嵌入式双列直插式内存模块制造技术

本实用新型专利技术公开一种嵌入式双列直插式内存模块，其包含一印刷电路板、一第一内存芯片组及一第二内存芯片组；其中该第一内存芯片组的多个内存芯片是以覆晶技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的一第一电路层上；其中该第二内存芯片组的多个内存芯片是以覆晶技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的一第二电路层上；其中该内存模块上的每一该内存芯片是以覆晶技艺直接设于该印刷电路板上，以此该内存模块得具有不设任何经由打线接合技艺所产生供电性连接用金属线材的附带条件，以利于降低制造端成本并增进电性表现。制造端成本并增进电性表现。制造端成本并增进电性表现。

【技术实现步骤摘要】
嵌入式双列直插式内存模块


[0001]本技术有关于一种双列直插式内存模块(DIMM，Dual In
‑
line Memory Module)，尤其是指一种所包含的多个内存芯片全部以覆晶技艺来完成电性连接的嵌入式双列直插式内存模块(Embedded DIMM)。

技术介绍

[0002]窗型栅式阵列构装(Window BGA)技艺是现有的一种用于动态随机存取内存(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的封装型式，供用以制造现有的双列直插式内存模块(DIMM，Dual In
‑
line Memory Module)；参考图7，现有的一种双列直插式内存模块2包含一印刷电路板2a、一表面2b、一线路2c、一芯片封装结构组2d、一只读存储器2f及一导电触片2g，该芯片封装结构组2d包含多个芯片封装结构2e，其中每一该芯片封装结构2e是利用窗型栅式阵列构装(Window BGA)技艺所制成，每一该芯片封装结构2e包含一载板2h、一芯片2i及一开窗结构2j，其中该芯片2i是利用打线接合(Wire Bonding)技艺所产生的金属线材通过该开窗结构2j而对应电性连接到该载板2h上(未图示)；其中该芯片封装结构组2d是以覆晶(Flip Chip)技艺而电性连接地对应设于该印刷电路板2a的该表面2b上的该线路2c上。
[0003]由上可知，现有的双列直插式内存模块是利用打线接合(Wire Bonding)技艺先将多个芯片封装分别制作形成多个芯片封装结构体(可视为第一次封装制程)，之后再将多个芯片封装结构体封装设置在印刷电路板上(可视为第二次封装制程)，故具有以下缺点：
[0004](1)现有的双列直插式内存模块是通过第一次及第二次封装制程实现的，因此结构中电性连接线路相对增长，导致电性表现相对不佳。
[0005](2)现有的双列直插式内存模块在制造时是包含了第一次及第二次封装制程，因此相对增加制造端的制造成本，相对不符合现今追求节能的要求。
[0006](3)由于制造现有的双列直插式内存模块的第一次封装是利用打线接合(Wire Bonding)技艺完成，因此所使用的金属线材(如金线)会相对增加制造端的材料成本。
[0007]此外，现有的双列直插式内存模块的印刷电路板及芯片封装结构体是以裸露的形式对外露出，使得印刷电路板及芯片封装结构体容易受损，而且长期外露亦容易造成金属材料氧化而缩短使用寿命。

技术实现思路

[0008]本技术的主要目的在于提供一种嵌入式双列直插式内存模块(Embedded DIMM)，该内存模块包含一印刷电路板、一第一内存芯片组及一第二内存芯片组；其中该第一内存芯片组的多个内存芯片是以覆晶(Flip Chip)技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的一第一面上的一第一电路层上；其中该第二内存芯片组的多个内存芯片是以覆晶技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的一第二面上的一第二电路层上；其中该内存模块上的每一该内存芯片是以覆晶技艺直接设于该印刷电路板上(WLCSP on DIMM)，因此该内存模
块不具有任何经由打线接合(Wire Bonding)技艺所产生的供电性连接用的金属线材，有效地解决现有的双列直插式内存模块(DIMM)需要改良的缺点。
[0009]为达成上述目的，本技术提供一种嵌入式双列直插式内存模块，该内存模块包含一印刷电路板、一第一内存芯片组及一第二内存芯片组；其中该印刷电路板包含有一第一面与相对的一第二面、一第一电路层、一第二电路层、及一导电触片，该第一电路层位于该第一面上，该第二电路层位于该第二面上，该导电触片是与外部电子装置的主板电性连接用；其中该第一内存芯片组包含多个内存芯片，每一该内存芯片是以覆晶(Flip Chip)技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的该第一面上的该第一电路层上；其中该第二内存芯片组包含多个内存芯片，每一该内存芯片是以覆晶技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的该第二面上的该第二电路层上；其中该内存模块上的每一该内存芯片是以覆晶技艺直接设于该印刷电路板上，该内存模块不具有任何经由打线接合(Wire Bonding)技艺所产生的供电性连接用的金属线材。
[0010]在本技术一较佳实施例中，该内存模块进一步包含一封膜层，该封膜层是以注塑技艺包覆住该内存模块但露出该内存模块上的该印刷电路板的该导电触片。
[0011]在本技术一较佳实施例中，该封膜层进一步具有一平整地第一表面及相对的一平整地第二表面；其中该第一表面位于该第一内存芯片组外部；其中该第二表面位于该第二内存芯片组外部。
附图说明
[0012]图1是本技术的内存模块的上视平面示意图。
[0013]图2是本技术的内存模块的侧视平面示意图。
[0014]图3是本技术的印刷电路板上电性连接地对应设第一内存芯片组的侧视平面分解示意图。
[0015]图4是本技术的印刷电路板上电性连接地对应设第一内存芯片组的侧视平面组合示意图。
[0016]图5是本技术的印刷电路板上电性连接地对应设第二内存芯片组的侧视平面分解示意图。
[0017]图6是本技术的印刷电路板上电性连接地对应设第二内存芯片组的侧视平面组合示意图。
[0018]图7是现有的双列直插式内存模块的上视平面示意图。
[0019]附图标记说明：1
‑
内存模块；10
‑
印刷电路板；11
‑
第一面；12
‑
第二面；13
‑
第一电路层；14
‑
第二电路层；15
‑
导电触片；20
‑
第一内存芯片组；21
‑
内存芯片；30
‑
第二内存芯片组；31
‑
内存芯片；40
‑
封膜层；41
‑
第一表面；42
‑
第二表面；2
‑
内存模块；2a
‑
印刷电路板；2b
‑
表面；2c
‑
线路；2d
‑
芯片封装结构组；2e
‑
芯片封装结构；2f
‑
只读存储器；2g
‑
导电触片；2h
‑
载板；2i
‑
芯片；2j
‑
开窗结构。
具体实施方式
[0020]配合图示，将本技术的结构及其技术特征详述如下，其中各图示只用以说明本技术的结构关系及相关功能，因此各图示中各元件的尺寸并非依实际比例画制且非
用以限制本技术。
[0021]参考图1及图2，本技术提供一种嵌入式双列直插式内存模块(Embedded DIMM)1，该内存模块1包含一印刷电路板10(PCB，Printed circuit board)、一第一内存芯片组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式双列直插式内存模块，其特征在于，包含：一印刷电路板，其包含有一第一面与相对的一第二面、一第一电路层、一第二电路层及一导电触片，该第一电路层位于该第一面上，该第二电路层位于该第二面上，该导电触片用于与外部电子装置的主板电性连接；一第一内存芯片组，其包含多个内存芯片，每一该内存芯片是以覆晶技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的该第一面上的该第一电路层上；及一第二内存芯片组，其包含多个内存芯片，每一该内存芯片是以覆晶技艺电性连接地对应设于该印刷电路板的该第二面上的该第二电路层上；...

【专利技术属性】
技术研发人员：于鸿祺，林俊荣，古瑞庭，
申请(专利权)人：华东科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：