一种磷化铟片自动加工方法与系统技术方案

技术编号:39397776 阅读:13 留言:0更新日期:2023-11-19 15:51
本申请公开了一种磷化铟片自动加工方法与系统,该方法包括以下步骤:将贴好磷化铟片的陶瓷盘放置于上料架上;通过机械手拾取陶瓷盘后,翻转预设角度以对接抛光机的瓷盘固定件;在抛光机抛光完成后,通过机械手接取瓷盘固定件上的陶瓷盘,并将陶瓷盘移动至下料区;通过机械手将下料区的陶瓷盘移动至加热区进行加热,以分离陶瓷盘与陶瓷盘上的磷化铟片;通过送片装置将从陶瓷盘上分离的磷化铟片送至擦蜡装置进行擦蜡。通过本申请提供的磷化铟片自动加工方法与系统可以实现磷化铟片对接抛光机以及下拉的自动化作业,可以有效提高作业效率以及降低安全风险,从而解决现有的磷化铟晶片生产加工过程中为晶片上蜡和下蜡效率低的问题。低的问题。低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟片自动加工方法与系统


[0001]本申请涉及半导体磷化铟衬底材料制造
,尤其涉及一种磷化铟片自动加工方法与系统。

技术介绍

[0002]磷化铟衬底在制造高频高功率器件、光纤通信、无线传输、射电天文学等射频器件领域应用较广。在雷达和通信系统的射频前端、模拟/混合信号宽带宽电路方面具有较强竞争力,适合高速数据处理、高精度宽带宽A/D转换等应用。此外,磷化铟基射频器件相关器件如低噪声放大器、模块和接收机等器件还被广泛应用于卫星通信、毫米波雷达、有源和无源毫米波成像等设备中。在100GHz以上的带宽水平,使用磷化铟基射频器件在回程网络和点对点通信网络的无线传输方面具有明显优势,未来在6G通信甚至7G通信无线传输网络中,磷化铟衬底将有望成为射频器件的主流衬底材料。
[0003]在磷化铟晶片生产过程中,需要为晶片上蜡后进行抛光,并在抛光后为晶片下蜡。而现有的磷化铟晶片加工过程中,上蜡后对接抛光机以及抛光后下蜡的方式均是通过工作人员手动进行,操作效率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本申请的目的是提供一种磷化铟片自动加工方法与系统,用于解决现有的磷化铟晶片生产加工过程中为晶片上蜡和下蜡效率低的问题。
[0005]为达到上述技术目的,本申请第一方面提供一种磷化铟片自动加工方法,包括以下步骤:
[0006]S1、将贴好磷化铟片的陶瓷盘放置于上料架上;
[0007]S2、通过机械手拾取所述陶瓷盘后,翻转预设角度以对接抛光机的瓷盘固定件;
[0008]S3、在所述抛光机抛光完成后,通过所述机械手接取所述瓷盘固定件上的陶瓷盘,并将所述陶瓷盘移动至下料区;
[0009]S4、通过所述机械手将所述下料区的陶瓷盘移动至加热区进行加热,以分离陶瓷盘与陶瓷盘上的磷化铟片;
[0010]S5、通过送片装置将从陶瓷盘上分离的所述磷化铟片送至擦蜡装置进行擦蜡。
[0011]进一步地,所述步骤S2包括:
[0012]S21、通过机械手拾取所述陶瓷盘后,将所述陶瓷盘移动至上料区并通过第一清洗管进行预清洗;
[0013]S22、将预清洗后的所述陶瓷盘翻转预设角度以对接抛光机的瓷盘固定件。
[0014]进一步地,所述步骤S3之后以及步骤S4之前,还包括:
[0015]S31、在通过第二清洗管对所述下料区上的陶瓷盘进行清洗之后,将陶瓷盘甩干。
[0016]进一步地,所述步骤S4之后以及步骤S5之前,还包括:
[0017]S41、将分离出磷化铟片的陶瓷盘移动至冷却区进行冷却。
[0018]进一步地,所述步骤S5包括:
[0019]S51、通过送片装置将从陶瓷盘上分离的所述磷化铟片送至第一输送带上,并通过所述第一输送带旁侧的第一擦拭件擦拭所述磷化铟片底面的一部分;
[0020]S52、将所述磷化铟片送至第二输送带上,并通过所述第二输送带旁侧的第二擦拭件擦拭所述磷化铟片底面的另一部分。
[0021]进一步地,所述步骤S5之后还包括:
[0022]S6、通过收片盒叠放擦蜡后的所述磷化铟片。
[0023]本申请第二方面提供一种磷化铟片自动加工系统,包括:上下料装置、下片装置、送片装置与擦蜡装置;
[0024]所述上下料装置上设置有机械手、上料区与下料区;
[0025]所述机械手可翻转设置;
[0026]所述上料区和下料区用于放置陶瓷盘;
[0027]所述下片装置上设置有用于加热陶瓷盘的加热区;
[0028]所述擦蜡装置用于擦除磷化铟片上的蜡层;
[0029]所述送片装置用于将陶瓷盘上的磷化铟片输送至所述擦蜡装置上。
[0030]进一步地,所述上下料装置上还设置有第一清洗管和第二清洗管;
[0031]所述第一清洗管用于清洗所述上料区上的陶瓷盘;
[0032]所述第二清洗管用于清洗所述下料区上的陶瓷盘。
[0033]进一步地,所述下片装置上还设置有冷却区与料台;
[0034]所述冷却区与所述加热区沿竖直方向依次设置;
[0035]所述料台用于放置陶瓷盘,且于所述冷却区和加热区之间可升降设置。
[0036]进一步地,所述擦蜡装置包括:第一输送带、第二输送带、第一擦拭件与第二擦拭件;
[0037]所述第一输送带包括两根且呈平行间隔设置;
[0038]所述第一擦拭件设置于两根所述第一输送带之间,且与所述第一输送带端面平齐;
[0039]所述第二输送带设置于所述第一输送带输送方向的前方;
[0040]所述第二擦拭件设置有供所述第二输送带卡入的凹槽;
[0041]所述第二擦拭件与所述第二输送带端面平齐。
[0042]从以上技术方案可以看出,本申请提供一种磷化铟片自动加工方法与系统,该方法包括以下步骤:S1、将贴好磷化铟片的陶瓷盘放置于上料架上;S2、通过机械手拾取所述陶瓷盘后,翻转预设角度以对接抛光机的瓷盘固定件;S3、在所述抛光机抛光完成后,通过所述机械手接取所述瓷盘固定件上的陶瓷盘,并将所述陶瓷盘移动至下料区;S4、通过所述机械手将所述下料区的陶瓷盘移动至加热区进行加热,以分离陶瓷盘与陶瓷盘上的磷化铟片;S5、通过送片装置将从陶瓷盘上分离的所述磷化铟片送至擦蜡装置进行擦蜡。
[0043]通过本申请提供的磷化铟片自动加工方法与系统可以实现磷化铟片对接抛光机以及下拉的自动化作业,可以有效提高作业效率以及降低安全风险,从而解决现有的磷化铟晶片生产加工过程中为晶片上蜡和下蜡效率低的问题。
附图说明
[0044]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0045]图1为本申请实施例提供的一种磷化铟片自动加工方法的流程图;
[0046]图2为本申请实施例提供的一种磷化铟片自动加工方法的另一流程图;
[0047]图3为本申请实施例提供的一种磷化铟片自动加工系统的整体结构示意图;
[0048]图4为本申请实施例提供的一种磷化铟片自动加工系统中的擦蜡装置内部结构图。
具体实施方式
[0049]下面将结合附图对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请说明书中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请所请求保护的范围。
[0050]在本申请实施例的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磷化铟片自动加工方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将贴好磷化铟片的陶瓷盘放置于上料架上;S2、通过机械手(10)拾取所述陶瓷盘后,翻转预设角度以对接抛光机的瓷盘固定件;S3、在所述抛光机抛光完成后,通过所述机械手(10)接取所述瓷盘固定件上的陶瓷盘,并将所述陶瓷盘移动至下料区(120);S4、通过所述机械手(10)将所述下料区(120)的陶瓷盘移动至加热区(210)进行加热,以分离陶瓷盘与陶瓷盘上的磷化铟片;S5、通过送片装置(300)将从陶瓷盘上分离的所述磷化铟片送至擦蜡装置(400)进行擦蜡。2.根据权利要求1所述的磷化铟片自动加工方法,其特征在于,所述步骤S2包括:S21、通过机械手(10)拾取所述陶瓷盘后,将所述陶瓷盘移动至上料区(110)并通过第一清洗管(130)进行预清洗;S22、将预清洗后的所述陶瓷盘翻转预设角度以对接抛光机的瓷盘固定件。3.根据权利要求1或2所述的磷化铟片自动加工方法,其特征在于,所述步骤S3之后以及步骤S4之前,还包括:S31、在通过第二清洗管(140)对所述下料区(120)上的陶瓷盘进行清洗之后,将陶瓷盘甩干。4.根据权利要求1所述的磷化铟片自动加工方法,其特征在于,所述步骤S4之后以及步骤S5之前,还包括:S41、将分离出磷化铟片的陶瓷盘移动至冷却区(220)进行冷却。5.根据权利要求1所述的磷化铟片自动加工方法,其特征在于,所述步骤S5包括:S51、通过送片装置(300)将从陶瓷盘上分离的所述磷化铟片送至第一输送带(410)上,并通过所述第一输送带(410)旁侧的第一擦拭件(420)擦拭所述磷化铟片底面的一部分;S52、将所述磷化铟片送至第二输送带(430)上,并通过所述第二输送带(430)旁侧的第二擦拭件(440)擦拭所述磷化铟片底面的另一部分。6.根据权利要求1或5所述的磷化铟片自动加工方法,其特征在于,所述步骤S5之后还包括:S6、通过收...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑金龙黄艺毅周铁军马金峰
申请(专利权)人:广东先导微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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