一种多层复合导体高均匀性封装方法技术

本申请涉及复合导体技术领域，特别是涉及一种多层复合导体高均匀性封装方法。包括：预设单层复合导体生产参数，根据所述生产参数得到待封装单层复合导体；获取所述待封装单层复合导体的电阻率，根据所述电阻率设定初次封装参数，并得到单层复合导体；设定复合导体层数和二次封装参数，并得到多层复合导体。通过创新多层复合导体连续铠装成型的高均匀性封装技术。解决常规封装焊接过程性能不均匀、封装效率低、冷却不均匀导致焊接局部缺陷多的问题，大幅提升了封装后的多层复合导体的连接强度、均匀性与失超后的带材热稳定性，提升复合导体脱层应力和带材焊接封装速度，提升封装效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种多层复合导体高均匀性封装方法


[0001]本申请涉及复合导体
，特别是涉及一种多层复合导体高均匀性封装方法。

技术介绍

[0002]导体是指电阻率很小且易于传导电流的物质，导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子，在外电场作用下，载流子作定向运动，形成明显的电流，金属原子最外层的价电子很容易挣脱原子核的束缚，而成为自由电子，留下的正离子形成规则的点阵，金属中自由电子的浓度很大，所以金属导体的电导率通常比其他导体材料的大，金属导体的电阻率一般随温度降低而减小，现今社会使用最普遍就是复合导体，复合导体和普通的导体相比具有更小的电阻和更好的导电性。
[0003]但现阶段的多层复合导体的常规封装焊接过程存在性能不均匀、封装效率低、冷却不均匀导致焊接局部缺陷多的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的是：为解决上述技术问题，本申请提供了一种多层复合导体高均匀性封装方法。旨在提升了多层复合导体封装后的连接强度、均匀性与失超后的带材热稳定性。
[0005]本申请的一些实施例中，通过动态调节绝缘层材料和散热层材料，并通过实时的绝缘层厚度修正实时散热层厚度，提升封装后的多层复合导体的连接强度、均匀性与失超后的带材热稳定性，提高多层复合导体的生产质量。
[0006]本申请的一些实施例中，通过预设待封装单层复合导体直径矩阵，根据其单根导体的直径设置不同的绝缘层和散热层总厚度，并进行封装，保证其单根导体在进行复合组装时保持良好的特性，提高封装效率。
[0007]本申请的一些实施例中，根据二次封装参数对多层的复合导体进行封装，并通过预设冷却风速矩阵，对焊接完成后的冷却风进行动态调整，避免冷却不均匀导致焊接局部缺陷多的问题，同时通过获取实时的冷却不均匀点数量，及时修正实时的冷却风速，保证在冷却过程中的均匀性，提升了封装后的多层复合导体的连接强度、均匀性与失超后的带材热稳定性，提升复合导体脱层应力和带材焊接封装速度，提升封装效率。
[0008]本申请的一些实施例中，提供了一种多层复合导体高均匀性封装方法，包括：
[0009]预设单层复合导体生产参数，根据所述生产参数得到待封装单层复合导体；
[0010]获取所述待封装单层复合导体的电阻率，根据所述电阻率设定初次封装参数，并得到单层复合导体；
[0011]设定复合导体层数和二次封装参数，并得到多层复合导体。
[0012]本申请的一些实施例中，根据所述电阻率设定初次封装参数时，包括：
[0013]预设初次封装绝缘层和散热层总厚度b；
[0014]根据所述电阻率a设定所述散热层厚度c；
[0015]根据所述总厚度b和所述散热层厚度c设定所述绝缘层厚度d。
[0016]本申请的一些实施例中，根据所述电阻率设定初次封装参数时，还包括：
[0017]当完成所述绝缘层封装时，获取实时的绝缘层厚度d1，并生成绝缘层厚度差值d2，根据所述绝缘层厚度差值d2修正所述散热层厚度c。
[0018]本申请的一些实施例中，预设初次封装绝缘层和散热层总厚度b时，包括：
[0019]预设待封装单层复合导体直径矩阵E，设定E(E1，E2，E3，E4)，其中，E1为预设第一待封装单层复合导体直径，E2为预设第二待封装单层复合导体直径，E3为预设第三待封装单层复合导体直径，E4为预设第四待封装单层复合导体直径，且E1＜E2＜E3＜E4；
[0020]预设总厚度矩阵D，设定D(D1，D2，D3，D4)，其中，D1为预设第一总厚度，D2为预设第二总厚度，D3为预设第三总厚度，D4为预设第四总厚度，且D1＜D2＜D3＜D3；
[0021]获取所述待封装单层复合导体直径e；
[0022]若e＜E1，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第一总厚度D1，即d＝D1；
[0023]若E1＜e＜E2，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第二总厚度D2，即d＝D2；
[0024]若E2＜e＜E3，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第三总厚度D3，即d＝D3；
[0025]若E3＜e＜E4，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第四总厚度D4，即d＝D4。
[0026]本申请的一些实施例中，根据所述电阻率a设定所述散热层厚度c时，包括：
[0027]预设电阻率矩阵A，设定A(A1，A2，A3，A4)，其中，A1为预设第一电阻率，A2为预设第二电阻率，A3为预设第三电阻率，A4为预设第四电阻率，且A1＜A2＜A3＜A4；
[0028]预设散热层厚度矩阵C，设定C(C1，C2，C3，C4)，其中，C1为预设第一散热层厚度，C2为预设第二散热层厚度，C3为预设第三散热层厚度，C4为预设第四散热层厚度，且C1＜C2＜C3＜C4；
[0029]获取实待封装单层复合导体的电阻率a；
[0030]若A1＜a＜A2，设定散热层厚度c为预设第四散热层厚度C4，即c＝C4；
[0031]若A2＜a＜A3，设定散热层厚度c为预设第三散热层厚度C3，即c＝C3；
[0032]若A3＜a＜A4，设定散热层厚度c为预设第二散热层厚度C2，即c＝C2；
[0033]若a＞A4，设定散热层厚度c为预设第一散热层厚度C1，即c＝C1。
[0034]本申请的一些实施例中，设定复合导体层数和二次封装参数时，包括：
[0035]获取复合导体层数f，并根据所述层数f设定焊接参数；
[0036]根据所述层数f设定相邻单层复合导体间隔距离g。
[0037]本申请的一些实施例中，所述设定相邻单层复合导体间隔距离g时，包括：
[0038]预设相邻单层复合导体间隔距离矩阵G，设定G(G1，G2，G3，G4)，其中，G1为预设第一间隔距离，G2为预设第二间隔距离，G3为预设第三间隔距离，G4为预设第四间隔距离，且G1＜G2＜G3＜G4；
[0039]预设复合导体层数矩阵F，设定F(F1，F2，F3，F4)，其中，F1为预设第一复合导体层
数，F2为预设第二复合导体层数，F3为预设第三复合导体层数，F4为预设第四复合导体层数，且F1＜F2＜F3＜F4；
[0040]若f＜F1，设定相邻单层复合导体间隔距离g为预设第四间隔距离G4，及g＝G4；
[0041]若F1＜f＜F2，设定相邻单层复合导体间隔距离g为预设第三间隔距离G3，及g＝G3；
[0042]若F2＜f＜F3，设定相邻单层复合导体间隔距离g为预设第二间隔距离G2，及g＝G2；
[0043]若F3＜f＜F4，设定相邻单层复合导体间隔距离g为预设第一间隔距离G1，即g＝G1。
[0044]本申请的一些实施例中，根据所述层数f设定焊接参数时，包括：
[0045]预设冷却风速矩阵H，设定H(H1，H2，H3，H4)，其中，H1为预设第一冷却风速，H2为预设第二冷却风速，H1为预设第三冷却风速，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层复合导体高均匀性封装方法，其特征在于，包括：预设单层复合导体生产参数，根据所述生产参数得到待封装单层复合导体；获取所述待封装单层复合导体的电阻率，根据所述电阻率设定初次封装参数，并得到单层复合导体；设定复合导体层数和二次封装参数，并得到多层复合导体。2.如权利要求1所述的多层复合导体高均匀性封装方法，其特征在于，根据所述电阻率设定初次封装参数时，包括：预设初次封装绝缘层和散热层总厚度b；根据所述电阻率a设定所述散热层厚度c；根据所述总厚度b和所述散热层厚度c设定所述绝缘层厚度d。3.如权利要求2所述的多层复合导体高均匀性封装方法，其特征在于，根据所述电阻率设定初次封装参数时，还包括：当完成所述绝缘层封装时，获取实时的绝缘层厚度d1，并生成绝缘层厚度差值d2，根据所述绝缘层厚度差值d2修正所述散热层厚度c。4.如权利要求3所述的多层复合导体高均匀性封装方法，其特征在于，预设初次封装绝缘层和散热层总厚度b时，包括：预设待封装单层复合导体直径矩阵E，设定E(E1，E2，E3，E4)，其中，E1为预设第一待封装单层复合导体直径，E2为预设第二待封装单层复合导体直径，E3为预设第三待封装单层复合导体直径，E4为预设第四待封装单层复合导体直径，且E1＜E2＜E3＜E4；预设总厚度矩阵D，设定D(D1，D2，D3，D4)，其中，D1为预设第一总厚度，D2为预设第二总厚度，D3为预设第三总厚度，D4为预设第四总厚度，且D1＜D2＜D3＜D3；获取所述待封装单层复合导体直径e；若e＜E1，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第一总厚度D1，即d＝D1；若E1＜e＜E2，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第二总厚度D2，即d＝D2；若E2＜e＜E3，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第三总厚度D3，即d＝D3；若E3＜e＜E4，设定所述初次封装绝缘层和散热层总厚度为预设第四总厚度D4，即d＝D4。5.如权利要求2所述的多层复合导体高均匀性封装方法，其特征在于，根据所述电阻率a设定所述散热层厚度c时，包括：预设电阻率矩阵A，设定A(A1，A2，A3，A4)，其中，A1为预设第一电阻率，A2为预设第二电阻率，A3为预设第三电阻率，A4为预设第四电阻率，且A1＜A2＜A3＜A4；预设散热层厚度矩阵C，设定C(C1，C2，C3，C4)，其中，C1为预设第一散热层厚度，C2为预设第二散热层厚度，C3为预设第三散热层厚度，C4为预设第四散热层厚度，且C1＜C2＜C3＜C4；获取实待封装单层复合导体的电阻率a；若A1＜a＜A2，设定散热层厚度c为预设第四散热层厚度C4，即c＝C4；若A2＜a＜A3，设定散热层厚度c为预设第三散热层厚度C3，即c＝C3；
若A3＜a＜A4，设定散热层厚度c为预设第二散热层厚度C2，即c＝C2；若a＞A4，设定散热层厚度c为预设第一散热层厚度C1，即c＝C1。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪智勇，蒋国忠，戴少涛，伍锐，曾智斌，
申请(专利权)人：江西联创光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：