5G-R高抑制、低损耗多通道滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种5G

【技术实现步骤摘要】
5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器


[0001]本技术涉及滤波器领域，具体是一种5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器。

技术介绍

[0002]随着通信技术尤其是卫星技术的快速发展，通信系统的性能要求也越来越高。所以对新的微波器件的需求和性能的改善提出了很高的要求，而微波滤波器作为无线通信中不可或缺的部件，尤其是广泛应用于移动通信基站或室内分布系统的腔体滤波器，也必须要适应这一新时期的要求。
[0003]它们具有各自优势的同时又存在缺点，其中金属谐振器因材料价格相对低廉、金属件加工简单、常规的生产工艺基本满足滤波器的生产要求，但是金属谐振器因品质因素相对较低，故对一些要求超低传输损耗的滤波器而言又难以应用；TE模介质谐振器因品质因素高，故可以实现一些要求超低传输损耗的滤波器，但TE模介质谐振器因材料的特殊性，及生产工艺的限制，导致陶瓷介质谐振器价格普遍偏高，导致难以大范围使用

技术实现思路

[0004]本技术为了解决现有技术的问题，提供了一种5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器，将金属谐振器与TE介质谐振器组合应用设计，降低插入损耗、提升Q值、降低工艺复杂度、提升带外抑制度。
[0005]本技术采用具有高双工器的单面腔排布，高双工器包括TX通道和RX通道，其中，TX通道采用TE模介质谐振器，工作频率为1965~1975MHz，插入损耗≤0.8dB，带内波动≤0.5dB，回波损耗≥20 dB，带外抑制＞30@1920
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1945MHz，＞90@2155
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2165MHz；所述RX通道工作频率为2155~2165MHz，插入损耗≤0.8dB，带内波动≤0.5dB，回波损耗≥20 dB，带外抑制＞20@2110
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2145MHz，＞57@2170
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2210MHz。
[0006]进一步改进，所述单面腔排布采用单面金属腔腔体结构，上行通带F
UL
=1965～1975MHz；下行通带为F
DL
=2155～2165MHz。
[0007]进一步改进，所述单面腔内分布有散热齿。
[0008]进一步改进，所述单面腔排内散热齿厚度为10mm；腔体底部厚度为2mm；腔体深度：20mm；调谐盖板厚度2mm；螺母预留高度：4.0mm；防水沿高度为7mm，总厚度45mm。
[0009]本技术有益效果在于：
[0010]1、通过将金属谐振器与TE介质谐振器组合应用设计，降低插入损耗、提升Q值、降低工艺复杂度、提升带外抑制度、降低成本。
[0011]2、5G
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R频段传播特性良好，适用于部署铁路5G 专网系统。采用在铁路基站加装5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器避免相邻频段的中国联通LTE系统、天通卫星通信系统的电磁干扰，具备工程可实施性和长远收益。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0013]图1为本技术金属腔体结构示意图。
实施方式
[0014]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0015]5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器是一种抗阻塞干扰型滤波器，将非5G
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R系统信号抑制隔离，避免公众移动通信网对5G
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R通信网络产生的各种干扰。
[0016]基于5G
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R特点及其业务应用实际需求，为了保证频率区间内整个系统的通信质量，要合理、有效地控制干扰信号，但要充分考虑与相邻频段的中国联通LTE系统、天通卫星通信系统的电磁干扰。为避免铁路基站对相邻卫星频段的干扰，因此，5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器要滤除带外信号，避免信号之间发生互调而产生干扰信号，使某一范围内的频率分量可以正常通过，其他范围的频率分量衰减到极低水平。主要技术难点在于对下行的抑制度要求非常高，插入损耗低，所以产品设计方案需要采用有高双工器采用单面腔排布，TX通道采用TE模介质谐振器提高Q值，降低插入损耗，增加低通金属腔体滤波器保证远端抑制。主要技术指标如下：
[0017]项目RXTX工作频率1965~1975MHz2155~2165MHz插入损耗（dB）≤0.8≤0.8带内波动（dB）≤0.5≤0.5回波损耗（dB）≥20≥20带外抑制（dB）＞30@1920
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1945MHz＞90@2155
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2165MHz＞20@2110
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2145MHz＞57@2170
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2210MHz
[0018]5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器采用单面金属腔腔体结构，上行通带F UL
=1965～1975MHz；下行通带为F DL
=2155～2165MHz。对5G
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R基站主要考虑上行接收通带的带外抑制，消除上行通道干扰，因此5G
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R基站滤波器上行通带带外抑制要求高，对下行通带的要求主要是带内插损要低，带外抑制要求高，不能影响基站场强覆盖和天通卫星信号造成强干扰。
[0019]5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器的矩形系数与插损关联，即边缘越陡，插入损耗越大，在基站干扰较大的地方，往往接收信号都很强，设备噪声系数是次要的，带外抑制高是主要指标，但是对于基站下行发射信号，不能影响发射功率，所以插入损耗低是主要指标。
[0020]产品的结构如图1所示，根据技术指标要求采用单面金属腔方案进行设计。腔体散热齿厚度为10mm；腔体底部厚度为2mm；腔体深度：20mm；调谐盖板厚度2mm；螺母预留高度：4.0mm；防水沿高度为7mm， 总厚度45mm。
[0021]本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于设备实施例而言，以上所述仅是本技术的优选实施方式，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，对于本
的普通技术人员来说，可轻易想到的变化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G
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R高抑制、低损耗多通道滤波器，其特征在于：采用具有高双工器的单面腔排布，高双工器包括TX通道和RX通道，其中，TX通道采用TE模介质谐振器，工作频率为1965~1975MHz，插入损耗≤0.8dB，带内波动≤0.5dB，回波损耗≥20 dB，带外抑制＞30@1920
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1945MHz，＞90@2155
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2165MHz；所述RX通道工作频率为2155~2165MHz，插入损耗≤0.8dB，带内波动≤0.5dB，回波损耗≥20 dB，带外抑制＞20@2110
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2145MHz，＞57@2170
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2210MHz。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑜，王海龙，陈建平，陈煜，吉鹏程，陈巧英，
申请(专利权)人：南京泰通科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：