轴流动针组件包括向下延伸到中心凹部中的同轴流动针，以及具有基座和从基座向上延伸的主体部分的下屏蔽部，该主体部分限定了被配置为在其中接收洗提柱的中心凹部，其中洗提柱设置在下屏蔽部的中心凹部中，下屏蔽部的主体部
分设置在上屏蔽部的中心凹部中，同轴流动针向下延伸穿过隔膜进入洗提柱的内部空间。
[0009]洗提产生器的另一实施例包括洗提柱，该洗提柱具有限定内部空间的容器、对内部空间的开口进行密封的隔膜、邻近容器底部设置的底部过滤介质、邻近容器顶部设置的顶部过滤介质、包括具有内针和外针的同轴流针的同轴流针组件，外针围绕内针同轴设置，内针的最低部分向下延伸到底部过滤介质中，外针的最低部分向下延伸到上部过滤介质中。
[0010]并入本说明书并构成其一部分的附图示出了本专利技术的一个或多个实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
附图说明
[0011]现在将在下文中参考附图更全面地描述本专利技术，附图中示出了本专利技术的一些但非全部实施例。实际上，本专利技术可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例是为了使本公开满足适用的法律要求。
[0012]图1A、1B和1C是根据本专利技术实施例的同轴针式锝洗提产生器的视图，其被放置在一封装中；
[0013]图2A、2B和2C分别是图1A、1B和1C所示洗提产生器的两个透视图和剖视图；
[0014]图3是图2C所示洗提产生器的同轴针组件的侧视图；
[0015]图4是图2C所示洗提产生器的分解剖视图；
[0016]图5A和5B是图2A至2C所示洗提产生器的剖视图；
[0017]图6A和6B是图2A至2C所示洗提产生器的上屏蔽件半部的侧视图；
[0018]图7A、7B和7C是图2A至2C所示的洗提产生器的上屏蔽件和下屏蔽件的透视图；
[0019]图8是图2A至2C所示的洗提产生器的上屏蔽件的底部透视图；
[0020]图9是图2A至2C所示洗提产生器的洗提柱的透视图，包括入口和出口过滤器；
[0021]图10是图2A至2C所示的洗提产生器的同轴针的入口和出口的侧视图，包括鲁尔锁；
[0022]图11A和11B是经历洗提过程的图2A至2C所示洗提产生器的透视图；
[0023]图12是图2A至2C所示的洗提产生器的局部剖视图，包括屏蔽件出口；
[0024]图13A和13B是根据本专利技术另一实施例的洗提柱的剖视图；和
[0025]图14是现有技术洗提柱的剖视图。
[0026]在本说明书和附图中重复使用附图标记是为了表示根据本公开的本专利技术的相同或类似的特征或元件。
具体实施方式
[0027]现在将详细参考本专利技术的当前优选实施例，其一个或多个示例在附图中示出。每个例子都是通过解释而不是限制本专利技术的方式提供的。事实上，对于本领域技术人员来说，在不脱离本专利技术的范围和精神的情况下，可以对本专利技术进行修改和变化是显而易见的。例如，作为一个实施例的一部分示出或描述的特征可以用在另一个实施例上，以产生又一个实施例。因此，本专利技术旨在覆盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的这些修改和变化。
[0028]如在此使用的，涉及相对于同轴针式锝洗提产生器的方位的方向或位置的术语，
例如但不限于“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“上”或“下”，是指相对于洗提产生器在其正常预期操作中的方位的方向和相对位置，如图1B、5A和5B所示。因此，例如，术语“垂直”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种洗提产生器，包括：洗提柱，其具有限定内部空间的容器和对通向内部空间的开口进行密封的隔膜；辐射屏蔽件，包括：上屏蔽部，其限定中心凹部和同轴流动针组件，该同轴流动针组件包括向下延伸到中心凹部中的同轴流动针，以及下屏蔽部，其具有基座和从基座向上延伸的主体部分，该主体部分限定了被配置为在其中接收洗提柱的中心凹部，其中洗提柱设置在下屏蔽部的中心凹部中，下屏蔽部的主体部分设置在上屏蔽部的中心凹部中，同轴流动针向下延伸穿过隔膜进入洗提柱的内部空间。2.根据权利要求1所述的洗提产生器，其中，所述同轴流动针还包括内针和外针，所述外针围绕所述内针同轴设置。3.根据权利要求2所述的洗提产生器，其中，所述上屏蔽部还包括中心针凹部、第一流动路径和第二流动路径，并且所述第一流动路径和所述第二流动路径都从所述中心针凹部径向向外设置。4.根据权利要求3所述的洗提产生器，其中，所述同轴流动针设置在所述中心针凹部中。5.如权利要求4所述的洗提产生器，其中，所述同轴流动针组件还包括第一端口和第二端口，所述第一端口设置在上屏蔽部的第一流动路径中，而所述第二端口设置在上屏蔽部的第二流动路径中。6.根据权利要求5所述的洗提产生器，其中，所述第一端口的远端设置在所述辐射屏蔽件的外部，并且所述第一端口的近端与所述外针流体连通，并且所述第二端口的远端设置在所述辐射屏蔽件的外部，并且所述第二端口的近端与所述内针流体连通。7.如权利要求2所述的洗提产生器，其中，所述洗提柱还包括邻近容器的底部设置的底部过滤介质、邻近容器的顶部设置的顶部过滤介质，并且所述内针的最低部分向下延伸到所述底部过滤介质中，所述外针的最低部分向下延伸到所述上部过滤介质中。8.根据权利要求7所述的洗提产生器，还包括设置在所述上部过滤介质和所述底部过滤介质之间的可洗提粉末。9.根据权利要求1所述的洗提产生器，其中，所述上屏蔽部的中心凹部和所述下屏蔽部的中心凹部是圆柱形...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：BWXT同位素技术集团有限公司，
类型：发明
国别省市：