一种不用AD口检测的堵转保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种不用AD口检测的堵转保护电路，包括电阻R16、R17和R25以及三极管Q4，电阻R17为电流取样电阻，电阻R17两端分别与负载以及电源连接，电阻R17与电源连接的一端与三极管Q4的发射极连接，电阻R17与负载连接的一端通过电阻R16和电阻R25与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的发射极与单片机的IO管脚连接，当工作电路中出现过流时，三极管Q4导通使得单片机检测到高电平，然后单片机对工作电路进行限流实现堵转保护的目的。路进行限流实现堵转保护的目的。路进行限流实现堵转保护的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种不用AD口检测的堵转保护电路


[0001]本技术涉及电路领域，特别涉及一种不用AD口检测的堵转保护电路。

技术介绍

[0002]现有的带电机的小家电在使用的过程中在过流时可能会处于完全堵转状态、在运行状态或电机短路状态，而如果过流时如果处于运行状态，控制器需要通过一堵转保护电路来将限流值设定在固定值，以确保控制器及电池的安全，而如何对这个状态进行判断，现有技术往往通过AD检测的方式来对电路进行检测，从而对控制器和电池进行保护。但是带AD口的单片机成本相对较高，因此需要一种成本相对较低且能够实现堵转保护目的的不用AD口检测的堵转保护电路。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的是提供一种成本相对较低且能够实现堵转保护目的的不用AD口检测的堵转保护电路。
[0004]本技术提出一种不用AD口检测的堵转保护电路，包括电阻R16、R17和R25以及三极管Q4，所述电阻R17为电流取样电阻，所述电阻R17两端分别与负载以及电源连接，所述电阻R17与所述电源连接的一端与所述三极管Q4的发射极连接，所述电阻R17与所述负载连接的一端通过所述电阻R16和所述电阻R25与所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的发射极与单片机的IO管脚连接，当工作电路中出现过流时，所述三极管Q4导通使得单片机检测到高电平，然后单片机对工作电路进行限流实现堵转保护的目的。
[0005]优选地，还包括可控硅三极管QR1以及电阻R13，所述可控硅三极管QR1的触发极通过电阻R13与单片机连接，所述可控硅三极管的另外两端分别连接所述电阻R17以负载。
[0006]优选地，还包括电阻R15，所述三极管Q4的发射极与所述电阻R15连接后接地。
[0007]本技术的不用AD口检测的堵转保护电路的有益效果为：
[0008]1、能够无需使用AD检测的方式进行检测，从而能够在低成本的情况下实现堵转保护的目的。
[0009]2、电流取样电阻R17阻值很小，产生的反馈电压偏低，从而不会导致三极管Q4损坏，整体电路的安全性和耐用性也相对较好。
附图说明
[0010]图1为本技术的不用AD口检测的堵转保护电路的电路图；
[0011]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0012]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0013]参照图1，提出本技术的不用AD口检测的堵转保护电路的一实施例：
[0014]一种不用AD口检测的堵转保护电路，包括电阻R13、R15、R16、R17和R25、三极管Q4以及可控硅三极管QR1。
[0015]电阻R17为电流取样电阻，电阻R17两端分别与电源以及可控硅三极管QR1一端连接，可控硅三极管QR1另一端与负载连接，可控硅三极管的触发极通过电阻R13与单片机连接，从而能够通过单片机来控制可控硅三极管QR1导通。
[0016]电阻R17与电源连接的一端与三极管Q4的发射极连接，电阻R17与可控硅三极管QR1连接的一端通过电阻R16和电阻R25与三极管Q4的基极连接，三极管Q4的发射极与单片机的IO管脚连接以及与电阻R15连接后接地。
[0017]工作电路正常工作时，三极管Q4无法导通，在电阻R15的作用下，单片机检测到低电平，则表示没有过流，出现过流时，会在电流取样电阻R17产生对应负载电流的压降，并使得三极管Q4导通，从而使得单片机检测到高电平，然后单片机对工作电路进行限流实现堵转保护的目的。
[0018]以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种不用AD口检测的堵转保护电路，其特征在于，包括电阻R16、R17和R25以及三极管Q4，所述电阻R17为电流取样电阻，所述电阻R17两端分别与负载以及电源连接，所述电阻R17与所述电源连接的一端与所述三极管Q4的发射极连接，所述电阻R17与所述负载连接的一端通过所述电阻R16和所述电阻R25与所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q4的发射极与单片机的IO管脚连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李武彪，巫俊杰，
申请(专利权)人：中山市良臣子电器有限公司，
类型：新型
国别省市：