一种印制电路板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种印制电路板及其制备方法，其中，印制电路板的增层方法包括：获取到待增层板件以及记忆金属层；依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层；其中，预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。通过上述方式，本发明专利技术能够提高记忆金属层与介电层之间的结合力，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种印制电路板及其制备方法


[0001]本专利技术应用于印制电路板的
，特别是一种印制电路板及其制备方法。

技术介绍

[0002]PCB(Printed Circuit Board)，又被称为印刷线路板或印刷电路板，是应用广泛的重要电子部件，是电子元器件的支撑体，同样也是电子元器件电气连接的载体。
[0003]在多层印制电路板中，导电金属层之间通过介质层绝缘，需要保证金属层和绝缘介层之间的结合力，在印制电路板制作过程中，会进行金属层表面粗化处理，以增强金属层和绝缘介层之间的结合力，防止使用中出现分层/爆板等。
[0004]由于记忆金属具有“耐腐蚀”特性，目前使用的粗化方式，难以满足表面粗化要求，部分场景下会出现记忆金属与绝缘介层之间结合力不达标的情况。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种印制电路板及其制备方法，以解决印制电路板中记忆金属与绝缘介层之间结合力不足的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种印制电路板的增层方法，包括：获取到待增层板件以及记忆金属层；依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层；其中，预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。
[0007]其中，依次对记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理；在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层；对记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
[0008]其中，在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层的步骤包括：对物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧进行闪镀，以在目标侧镀上一层打底层；其中，打底层的厚度范围为3
‑
9微米。
[0009]其中，对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理；其中，磨刷或陶瓷刷板的深度范围为5
‑
15微米，喷砂的深度范围为2
‑
15微米，且磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
[0010]其中，对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行激光钻处理，以在目标侧均匀形成阵列孔痕；其中，激光钻处理的孔径范围为25
‑
65微米，深度范围为1.5
‑
15微米，且激光钻处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
[0011]其中，对记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对记忆金属层的目标侧进行激光控深处理和/或水刀控深处理，以在目标侧均匀形成控深痕，控深痕包括波浪
痕、斜形痕或网格痕；其中，激光控深处理和/或水刀控深处理的宽度范围为25
‑
75微米，深度范围为3
‑
15微米，且激光控深处理和/或水刀控深处理的深度小于记忆金属层的厚度的五分之一。
[0012]其中，对记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：利用过硫酸钠、双氧水、盐酸、氢氧化钠、或氨水体系的蚀刻液对记忆金属层的目标侧的打底层进行微蚀、棕化或黑化处理，以进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。
[0013]其中，将至少一层介电层层叠放置在待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在介电层远离待增层板件的一侧，进行压合处理，以对待增层板件进行增层的步骤包括：当增层后的待增层板件满足印制电路板的层数需求，将增层后的待增层板件作为印制电路板；当增层后的待增层板件未满足印制电路板的层数需求，将增层后的待增层板件作为新的待增层板件，继续对新的待增层板件进行增层，直至满足印制电路板的层数需求，以得到印制电路板。
[0014]其中，记忆金属层包括铜钛合金、铜钛铁合金、铜锡磷合金、铜锌锡合金、铜锌硅合金、铜锡合金中的一种或多种。
[0015]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种印制电路板，印制电路板由上述任一项的印制电路板的增层方法制备得到。
[0016]为解决上述技术问题，本专利技术的印制电路板的增层方法能够利用物理粗化处理，以先使目标侧粗糙化，提高目标侧的表面积以及表面立体度，并破坏目标侧表面，再对粗糙化且破坏了表面的目标侧进行化学粗化处理，从而扩大化学粗化的面积，并降低化学粗化处理的难度，提高化学粗化的深度，进而提高化学粗化的效果，以及通过预先在记忆金属层的目标侧电镀上一层金属的打底层，从而给使得后续的化学粗化处理能够直接对打底层进行粗化，进而规避掉记忆金属层具有的“耐腐蚀”的特性，利用提高打底层的粗糙度提高记忆金属层的目标侧与介电层之间的结合力。通过上述预处理方式，进行辅助作业，提高化学粗化处理的粗化效果，减少印制电路板出现分层、爆板的现象，提高印制电路板的结构稳定性与可靠性。
附图说明
[0017]图1是本专利技术提供的印制电路板的增层方法一实施例的流程示意图；
[0018]图2是本专利技术提供的印制电路板的增层方法另一实施例的流程示意图；
[0019]图3是图2实施例中印制电路板增层流程示意图；
[0020]图4是记忆金属层的目标侧磨刷或陶瓷刷板后一实施例的效果示意图；
[0021]图5是记忆金属层的目标侧喷砂处理后一实施例的效果示意图；
[0022]图6是记忆金属层的目标侧激光钻处理后一实施例的效果示意图；
[0023]图7是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第一实施例的效果示意图；
[0024]图8是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第二实施例的效果示意图；
[0025]图9是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第三实施例的效
果示意图；
[0026]图10是记忆金属层的目标侧激光控深处理和/或水刀控深处理后第四实施例的效果示意图；
[0027]图11是记忆金属层的目标侧激光钻处理、激光控深处理和/或水刀控深处理后一实施例的效果示意图；
[0028]图12是本专利技术提供的印制电路板一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0030]需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种印制电路板的增层方法，其特征在于，所述印制电路板的增层方法包括：获取到待增层板件以及记忆金属层；依次对所述记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层；将至少一层介电层层叠放置在所述待增层板件的至少一侧，并将记忆金属层的目标侧放置在所述介电层远离所述待增层板件的一侧，进行压合处理，以对所述待增层板件进行增层；其中，所述预处理包括物理粗化处理和/或电镀打底层处理。2.根据权利要求1所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述依次对所述记忆金属层的目标侧进行预处理以及化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层的步骤包括：对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理；在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层；对所述记忆金属层的目标侧的打底层进行化学粗化处理，得到处理后的记忆金属层。3.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述在物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧镀上一层打底层的步骤包括：对物理粗化处理后的记忆金属层的目标侧进行闪镀，以在所述目标侧镀上一层打底层；其中，所述打底层的厚度范围为3
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9微米。4.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对所述记忆金属层的目标侧进行磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理；其中，所述磨刷或陶瓷刷板的深度范围为5
‑
15微米，所述喷砂的深度范围为2
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15微米，且所述磨刷、陶瓷刷板或喷砂处理的深度小于所述记忆金属层的厚度的五分之一。5.根据权利要求2所述的印制电路板的增层方法，其特征在于，所述对所述记忆金属层的目标侧进行物理粗化处理的步骤包括：对所述记忆金属层的目标侧进行激光钻处理，以在所述目标侧均匀形成阵列孔痕；其中，所述激光钻处理的孔径范围为25
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65微米，深度范围为1.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡忠华，唐昌胜，刘海龙，
申请(专利权)人：深南电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：