本发明专利技术的衬底处理装置能够抑制颗粒向处理室内扩散，降低气体过滤器的更换所需要的成本。本发明专利技术的衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；和对该处理室内供给处理气体的气体供给部，所述气体供给部具有：配置于处理室内的气体供给喷嘴；配置于气体供给喷嘴内的、用于除去处理气体所含有的不纯物的过滤器；和开设于气体供给喷嘴上的、将由过滤器除去了不纯物后的处理气体供给至处理室内的气体供给口。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对衬底进行处理的衬底处理装置。
技术介绍
在日趋高密度化的DRAM等的半导体装置中，作为栅极绝缘膜和电容器绝缘膜，例如使用含有铪(Hf)元素或锆(Zr)元素的高介电常数膜(高_k膜)。这是因为例如膜厚为 1. 6nm的HfO2膜能够获得与膜厚为4. 5nm的SiO2膜同等程度的高介电常数。作为形成含 有Hf元素或锆&元素的高介电常数膜的方法，例如使用ALD (Atomic Layer Deposition, 原子层堆积)法等，即将通过气化器使TEMAH(Hf [N(CH3)CH2CHJ4 四(乙基甲胺基)铪) 或TEMAZ [N(CH3) CH2CHJ4:四(乙基甲基氨基)锆)等的有机类化合物(液体原料)气 化而生成的气化气体和臭氧(O3)气体等的氧化气体交替供给至收纳有硅晶片等的衬底的 处理室内。在使用TEMAH或TEMAZ等有机类化合物形成高介电常数膜时，有时在气化器内残 留碳化物，有时在连接气化器内和处理室内的配管内形成气化气体的包含不纯物的副生成 物、例如气化气体的氧化物。这些碳化物和氧化物有可能成为产生导致半导体装置的制造 成品率恶化的颗粒(异物)的主要原因。另外，TEMAH或TEMAZ这样的有机类化合物具有 易于与水分反应的性质。因此，在更换气化器或配管等之后，在为了除去水分而实施的气化 器内或配管内的净化不充分、或者气化器或配管的加热产生不均时，有时残留在气化器内 或配管内的水分会与有机类化合物反应而生成颗粒。为了抑制在气化器内或配管内产生的颗粒向处理室内扩散，在现有的衬底处理装 置中，在连接气化器和处理室的配管中设有过滤器。但是，在该结构中，在更换过滤器时，存 在气化器内或配管内暴露于大气，在它们的内壁附着了水分，会导致产生颗粒的情况。也有 人考虑随着过滤器的更换，一并更换暴露于大气的部分配管部件等的方法。但是，在该方法 中，过滤器更换作业所需要的时间的增长和成本的增加是问题。尤其是，在更换配管部件等 时，有时也必须一并进行设置在配管周边的加热用加热器等的装卸，因此过滤器的更换操 作所需要的时间的增长和成本的增加是问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够抑制颗粒向处理室内扩散、降低过滤器的更换所 需要的成本的衬底处理装置。根据本专利技术的一个方式提供一种衬底处理装置，该衬底处理装置具有处理衬底的 处理室和对该处理室内供给处理气体的气体供给部，所述气体供给部具有配置于所述处 理室内的气体供给喷嘴；配置于所述气体供给喷嘴内的、用于去除所述处理气体所含有的 不纯物的过滤器；和开设于所述气体供给喷嘴上的、将由所述过滤器去除了所述不纯物后 的所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给口。采用本专利技术所涉及的衬底处理装置，能够抑制颗粒向处理室内扩散，能够降低过滤器的更换所需要的成本。 附图说明图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的衬底处理装置的简要结构图。图2是本专利技术的一个实施方式所涉及的衬底处理装置所有的处理炉的简要结构 图，图2 (a)、图2 (b)分别表示处理炉的纵截面简要视图和处理炉的横截面简要视图。图3是本专利技术的一个实施方式所涉及的气化气体喷嘴及其周边的局部放大图。图4是本专利技术的一个实施方式所涉及的过滤器的简要结构图。图5是现有的气化气体喷嘴及其周边的局部放大图。图6是例示处理室内的温度分布的测定结果的图表。图7是本专利技术的一个实施方式所涉及的气化气体喷嘴及其周边的局部放大图。附图标记说明200晶片(衬底)201处理室248a气化气体供给孔(气体供给口) 325气体导入喷嘴346过滤器346a过滤器部件。具体实施例方式(1)衬底处理装置的结构首先，关于本专利技术的一个实施方式所涉及的衬底处理装置101的结构例，使用图1 进行说明。如图1所示，本实施方式所涉及的衬底处理装置101具有框体111。为了将由硅 等构成的晶片(衬底)200向框体111的内外运送，使用作为收纳多个晶片200的晶片载体 (衬底收纳容器)的盒体110。在框体111内侧的前方(图中的右侧)设置有盒体载置台 (衬底收纳容器交接台)114。盒体110构成为，通过未图示的工序内运送装置被载置于盒 体载置台114上，再从盒体载置台114上被运往框体111外。盒体110通过工序内运送装置以盒体110内的晶片200成为垂直姿势、盒体110 的晶片出入口朝向上方的方式被载置于盒体载置台114上。盒体载置台114构成为，能够 使盒体110朝向框体111的后方沿纵向旋转90°，使盒体110内的晶片200变为水平姿势， 从而使盒体110的晶片出入口朝向框体111内的后方。在框体111内的前后方向的大致中央部，设置有盒体架(衬底收纳容器载置 架)105。盒体架105构成为按多层多列保管多个盒体110。在盒体架105中设置有移载架 123，该移载架123收纳有成为后述的晶片移载机构125的运送对象的盒体110。另外，在盒 体载置台114的上方设有预备盒体架107，用于预备保管盒体110。在盒体载置台114和盒体架105之间设有盒体运送装置(衬底收纳容器运送装 置)118。盒体运送装置118具有保持着盒体110仍可升降的盒体升降机(衬底收纳容器 升降机构)118a ；和作为保持着盒体110仍可水平移动的运送机构的盒体运送机构(衬底 收纳容器运送机构)118b。通过这些盒体升降机118a和盒体运送机构118b的协同动作，在 盒体载置台114、盒体架105、预备盒体架107和移载架123之间运送盒体110。在盒体架105的后方设有晶片移载机构(衬底移载机构)125。晶片移载机构125具有使晶片200沿水平方向旋转或直线运动的晶片移载装置(衬底移载装置)125a ；和使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机(衬底移载装置升降机构)125b。另外，晶 片移载装置125a具有以水平姿势保持晶片200的夹钳(衬底移载用夹具)125c。通过这些 晶片移载装置125a和晶片移载装置升降机125b的协同动作，从移载架123上的盒体110内 拾取晶片200向后述的舟皿(衬底支承部件)217装填(装载)，从舟皿217卸下(卸装) 晶片200向移载架123上的盒体110内收纳。在框体111的后部上方设有处理炉202。在处理炉202的下端部设置开口，该开口 构成为由炉口闸门(炉口开闭机构)147进行开闭。另外，关于处理炉202的结构后述。在处理炉202的下方设有使舟皿217升降以向处理炉202内外运送的作为升降机 构的舟皿升降机(衬底支承部件升降机构)115。在舟皿升降机115的升降台设有作为连 结构件的臂128。在臂128上以水平姿势设有垂直地支承舟皿217并且在已由舟皿升降机 115使舟皿217上升时气密地封闭处理炉202的下端部的作为盖体的密封盖219。主要由 晶片移载机构125 (晶片移载装置125a、晶片移载装置升降机125b和夹钳125c)、舟皿升降 机115、臂128构成将至少一片晶片200向处理室201内外运入运出的运入运出机构。舟皿217具有多根保持部件，构成为将多片(例如50片至150片左右)晶片200 以水平姿势且以将其中心对齐的状态在垂直方向上整齐排列并以多层保持。关于舟皿217 的详细结构后述。在盒体架105的上方设本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理室；和对该处理室内供给处理气体的气体供给部，所述气体供给部具有：配置于所述处理室内的气体供给喷嘴；配置于所述气体供给喷嘴内的、用于除去所述处理气体所含有的不纯物的过滤器；和开设于所述气体供给喷嘴上的、将由所述过滤器除去了所述不纯物后的所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给口。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹林雄二，冈田格，中川崇，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。