一种多芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种多芯片封装结构，其包括基板，基板上设置有封装层，封装层内设置有多块芯片；封装层的内底面设置有焊盘窗口，每个焊盘窗口内均设置有焊接锡球；每块芯片的底部均通过焊接锡球与基板固定连接；焊盘窗口包括多个信号端窗口和电线接地端窗口，信号端窗口的形状为圆形，电线接地端窗口的形状为长条形或“L”字形，通过将现有技术中基板焊盘上的焊接锡球由圆形结构改变为长条形或者“L”形状的异形结构，实现增大了焊接锡球和基板之间的接触面积，避免封装结构中的焊接锡球出现虚焊等缺陷，提高了多芯片封装结构的综合性能。多芯片封装结构的综合性能。多芯片封装结构的综合性能。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，特别涉及一种多芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着芯片设计技术和制造工艺的飞速发展，分集射频前端模组芯片的集成度越来越高，分集射频前端模组主要用于手机的分集接收通路，采用多芯片SIP技术将射频开关、低噪声放大器(LNA)、声表滤波器以及双工器集成到封装基板中，然而这些分立器件逐渐增多，导致基板中的空间逐渐减小，导致封装完成的芯片应力特性差，同时现有技术中基板焊盘上的锡球一般为圆形结构，圆形结构的锡球和基板的焊盘接触面积不足，容易出现虚焊，受力不均匀的情况。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述问题，本技术提供一种多芯片封装结构，解决了现有芯片封装结构存在的锡球和基板的焊盘接触面积不足，容易出现虚焊，受力不均匀的问题。
[0004]为了达到上述目的，本技术采用的技术方案如下：
[0005]提供一种多芯片封装结构，其包括基板，基板上设置有封装层，封装层内设置有多块芯片；封装层的内底面设置有焊盘窗口，每个焊盘窗口内均设置有焊接锡球；每块芯片的底部均通过焊接锡球与基板固定连接；
[0006]焊盘窗口包括多个信号端窗口和电线接地端窗口，信号端窗口的形状为圆形，电线接地端窗口的形状为长条形或“L”字形。
[0007]进一步地，每个信号端窗口和电线接地端窗口内均设置有钢网，钢网的形状与信号端窗口和电线接地端窗口的形状相匹配；当焊接锡球焊接在信号端窗口和电线接地端窗口的过程中时，焊接锡球吸附在钢网上，焊接锡球容易挥发热量，提高焊接锡球的散热效果，焊接锡球冷却更快。
[0008]进一步地，基板的厚度为0.2mm～2.5mm。
[0009]进一步地，作为信号端窗口和电线接地端窗口具体位置的设置，单块芯片俯视投影对应的封装层的底部呈矩形结构，封装层底部的对角处或者四角处设置有信号端窗口；信号端窗口之间设置有电线接地端窗口。
[0010]进一步地，当封装层底部的对角处有信号端窗口时，电线接地端窗口的形状为“L”字形，电线接地端窗口的水平段与封装层底部的长度方向平行，电线接地端窗口的竖直段与封装层底部的宽度方向平行。
[0011]进一步地，当封装层底部的四角处有信号端窗口时，电线接地端窗口的形状为长条形，电线接地端窗口与封装层底部的长度方向平行。
[0012]本技术的有益效果为：本技术中的多芯片封装结构，通过在封装层的内底面上开设有形状为长条形或“L”字形的电线接地端窗口，并同时在电线接地端窗口内设置有焊接锡球，这样设置加大了焊接锡球与基板的接触面积，可以明显提高芯片的应力，对
芯片有很好的支撑作用，避免了由于焊接锡球和基板接触面积不足出现的虚焊、受力不均匀等情况。
附图说明
[0013]图1为一种多芯片封装结构的结构示意图。
[0014]图2～4为长条形的电线接地端窗口设置在封装层内底面上的结构示意图。
[0015]图5为“L”字形的电线接地端窗口设置在封装层内底面上的结构示意图。
[0016]图6为单块芯片设置在封装层中的结构示意图。
[0017]其中，1、基板；2、封装层；3、焊接锡球；4、信号端窗口；5、电线接地端窗口；6、芯片。
具体实施方式
[0018]下面对本技术的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解本技术，但应该清楚，本技术不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本技术构思的专利技术创造均在保护之列。
[0019]如图1～6所示，本方案提供了一种多芯片封装结构，其包括基板1，基板1的厚度为0.2mm～2.5mm。
[0020]基板1上设置有封装层2，封装层2内设置有多块芯片6；封装层2的内底面设置有焊盘窗口，每个焊盘窗口内均设置有焊接锡球3，焊接锡球3的形状和厚度均与焊盘窗口的形状和厚度匹配；每块芯片6的底部均通过焊接锡球3与基板1固定连接。
[0021]具体地，焊盘窗口包括多个信号端窗口4和电线接地端窗口5，信号端窗口4的形状为圆形，电线接地端窗口5的形状为长条形或“L”字形。
[0022]现有技术中基板1焊盘上的锡球一般为圆形结构，圆形结构的锡球和基板1的焊盘接触面积不足，容易出现虚焊，受力不均匀的情况。本技术中的多芯片封装结构，通过在封装层2的内底面上开设有形状为长条形或“L”字形的电线接地端窗口5，并同时在电线接地端窗口5内设置有焊接锡球3，这样设置加大了焊接锡球3与基板1的接触面积，可以明显提高芯片6的应力，对芯片6有很好的支撑作用，避免了由于焊接锡球3和基板1接触面积不足出现的虚焊、受力不均匀等情况。
[0023]优选但不局限地，每个信号端窗口4和电线接地端窗口5内均设置有钢网，钢网的形状与信号端窗口4和电线接地端窗口5的形状相匹配；当焊接锡球3焊接在信号端窗口4和电线接地端窗口5的过程中时，焊接锡球3吸附在钢网上，焊接锡球3容易挥发热量，提高焊接锡球3的散热效果，焊接锡球3冷却更快。
[0024]如图2～4所示，作为信号端窗口4和电线接地端窗口5具体位置的设置，单块芯片6俯视投影对应的封装层2的底部呈矩形结构，封装层2底部的对角处或者四角处设置有信号端窗口4；信号端窗口4之间设置有电线接地端窗口5。当封装层2底部的四角处有信号端窗口4时，电线接地端窗口5的形状为长条形，电线接地端窗口5与封装层2底部的长度方向平行。
[0025]如图5所示，当封装层2底部的对角处有信号端窗口4时，电线接地端窗口5的形状为“L”字形，电线接地端窗口5的水平段与封装层2底部的长度方向平行，电线接地端窗口5
的竖直段与封装层2底部的宽度方向平行。
[0026]综上所述，本技术中的多芯片封装结构，通过将现有技术中基板1焊盘上的焊接锡球3由圆形结构改变为长条形或者“L”形状的异形结构，实现增大了焊接锡球3和基板1之间的接触面积，避免封装结构中的焊接锡球3出现虚焊等缺陷，提高了多芯片封装结构的综合性能。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装结构，其特征在于，包括基板，所述基板上设置有封装层，所述封装层内设置有多块芯片；封装层的内底面设置有焊盘窗口，每个焊盘窗口内均设置有焊接锡球；每块所述芯片的底部均通过所述焊接锡球与基板固定连接；焊盘窗口包括多个信号端窗口和电线接地端窗口，所述信号端窗口的形状为圆形，所述电线接地端窗口的形状为长条形或“L”字形。2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，每个所述信号端窗口和电线接地端窗口内均设置有钢网，所述钢网的形状与信号端窗口和电线接地端窗口的形状相匹配。3.根据权利要求2所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述基板的厚度为0.2mm～2.5mm。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱祥，董元旦，杨涛，
申请(专利权)人：无锡频岢微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：