一种作用于料件的抛光机制造技术

本实用新型专利技术公开了一种作用于料件的抛光机，包括上抛组件、下抛组件以及驱动组件，所述上抛组件包括两个独立自转的上抛头，其中驱动组件与所述上抛组件传动连接，以推动两个所述上抛头在第一平面内相近或相反移动；所述下抛组件包括独立自转的下抛盘，所述下抛盘位于所述第一平面内用于支撑料件，所述下抛盘采用铜质材料或者树脂铜质材料制成；两个所述上抛头同步朝向所述下抛盘移动并抵压所述料件；两个所述上抛头的中心连线在所述第一平面内的投影与所述下抛盘其中一个直径在所述第一平面内的投影重叠。本实用新型专利技术至少包括以下优点：抛光轨迹更加复杂且受力均匀，通过下抛组件材质的选择，温度控制更加精准，有效保证晶片质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
一种作用于料件的抛光机


[0001]本技术涉及抛光
，具体的是一种作用于料件的抛光机。

技术介绍

[0002]本部分的描述仅提供与本技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
[0003]抛光是目前半导体晶片生产加工过程中常用的一种工艺，其中半导体晶片包括硅片、砷化镓、锗片、蓝宝石、磷化铟等。目前半导体晶片抛光时，抛光机的抛光盘的平坦度控制是影响到晶片抛光精度的关键技术。抛光过程中，温度、受力分布等因素，都较容易造成半导体晶片厚度不一致的现象，影响晶片质量。
[0004]应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术中的缺陷，本技术实施例提供了一种作用于料件的抛光机，其抛光轨迹更加复杂且受力均匀，通过下抛组件材质的选择，温度控制更加精准，有效保证晶片质量。
[0006]本申请实施例公开了：一种作用于料件的抛光机，包括上抛组件、下抛组件以及驱动组件，
[0007]所述上抛组件包括两个独立自转的上抛头，其中驱动组件与所述上抛组件传动连接，以推动两个所述上抛头在第一平面内相近或相反移动；
[0008]所述下抛组件包括独立自转的下抛盘，所述下抛盘位于所述第一平面内用于支撑料件，
[0009]所述下抛盘采用铜质材料或者树脂铜质材料制成；
[0010]两个所述上抛头同步朝向所述下抛盘移动并抵压所述料件；
[0011]两个所述上抛头的中心连线在所述第一平面内的投影与所述下抛盘其中一个直径在所述第一平面内的投影重叠。
[0012]进一步地，两个所述上抛头的抛光面积覆盖整个所述料件的抛光面。
[0013]进一步地，两个所述上抛头的线速度相等，两个所述上抛头的转速在5
‑
200rmp。
[0014]进一步地，所述下抛盘的承载面具有螺旋状纹路。
[0015]进一步地，包括多个压力传感件，每个所述上抛头均对应地信号连接有能够检测其自身抵压力的所述压力传感件，两个所述上抛头的抵压力数值相等。
[0016]进一步地，包括第一冷却件和第二冷却件，所述第一冷却件作用于所述上抛组件，所述第二冷却件作用于下抛组件。
[0017]进一步地，所述第一冷却件和第二冷却件均包括喷头件、由所述喷头件输出的冷却水。
[0018]借由以上的技术方案，本技术的有益效果如下：
[0019]1、两个所述上抛头同步朝向所述下抛盘移动并抵压所述料件。其中下抛盘也能够转动，配合上抛头的自转、以及在第一平面内的移动，能够有效增加抛光轨迹的复杂性，从而降低局部抛光过深或过浅的弊端出现；
[0020]2、抛盘采用铜质材料或者树脂铜质材料制成，在抛光的过程中会产生热量，该热量则会造成下抛盘的微量变形，对应的会采用冷却的方式降低变形量。其中通过上述材质的选择，则在抛光的工作中，利用下抛盘上具有微量下凹的结构，以及材质的性能，则能够保持支撑面近似平整，提高晶体的抛光质量。
[0021]为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术实施例中的整体装置结构示意图；
[0024]图2是本技术实施例中的部分装置结构示意图；
[0025]图3是本技术实施例中的下抛组件处的结构示意图。
[0026]以上附图的附图标记：1、驱动组件；2、上抛头；3、下抛盘；4、压力传感件。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]需要说明的是，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0029]结合图1至图3所示，本实施例公开了一种作用于料件的抛光机，包括上抛组件、下抛组件以及驱动组件1，其中抛光机还具有壳体，所述上抛组件、下抛组件和驱动组件均位于壳体内，以保证抛光环境的密封性。
[0030]所述上抛组件包括两个独立自转的上抛头2，其中驱动组件1与所述上抛组件传动连接，以推动两个所述上抛头2在第一平面内相近或相反移动。具体地，该驱动组件1包括安装横梁件、设置在安装横梁件上的气缸推动件。优选地，两个所述上抛头通过滑块件设置在安装横梁件上，且能够与气缸推动件的输出端连接。通过上述的设置方式，两个该气缸推动件能够同步动作，以推动两个所述上抛头2在第一平面内相近或相反移动。
[0031]所述下抛组件对应设置在所述上抛组件的下方。该下抛组件包括独立自转的下抛盘3，所述下抛盘3位于所述第一平面内用于支撑料件。该料件包括硅片、砷化镓、锗片、蓝宝
石、磷化铟等。两个所述上抛头2同步朝向所述下抛盘3移动并抵压所述料件。其中下抛盘3也能够转动，配合上抛头2的自转、以及在第一平面内的移动，能够有效增加抛光轨迹的复杂性，从而降低局部抛光过深或过浅的弊端出现。值得注意的是，两个所述上抛头2的抛光面积覆盖整个所述料件的抛光面。
[0032]值得注意的是，该下抛盘3采用铜质材料或者树脂铜质材料制成。在抛光的过程中会产生热量，该热量则会造成下抛盘的微量变形，对应的会采用冷却的方式降低变形量。其中通过上述材质的选择，则在抛光的工作中，利用下抛盘上具有微量下凹的结构，以及材质的性能，则能够保持支撑面近似平整，提高晶体的抛光质量。
[0033]值得注意的是，两个所述上抛头2的中心连线在所述第一平面内的投影与所述下抛盘3其中一个直径在所述第一平面内的投影重叠。上述的设置方式，无论上抛头2的位置如何选择，该晶元所受到的抵压力均是对称均匀的，提高晶体的抛光质量。
[0034]其中一种优选的实施方式中，两个所述上抛头2的线速度相等，两个所述上抛头2的转速在5
‑
200rmp。上述的设置，以保证两个上抛头2抛光的一致性。
[0035]其中一种优选的实施方式中，所述下抛盘3的承载面具有螺旋状纹路，能够增大与晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种作用于料件的抛光机，其特征在于，包括上抛组件、下抛组件以及驱动组件，所述上抛组件包括两个独立自转的上抛头，其中驱动组件与所述上抛组件传动连接，以推动两个所述上抛头在第一平面内相近或相反移动；所述下抛组件包括独立自转的下抛盘，所述下抛盘位于所述第一平面内用于支撑料件，所述下抛盘采用铜质材料或者树脂铜质材料制成；两个所述上抛头同步朝向所述下抛盘移动并抵压所述料件；两个所述上抛头的中心连线在所述第一平面内的投影与所述下抛盘其中一个直径在所述第一平面内的投影重叠。2.如权利要求1所述的作用于料件的抛光机，其特征在于，两个所述上抛头的抛光面积覆盖整个所述料件的抛光面。3.如权利要求1所述的作用于料件的抛光机，其特征在于，两个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小辉，
申请(专利权)人：苏州辰轩光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：