反应腔和沉积设备制造技术

本公开提供一种反应腔和沉积设备，涉及半导体技术领域。该反应腔包括壁体和盖体，壁体设有用于放置晶圆的腔室，壁体上设有相互独立的第一通道和第二通道；第一通道与腔室连通。盖体连接于壁体，盖体上设有第三通道，第三通道的一端与第二通道连通，另一端与腔室连通。该反应腔可以让两种不同的气体分别进入腔室，防止两种气体在进入腔室前混合发生反应，改变气体成分，从而影响晶圆表面形成的薄膜的质量。量。量。

【技术实现步骤摘要】
反应腔和沉积设备


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种反应腔和沉积设备。

技术介绍

[0002]沉积工艺中，需要经由腔体的气孔将多种反应气体均匀导入反应区域内后，再进行喷涂，因此这些气体是不可相互接触的，若相互接触会发生化学反应改变气体性质，从而影响晶圆表面的薄膜质量。但现有的腔体大多采用单一的气孔流道，即使将不同的气体在不同时间进入，也容易由于气孔流道内残留的气体和新进入气体混合形成气体反应物，容易产生杂质，从而影响薄膜质量。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种反应腔和沉积设备，其能够将不同的气体从不同的通道进入腔室，防止不同气体间提前接触反应，有利于提高晶圆表面薄膜的质量。
[0004]本技术的实施例是这样实现的：
[0005]第一方面，本技术提供一种反应腔，包括：
[0006]壁体，所述壁体设有用于放置晶圆的腔室，所述壁体上设有相互独立的第一通道和第二通道；所述第一通道与所述腔室连通；
[0007]盖体，所述盖体连接于所述壁体，所述盖体上设有第三通道，所述第三通道的一端与所述第二通道连通，另一端与所述腔室连通。
[0008]在可选的实施方式中，所述壁体包括第一端面、第二端面和内侧面，所述第一端面和所述第二端面相对设置，所述内侧面位于所述第一端面和所述第二端面之间，且所述内侧面分别连接于所述第一端面和所述第二端面；
[0009]所述第二通道贯通所述第一端面和所述第二端面；所述第一端面设有进气孔，所述内侧面设有出气孔，所述出气孔与所述进气孔连通，形成所述第一通道。
[0010]在可选的实施方式中，所述盖体连接于所述第二端面。
[0011]在可选的实施方式中，所述盖体包括罩设部和环形挡块，所述罩设部与所述第二端面连接，所述环形挡块凸设于所述罩设部，且所述环形挡块位于所述腔室内；所述环形挡块设有所述第三通道。
[0012]在可选的实施方式中，所述环形挡块与所述内侧面贴合，所述环形挡块上设有与所述第二通道连通的导流槽。
[0013]在可选的实施方式中，所述环形挡块远离所述罩设部的一端设有环形槽，所述导流槽与所述环形槽连通。
[0014]在可选的实施方式中，所述环形挡块上设有导流孔，所述导流孔的一端与所述第二通道连通，另一端与所述环形槽连通。
[0015]在可选的实施方式中，所述罩设部和所述第二端面中，其中一个设有滑槽，另一个设有凸块，所述凸块设于所述滑槽中；所述凸块在所述滑槽中滑动以调节所述罩设部与所
述第二端面之间的距离。
[0016]在可选的实施方式中，在所述凸块的滑动轨迹方向上，所述滑槽的深度逐渐变化。
[0017]第二方面，本技术提供一种沉积设备，包括如前述实施方式中任一项所述的反应腔。
[0018]本技术实施例的有益效果包括：
[0019]本技术实施例提供的反应腔，设有相互独立的第一通道和第二通道，第一通道与腔室连通，第二通道经盖体上的第三通道与腔室连通。可以分别独立地通入两种气体，防止不同气体间提前接触反应形成杂质，既能提高进气效率，也能提高晶圆表面的薄膜的成膜质量。
[0020]本技术实施例提供的一种沉积设备，包括上述的反应腔，可以实现两种不同的气体分别独立地、不接触地进入腔室中，可以同时进入，也可以分时段进入，防止不同气体在进入腔室前提前接触反应形成杂质，既能提高进气效率，也能提高晶圆表面的薄膜的成膜质量。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0022]图1为本技术实施例提供的反应腔的整体结构示意图；
[0023]图2为本技术实施例提供的反应腔的拆分结构示意图；
[0024]图3为本技术实施例提供的反应腔的壁体的第一视角的结构示意图；
[0025]图4为本技术实施例提供的反应腔的壁体的第二视角的结构示意图；
[0026]图5为本技术实施例提供的反应腔的盖体的一种结构示意图。
[0027]图标：100
‑
反应腔；110
‑
壁体；111
‑
第一端面；113
‑
第二端面；115
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内侧面；117
‑
滑槽；120
‑
第一通道；121
‑
进气孔；123
‑
出气孔；130
‑
第二通道；131
‑
进口；133
‑
出口；150
‑
盖体；151
‑
罩设部；153
‑
环形挡块；155
‑
凸块；161
‑
导流槽；163
‑
导流孔；165
‑
环形槽。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0033]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反应腔，其特征在于，包括：壁体，所述壁体设有用于放置晶圆的腔室，所述壁体上设有相互独立的第一通道和第二通道；所述第一通道与所述腔室连通；盖体，所述盖体连接于所述壁体，所述盖体上设有第三通道，所述第三通道的一端与所述第二通道连通，另一端与所述腔室连通。2.根据权利要求1所述的反应腔，其特征在于，所述壁体包括第一端面、第二端面和内侧面，所述第一端面和所述第二端面相对设置，所述内侧面位于所述第一端面和所述第二端面之间，且所述内侧面分别连接于所述第一端面和所述第二端面；所述第二通道贯通所述第一端面和所述第二端面；所述第一端面设有进气孔，所述内侧面设有出气孔，所述出气孔与所述进气孔连通，形成所述第一通道。3.根据权利要求2所述的反应腔，其特征在于，所述盖体连接于所述第二端面。4.根据权利要求3所述的反应腔，其特征在于，所述盖体包括罩设部和环形挡块，所述罩设部与所述第二端面连接，所述环形挡块凸设于所述罩设部，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成富，何正鸿，陈泽，王承杰，李江桃，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：新型
国别省市：